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RoHS10物質対応(30)
「mosfet 100v」の検索結果
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET100 V 170 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥21,980～税込￥24,178～1セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 170 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET100 V 3.7 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
DiodesZetex￥169,800税込￥186,7801セット(1000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 3.9 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 6.7mm。高さ = 1.7mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET100 V 230 mA スルーホール パッケージE-Line 3 ピン
DiodesZetex￥989税込￥1,0881袋(5個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 230 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V。最大パワー消費 = 700 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 4.77mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET100 V 200 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピン
DiodesZetex￥2,898税込￥3,1881袋(20個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 2.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET100 V 1.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン
DiodesZetex￥229,800税込￥252,7801セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 1.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.8mm。高さ = 1.3mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET100 V 900 mA スルーホール パッケージE-Line 3 ピン
DiodesZetex￥499,800税込￥549,7801袋(4000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 900 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 850 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 2.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET100 V 5.9 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
DiodesZetex￥379,800税込￥417,7801セット(2500個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 5.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 10.2 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET100 V 700 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥109,800税込￥120,7801セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 700 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最大パワー消費 = 806 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 1.8 nC @ 5 V、3.5 nC @ 10 Vmm。高さ = 1mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET200 V 60 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥769税込￥8461袋(10個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 60 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 330 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET40 V 6.4 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
DiodesZetex￥65,980税込￥72,5781セット(1000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3.9 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET250 V 197 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン
DiodesZetex￥199,800税込￥219,7801セット(3000個)7日以内出荷PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 197 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 1.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V， +40 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 1.3mmRoHS指令(10物質対応)対応DiodesZetex Nチャンネル MOSFET450 V 140 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
DiodesZetex￥51,980税込￥57,1781セット(1000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 140 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 450 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 2 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET240 V 260 mA スルーホール パッケージE-Line 3 ピン
DiodesZetex￥1,698税込￥1,8681袋(5個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 260 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 240 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.8V。最大パワー消費 = 750 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V， +40 V。幅 = 2.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET200 V 35 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥149,800税込￥164,7801セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 35 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V。最大パワー消費 = 330 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Pチャンネル MOSFET240 V 200 mA スルーホール パッケージE-Line 3 ピン
DiodesZetex￥459,800税込￥505,7801袋(4000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 240 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 750 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V， +40 V。幅 = 2.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
