「ns-04」の検索結果

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 300mAピーク逆繰返し電圧 = 75Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 高速ピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)最大連続 順方向電流 = 500mAピーク逆繰返し電圧 = 80Vダイオード構成 = 絶縁型整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオードピン数 = 6最大順方向降下電圧 = 1.25V1チップ当たりのエレメント数 = 3ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A高速スイッチングダイオードアレイ、MMBD4448Hシリーズ、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 6最大順方向降下電圧 = 380mV1チップ当たりのエレメント数 = 4ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ 表面実装パッケージタイプ SOT-26最大連続 順方向電流 350mAピーク逆繰返し電圧 40Vダイオード構成 シリーズ整流タイプ ショットキー整流器ダイオードタイプ ショットキーピン数 6最大順方向降下電圧 600mV1チップ当たりのエレメント数 4ダイオードテクノロジー ショットキーピーク逆回復時間 10nsピーク非繰返し順方向サージ電流 1.5ADiodesZetex ショットキーバリアダイオード 300mA 1A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この2端子デバイスは、同等のショットキーダイオードより順方向電圧( VF )が低くなっています。PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 450mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4Aショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 650mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4Aショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

論理回路 = LVCロジックタイプ = バッファ， ドライバ回路数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = オープンドレイン極性 = 反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4ns寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Min = 1.65 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5論理回路 = AHC入力タイプ = シュミットトリガ動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.5ns動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 4mA幅 = 1.7mm74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13.5ns高レベル出力電流 Max = -8mA低レベル出力電流 Max = 4mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5論理回路 = AHC寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 1.35mm74AHC1Gファミリ、Diodes Inc