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エコロジープロダクト
「mosfet n」の検索結果
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 50 A， 3 ピン パッケージTO-220AB MegaFET シリーズON SEMICONDUCTOR￥349税込￥384
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 131 Wトランジスタ素材 = SiMegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 58 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥759税込￥835
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Wolfspeed Nチャンネル パワーMOSFETWOLFSPEED￥2,698～税込￥2,968～
1個ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 20 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥2,398税込￥2,638
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET， 60 V， 200 mA， 3 ピン パッケージTO-92ON SEMICONDUCTOR￥459税込￥505
1袋(10個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 400 mW動作温度 Max = +150 ℃強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
N-chan SiC MOSFETWOLFSPEED￥239,800税込￥263,780
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：60 A、最大ドレイン-ソース間電圧：1200 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：52 mΩ、最大ゲートしきい値電圧：4V、最低ゲートしきい値電圧：2V、最大ゲート-ソース間電圧：-5 V， +20 V、パッケージタイプ：TO-247、実装タイプ：スルーホール、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET、最大パワー消費：330 W、標準ターンオフ遅延時間：26ns、WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet(TM)、C2M(TM)、C3M(TM)シリコンカーバイドパワーMOSFET Creeのパワー部門であるWolfspeedの次世代SiC MOSFET製品で、業界をリードする電力密度とスイッチング効果を実現します。 これらの低容量デバイスは、高いスイッチング周波数を可能にします。冷却要件が軽減され、システム全体の動作効率が向上します。 ； 強化モードNチャンネルSiC技術 ； 高出力ソース絶縁破壊電圧: 最大1200 V ； 複数のデバイスを簡単に接続して駆動 ； 高速スイッチング、低いオン状態抵抗 ； 抗ラッチアップ動作RoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-247STマイクロエレクトロニクス￥1,198税込￥1,318
1個
3日以内出荷
その他【技術】MOSFET(金属酸化物)、【Id、Vgs印加時のRds On(最大)】299ミリオーム @ 9A、10V、【Id印加時のVgs(th)】最大5V @ 100μA、【Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)】43nC @ 10V、【Vgs(最大)】±30V、【Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)】1645pF @ 100Vタイプ【FET】Nチャンネル電流(A)(25℃での連続ドレイン(Id))：18.5(Tc)最大消費電力(W)250(Tc)RoHS指令(10物質対応)対応動作温度範囲(℃)-55～150(TJ)ドレイン・ソース電圧(V)900起動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)10V
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 400 V， 3.7 A， 3 ピン パッケージTO-220FPVISHAY￥459税込￥505
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W標準ゲートチャージ @ Vgs = 38 nC @ 10 VNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Microchip Technology Nチャンネル ドライバ用 MOSFETMICROCHIP￥1,598～税込￥1,758～
1袋(20個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
NチャンネルパワーMOSFET(150V/56A)インフィニオン￥569税込￥626
1個
3日以内出荷
OptiMOS 5シリーズ NチャンネルパワーMOSFET
その他MSL1 - 無制限消費電力(W)96抵抗(Ω)【ドレイン-ソース間オン】0.0137ピン数(ピン)8ピン動作温度(℃)150RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTDSON実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネル耐テスト電圧(V)【Rds(on)】10最大連続ドレイン電流(A)56最大ドレイン-ソース間電圧(V)150最大ゲート-ソース間電圧(V)3.8
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 61.8 A， 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV-H シリーズ東芝￥2,698税込￥2,968
1個
欠品中
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 61.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 400 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
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