「v-max」の検索結果

公称電圧 = 1.24 - 18V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 可変。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。入力電圧 Max = 20 V。出力電圧 Min = 1.24 V。出力電圧 Max = 18 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。高さ = 1.02mm。可変電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 2.5V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 可変。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 100mA。入力電圧 Max = 20 V。出力電圧 Min = 2.475 V。出力電圧 Max = 20 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。可変電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.24 - 18V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 可変。立上がり精度 = ±0.5 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。入力電圧 Max = 20 V。出力電圧 Min = 1.24 V。出力電圧 Max = 18 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。可変電圧リファレンス、Diodes Inc

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = あり。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = AHC。入力タイプ = シュミットトリガ。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 8mA。幅 = 1.35mm。74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

出力電流 Max = 2A。出力電圧 Max = 3.3 V。レギュレータ機能 = バック コントローラ。入力電圧 Min = 4.5 V。入力電圧 Max = 22 V。出力タイプ = 固定。実装タイプ = 表面実装。出力数 = 1。最大スイッチング周波数 = 150 kHz。パッケージタイプ = SOP。スイッチングレギュレータ = あり。幅 = 3.95mm。ステップダウンスイッチングレギュレータ、Diodes Inc. DiodesZetezのステップダウン電圧スイッチングレギュレータ製品は、さまざまな要件に適合します。

公称電圧 = 4.096V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。出力電圧 Min = 4.05 V。出力電圧 Max = 4.14 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。4.096 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 2.5 - 36V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 可変。立上がり精度 = ±0.5 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 100mA。入力電圧 Max = 40 V。出力電圧 Min = 2.5 V。出力電圧 Max = 36 V。ピン数 = 3。寸法 = 3 x 1.4 x 1mm。幅 = 1.4mm。可変電圧リファレンス、Diodes Inc

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = AHC。入力タイプ = シュミットトリガ。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.5ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 4mA。幅 = 1.7mm。74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = AHC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9.5 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 8mA。幅 = 1.7mm。74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

公称電圧 = 1.225V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 12mA。出力電圧 Min = 1.213 V。出力電圧 Max = 1.237 V。ピン数 = 3。ロードレギュレーション = 10 mV。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

ロジックタイプ = XOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.35mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.7mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = OR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.35mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

公称電圧 = 1.22V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±0.5 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。出力電圧 Min = 1.196 V。出力電圧 Max = 1.244 V。ピン数 = 3。ロードレギュレーション = 10 mV。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。高さ = 1.02mm。1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

ロジックタイプ = XOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = AHC。入力タイプ = シュミットトリガ。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 11.5ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 4mA。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

公称電圧 = 1.22V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±0.5 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。出力電圧 Min = 1.214 V。出力電圧 Max = 1.226 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

ロジックタイプ = OR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.7mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

電圧管理タイプ = マイクロプロセッサリセットモニタ。管理数 = 1。出力ドライバ = アクティブ ロー， プッシュプル。実装タイプ = 表面実装ms。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 3 x 1.4 x 1mm。最大リセット閾値電圧 = 4.72V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Min = -40 ℃V。マイクロプロセッサ監視 / リセット回路、Diodes Inc

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

センサータイプ = ホール効果センサ。実装タイプ = 表面実装。マグネットタイプ = オムニポーラ。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作供給電圧 Min = 2.5 V。パッケージタイプ = SC-59。ピン数 = 3。動作温度 Max = +85 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。ホール効果スイッチ及びラッチ、Diodes Inc

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOP。電源タイプ = ±2電源， 単一電源。回路数 = 2。ピン数 = 8。標準シングル供給電圧 = 3 → 32 V。標準ゲイン帯域幅積 = 1MHz。標準デュアル供給電圧 = ±1.5 → ±16V。動作温度 Max = +70 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 3.95mm。オペアンプ、最大供給電圧36 V、Diodes Inc. Diodesのオペアンプ製品は、汎用機器向けの業界標準部品です。

出力電流 = 18mA。入力電圧 = 5 → 65 V dc。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = PWM。用途 = 自動車用照明。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 16。出力電圧 Max = 65V。出力電圧 Min = -0.3V。定格電流 = 300mA。中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 1.3A。入力電圧 = 6 → 36 V dc。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = PWM。用途 = LED照明。パッケージタイプ = MSOP。ピン数 = 8。出力電圧 Max = 36V。出力電圧 Min = -0.3V。定格電流 = 1A。中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 1.25A。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = PWM。最大出力パワー = 1W。パッケージタイプ = TSOT-25。ピン数 = 5。出力電圧 Max = 65V。出力電圧 Min = -0.3V。定格電流 = 1.25A。電力消失 = 1W。自動車規格 = AEC-Q100。中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 1mA。入力電圧 = 7 → 30 V。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = PWM。最大出力パワー = 1W。パッケージタイプ = TSOT-23-5。ピン数 = 5。出力電圧 Max = 30V。出力電圧 Min = -0.3V。定格電流 = 1.25A。電力消失 = 1W。自動車規格 = AEC-Q100。中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

アンプタイプ = 低電圧。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-353。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 1。ピン数 = 5。標準シングル供給電圧 = 2.7 → 5.5 V。標準ゲイン帯域幅積 = 1MHz。標準スルーレート = 1V/μs。動作温度 Max = +85 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 1.35mm。オペアンプ、最大供給電圧5 V、Diodes Inc. Diodesのオペアンプ製品は、汎用機器向けの業界標準部品です。

出力電流 = 1.25A。入力電圧 = 6 → 60 V。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = DC 電圧， PWM。最大出力パワー = 1W。用途 = 自動車用照明、非常灯、産業用照明、住居照明、SELV照明、標識照明。パッケージタイプ = TSOT-25。ピン数 = 5。出力電圧 Max = 60V。出力電圧 Min = -0.3V。定格電流 = 1A。電力消失 = 1W。自動車規格 = AEC-Q100。中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

ダイオード構成 = シリーズ。1チップ当たりのエレメント数 = 2。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3mm。幅 = 1.4mm。高さ = 3mm。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

ダイオード構成 = シリーズ。1チップ当たりのエレメント数 = 2。パッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 1.7mm。幅 = 0.85mm。高さ = 0.8mm。寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

ダイオード構成 = シリーズ。1チップ当たりのエレメント数 = 2。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 2.2mm。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOD-323。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 1.8mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.1mm。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 800 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

最大順方向電流 = 1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 50V。パッケージタイプ = DO-41。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 15pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 5.21mm。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.21mm。直径 = 2.72mm。整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

最大順方向電流 = 3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 1000V。パッケージタイプ = SMC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 50pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.3mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.3mm。整流ダイオード、2 A → 40 A、Diodes Inc

最大順方向電流 = 5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = SMC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 40pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.3mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.3mm。整流ダイオード、2 A → 40 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 220。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

最大順方向電流 = 500mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 75V。パッケージタイプ = SOD-323。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1.25V。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 1.8mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.1mm。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc