「ns1」の検索結果

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-123。最大連続 順方向電流 = 15mA。ピーク逆繰返し電圧 = 70V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーダイオード。ピーク逆回復時間 = 1ns。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-323。最大連続 順方向電流 = 15mA。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク逆回復時間 = 1ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerDI 123。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 25ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Diodes Inc

実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ SOD-123。最大連続 順方向電流 350mA。ピーク逆繰返し電圧 40V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。最大順方向降下電圧 600mV。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキー。ピーク逆回復時間 10ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 1.5A。DiodesZetex ショットキーバリアダイオード 300mA 1A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この2端子デバイスは、同等のショットキーダイオードより順方向電圧( VF )が低くなっています。PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えています。

実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ SOD-123。最大連続 順方向電流 350mA。ピーク逆繰返し電圧 30V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。最大順方向降下電圧 600mV。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキー。ピーク逆回復時間 10ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 1.5A。DiodesZetex ショットキーバリアダイオード 300mA 1A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この2端子デバイスは、同等のショットキーダイオードより順方向電圧( VF )が低くなっています。PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えています。

論理回路 = LVC。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ。回路数 = 1。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = オープンドレイン。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。低レベル出力電流 Max = 32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4ns。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。動作供給電圧 Min = 1.65 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ SOT-26。最大連続 順方向電流 350mA。ピーク逆繰返し電圧 40V。ダイオード構成 シリーズ。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 6。最大順方向降下電圧 600mV。1チップ当たりのエレメント数 4。ダイオードテクノロジー ショットキー。ピーク逆回復時間 10ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 1.5A。DiodesZetex ショットキーバリアダイオード 300mA 1A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この2端子デバイスは、同等のショットキーダイオードより順方向電圧( VF )が低くなっています。PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えています。

論理回路 = LVC。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ。回路数 = 1。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。高レベル出力電流 Max = -32mA。低レベル出力電流 Max = 32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。動作供給電圧 Min = 1.65 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13.5ns。高レベル出力電流 Max = -8mA。低レベル出力電流 Max = 4mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = AHC。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 1.35mm。74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 300mA。ピーク逆繰返し電圧 = 75V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。最大連続 順方向電流 = 500mA。ピーク逆繰返し電圧 = 80V。ダイオード構成 = 絶縁型。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオード。ピン数 = 6。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 3。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。高速スイッチングダイオードアレイ、MMBD4448Hシリーズ、Diodes Inc

ロジックタイプ = インバータ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。シュミットトリガ入力 = なし。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5ns。高レベル出力電流 Max = -32mA。低レベル出力電流 Max = 32mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。寸法 = 3.1 x 1.7 x 1.3mm。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 1.7mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-123。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 450mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-323。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-123。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 650mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DFN。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = AHC。入力タイプ = シュミットトリガ。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.5ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 4mA。幅 = 1.7mm。74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

ロジックタイプ = XOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = AHC。入力タイプ = シュミットトリガ。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 11.5ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 4mA。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

ロジックタイプ = XOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.35mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.7mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = OR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.35mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = AHC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9.5 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 8mA。幅 = 1.7mm。74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 6。最大順方向降下電圧 = 380mV。1チップ当たりのエレメント数 = 4。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 70mA。ピーク逆繰返し電圧 = 70V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

論理回路 = 74AHCT。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ。チャンネル数 = 1。シュミットトリガ入力 = あり。入力タイプ = CMOS、シュミットトリガ。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。高レベル出力電流 Max = -8mA。低レベル出力電流 Max = 8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9.5 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 1.7mm。74AHCT1Gファミリ、Diodes Inc. 供給電圧範囲: 4.5 → 5.5 V 入力はTTL電圧レベル互換 ESD保護は、JESD22の200 Vマシンモデル(A115-A)、2000 V人体モデル(A114-A)、1000 V帯電デバイスモデルに対応

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = アレイ。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 6。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 8。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 70mA。ピーク逆繰返し電圧 = 70V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 800mV。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = 絶縁型。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 6。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 3。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

ロジックタイプ = OR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.7mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 800mV。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

論理回路 = LVC。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ。インターフェース = バッファ&ラインドライバIC。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。高レベル出力電流 Max = -32mA。低レベル出力電流 Max = 32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。寸法 = 3.1 x 1.7 x 1.3mm。動作供給電圧 Min = 1.65 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS