動作電圧が1.5Vの標準DDR3モジュールよりも低電圧(1.35V)で動作するU-DIMM
種別ランク:2R×8、DRAM:(512M×8)×16、PCB高:1.18 インチ
規格DDR3L-1600
電圧(V)1.35
ピン数(ピン)240
動作周囲温度(℃)0 (32°F) ~ 85 (185°F)
内蔵RAMDDR4
RoHS指令(10物質対応)対応
容量(GB)8
メモリークロック1600
CASレイテンシーCL11
メモリーインターフェイスUnbuffered Long-DIMM
1個
¥6,698
税込¥7,368
10日以内出荷
動作電圧が1.5Vの標準DDR3モジュールよりも低電圧(1.35V)で動作するU-DIMM
電圧(V)1.35
ピン数(ピン)204
動作周囲温度(℃)0 (32°F) ~ 85 (185°F)
内蔵RAMDDR3
RoHS指令(10物質対応)対応
メモリークロック1600
CASレイテンシーCL11
メモリーインターフェイスUnbuffered SO-DIMM
8GB DDR3 1600 SO-DIMM 2Rx8 512Mx8 CL11 1.5V
1台
¥8,698
税込¥9,568
8日以内出荷
トランセンドのJetRamは有名ブランドのDRAMを使用し、厳格な検査でスクリーニングしたETTグレードのメモリモジュールです。優れた互換性と信頼性を備えているのでPCのアップグレードなどに最適です。最大21GB/sのバンド幅によりデータ伝送効率を高め、2666 MT/sの動作クロックを提供します。また、DDR4メモリは1.2Vで動作でき、メモリコントローラの発熱や電気負荷が低減されるため、動作電圧が1.5Vの標準DDR3メモリと比較して最大40%の消費電力を抑えることができます。
種別ランク:1R×8、DRAM:512M×8、PCB高:1.23 インチ
規格DDR4
電圧(V)1.2
ピン数(ピン)288
動作周囲温度(℃)0 (32°F) ~ 85 (185°F)
内蔵RAMDDR4
RoHS指令(10物質対応)対応
容量(GB)4
メモリークロック2666
CASレイテンシーCL19
メモリーインターフェイスUnbuffered Long-DIMM
1個
¥2,298
税込¥2,528
当日出荷
トランセンドのJetRamは有名ブランドのDRAMを使用し、厳格な検査でスクリーニングしたETTグレードのメモリモジュールです。優れた互換性と信頼性を備えているのでPCのアップグレードなどに最適です。最大21GB/sのバンド幅によりデータ伝送効率を高め、2666 MT/sの動作クロックを提供します。また、DDR4メモリは1.2Vで動作でき、メモリコントローラの発熱や電気負荷が低減されるため、動作電圧が1.5Vの標準DDR3メモリと比較して最大40%の消費電力を抑えることができます。
種別ランク:1R×8、DRAM:512M×8、PCB高:1.18 インチ
規格DDR4-2666
電圧(V)1.2
ピン数(ピン)260
動作周囲温度(℃)0 (32°F) ~ 85 (185°F)
内蔵RAMDDR4
RoHS指令(10物質対応)対応
容量(GB)4
メモリークロック2666
CASレイテンシーCL19
メモリーインターフェイスUnbuffered SO-DIMM
1個
¥2,098
税込¥2,308
当日出荷
トランセンドのJetRamは有名ブランドのDRAMを使用し、厳格な検査でスクリーニングしたETTグレードのメモリモジュールです。優れた互換性と信頼性を備えているのでPCのアップグレードなどに最適です。最大25.6GB/sのバンド幅によりデータ伝送効率を高め、3200 MT/sの動作クロックを提供します。また、DDR4メモリは1.2Vで動作でき、メモリコントローラの発熱や電気負荷が低減されるため、動作電圧が1.5Vの標準DDR3メモリと比較して最大40%の消費電力を抑えることができます。注記: DDR4-3200はDDR4-2933と互換性があります。
種別ランク:1R×8、DRAM:512M×8、PCB高:1.18 インチ
規格DDR4-2933
電圧(V)1.2
ピン数(ピン)260
動作周囲温度(℃)0 (32°F) ~ 85 (185°F)
内蔵RAMDDR4
RoHS指令(10物質対応)対応
容量(GB)4
メモリークロック3200
CASレイテンシーCL22
メモリーインターフェイスUnbuffered SO-DIMM
1個
¥2,098
税込¥2,308
当日出荷
トランセンドのJetRamは有名ブランドのDRAMを使用し、厳格な検査でスクリーニングしたETTグレードのメモリモジュールです。優れた互換性と信頼性を備えているのでPCのアップグレードなどに最適です。最大21GB/sのバンド幅によりデータ伝送効率を高め、2666 MT/sの動作クロックを提供します。また、DDR4メモリは1.2Vで動作でき、メモリコントローラの発熱や電気負荷が低減されるため、動作電圧が1.5Vの標準DDR3メモリと比較して最大40%の消費電力を抑えることができます。
規格DDR4 SDRAM
電圧(V)1.2
保証期間無期限保証
ピン数(ピン)288
動作温度(℃)0(32°F)~85(185°F)
RoHS指令(10物質対応)対応
メモリーモジュール規格PC4-21300
メモリークロック2666
CASレイテンシーCL19
メモリーインターフェイスUnbuffered Long-DIMM
トランセンドのJetRamは有名ブランドのDRAMを使用し、厳格な検査でスクリーニングしたETTグレードのメモリモジュールです。優れた互換性と信頼性を備えているのでPCのアップグレードなどに最適です。最大25.6GB/sのバンド幅によりデータ伝送効率を高め、3200 MT/sの動作クロックを提供します。また、DDR4メモリは1.2Vで動作でき、メモリコントローラの発熱や電気負荷が低減されるため、動作電圧が1.5Vの標準DDR3メモリと比較して最大40%の消費電力を抑えることができます。
規格DDR4 SDRAM
電圧(V)1.2
保証期間無期限保証
ピン数(ピン)260
動作温度(℃)0(32°F)~85(185°F)
RoHS指令(10物質対応)対応
メモリーモジュール規格PC4-25600
メモリークロック3200
CASレイテンシーCL22
メモリーインターフェイスUnbuffered SO-DIMM
トランセンドのJetRamは有名ブランドのDRAMを使用し、厳格な検査でスクリーニングしたETTグレードのメモリモジュールです。優れた互換性と信頼性を備えているのでPCのアップグレードなどに最適です。最大21GB/sのバンド幅によりデータ伝送効率を高め、2666 MT/sの動作クロックを提供します。また、DDR4メモリは1.2Vで動作でき、メモリコントローラの発熱や電気負荷が低減されるため、動作電圧が1.5Vの標準DDR3メモリと比較して最大40%の消費電力を抑えることができます。
規格DDR4 SDRAM
電圧(V)1.2
保証期間無期限保証
ピン数(ピン)260
動作温度(℃)0(32°F)~85(185°F)
RoHS指令(10物質対応)対応
メモリーモジュール規格PC4-21300
メモリークロック2666
CASレイテンシーCL19
メモリーインターフェイスUnbuffered SO-DIMM
トランセンドのJetRamは有名ブランドのDRAMを使用し、厳格な検査でスクリーニングしたETTグレードのメモリモジュールです。優れた互換性と信頼性を備えているのでPCのアップグレードなどに最適です。最大25.6GB/sのバンド幅によりデータ伝送効率を高め、3200 MT/sの動作クロックを提供します。また、DDR4メモリは1.2Vで動作でき、メモリコントローラの発熱や電気負荷が低減されるため、動作電圧が1.5Vの標準DDR3メモリと比較して最大40%の消費電力を抑えることができます。
規格DDR4 SDRAM
電圧(V)1.2
保証期間無期限保証
ピン数(ピン)288
動作温度(℃)0(32°F)~85(185°F)
RoHS指令(10物質対応)対応
メモリーモジュール規格PC4-25600
メモリークロック3200
CASレイテンシーCL22
メモリーインターフェイスUnbuffered Long-DIMM
トランセンドのJetRamは有名ブランドのDRAMを使用し、厳格な検査でスクリーニングしたETTグレードのメモリモジュールです。優れた互換性と信頼性を備えているのでPCのアップグレードなどに最適です。最大21GB/sのバンド幅によりデータ伝送効率を高め、2666 MT/sの動作クロックを提供します。また、DDR4メモリは1.2Vで動作でき、メモリコントローラの発熱や電気負荷が低減されるため、動作電圧が1.5Vの標準DDR3メモリと比較して最大40%の消費電力を抑えることができます。
種別ランク:1Rx16、DRAM:1Gx16、PCB高:1.18インチ
規格DDR4 SDRAM
電圧(V)1.2
保証期間無期限保証
ピン数(ピン)260
動作温度(℃)0(32°F)~85(185°F)
RoHS指令(10物質対応)対応
容量(GB)8
メモリーモジュール規格PC4-21300
メモリークロック2666
CASレイテンシーCL19
メモリーインターフェイスUnbuffered SO-DIMM
1個
¥2,998
税込¥3,298
欠品中
従来の平面NANDとは異なり、3D NANDはメモリセルを積層することで、大容量化を実現しています。平面NANDの限界を打ち破り、優れたパフォーマンスと耐久性を備えています。
M.2フォームファクタType 2242/2260/2280に準拠したトランセンドの3D NAND M.2 SSDはUltrabookや軽量ノートPCでの利用に適しています。わずかなスペースでも取り付けることができ、優れたパフォーマンスを提供します。
M.2規格(80mm)に準拠し、SATA-III 6Gb/sインターフェースを採用したM.2 SSD 830Sは最大560MB/s / 520MB/sの読出し/書込みスピードを実現しています。キャッシュとして使用した場合、従来のハードドライブよりもブート時間が1.5倍速くなります。
4Kランダムリード/ライトが最大90000 IOPSのM.2 SSD 830Sは、ロード時間を短縮し、 高品質のグラフィックやマルチメディアアプリケーションをわずかな時間で処理できます。
M.2フォームファクタはシングルフォームファクタモジュールに機能を拡張できる特徴があります。M.2 SSDは小型のフォームファクタですが、mSATAやHalf-Slim SSDよりも大容量ストレージを提供することも可能です。
M.2 SSD 830SはDDR3 DRAMキャッシュと高度な機能を使用することでSSDのパフォーマンスを強化しています。
SSD ScopeはトランセンドSSDの状態を確認したり、パフォーマンスの最適化を行うことで、劣化を低減させ、長期間故障なく利用するためのソフトウェアです。
仕様【DWPD [1日あたりのドライブ書込み数]】1.33(5 年)
寸法(mm)80.0×22.0×3.58(3.15"×0.87"×0.14")
質量(g)9(0.32oz)
規格M.2 2280
インターフェースバスインターフェース:SATA III 6Gb/s
保証期間5年
フラッシュ3D NANDフラッシュ
動作温度(℃)0(32°F)~70(158°F)
OSMicrosoft Windows 7 以降、Linux Kernel 2.6.31以降
RoHS指令(10物質対応)対応
各種認証CE/FCC/BSMI/KC/RCM/UKCA
動作電圧(V)3.3±5%
MTBF平均故障間隔2000000時間
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