「ns50」の検索結果

ロジックタイプ = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5論理回路 = AHC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9.5 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 8mA幅 = 1.7mm74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

論理回路 = 74LVCロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 1シュミットトリガ入力 = あり入力タイプ = シュミットトリガ出力タイプ = プッシュプル極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 1.7mm74LVCファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

論理回路 = 74AHCTロジックタイプ = バッファ， ドライバチャンネル数 = 1シュミットトリガ入力 = あり入力タイプ = CMOS、シュミットトリガ出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -8mA低レベル出力電流 Max = 8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9.5 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 1.7mm74AHCT1Gファミリ、Diodes Inc. 供給電圧範囲: 4.5 → 5.5 V 入力はTTL電圧レベル互換 ESD保護は、JESD22の200 Vマシンモデル(A115-A)、2000 V人体モデル(A114-A)、1000 V帯電デバイスモデルに対応

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323最大連続 順方向電流 = 15mAピーク逆繰返し電圧 = 60Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク逆回復時間 = 1nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50mAショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

論理回路 = LVCロジックタイプ = バッファ， ドライバ回路数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = オープンドレイン極性 = 反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4ns寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Min = 1.65 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

論理回路 = LVCロジックタイプ = バッファ， ドライバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns寸法 = 3.1 x 1.7 x 1.3mm動作供給電圧 Min = 1.65 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

論理回路 = LVCロジックタイプ = バッファ， ドライバ回路数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Min = 1.65 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS