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onsemi ダイオード 表面実装, シリーズ,エレメント数 2 SOT-23, 3-Pin 1.25V onsemionsemi ダイオード 表面実装, シリーズ,エレメント数 2 SOT-23, 3-Pin 1.25Vonsemi
9,898税込10,888
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 : シリーズ●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOT-23●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●最大順方向降下電圧 : 1.25V●動作温度 Min : -65 ℃●動作温度 Max : +150 ℃●長さ : 2.9mm●幅 : 1.3mm●高さ : 0.94mm●寸法 : 0.94 x 2.9 x 1.3mm●メーカー品番がS-から始まる製品は●AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオードアレイ, 単方向, 表面実装, 20V, NUP2201MR6T1G onsemionsemi TVSダイオードアレイ, 単方向, 表面実装, 20V, NUP2201MR6T1Gonsemi
86,980税込95,678
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ : 単方向●最大クランピング電圧 : 20V●最小ブレークダウン電圧 : 6V●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : TSOP●最大逆スタンドオフ電圧 : 5V●ピン数 : 6●ピークパルスパワー消費 : 500W●最大ピークパルス電流 : 25A●ESD保護 : あり●1チップ当たりのエレメント数 : 2●動作温度 Min : -40 ℃●動作温度 Max : +125 ℃mm●最大逆漏れ電流 : 5μA●SLICサージアレスタアレイ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi
17,980税込19,778
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 115 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●パッケージタイプ : SOT-23●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 7.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.5V●最大パワー消費 : 300 mW●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●トランジスタ素材 : Simm●動作温度 Min : -55 ℃mm●ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60VRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 910 mA 表面実装 パッケージSC-88 6 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET20 V 910 mA 表面実装 パッケージSC-88 6 ピンonsemi
45,980税込50,578
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 910 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 : 20 V●パッケージタイプ : SC-88●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 6●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 440 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 1.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 0.6V●最大パワー消費 : 550 mW●最大ゲート-ソース間電圧 : ±12 V●動作温度 Max : +150 ℃mm●高さ : 1mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオードアレイ, 単方向, 表面実装, 20V, NUP2202W1T2G onsemionsemi TVSダイオードアレイ, 単方向, 表面実装, 20V, NUP2202W1T2Gonsemi
119,800税込131,780
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ : 単方向●最大クランピング電圧 : 20V●最小ブレークダウン電圧 : 6V●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOT-363 (SC-88)●最大逆スタンドオフ電圧 : 5V●ピン数 : 6●ピークパルスパワー消費 : 500W●最大ピークパルス電流 : 28A●ESD保護 : あり●1チップ当たりのエレメント数 : 2●動作温度 Min : -40 ℃●寸法 : 2 x 1.25 x 0.9mm●最大逆漏れ電流 : 5μA●SLICサージアレスタアレイ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, スルーホール, BD241CG onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, スルーホール, BD241CGonsemi
2,398税込2,638
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 115 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 40 W●最小DC電流ゲイン : 2.5●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 10.53×4.83×9.28mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 3 A, 2SD1620-TD-E onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 3 A, 2SD1620-TD-Eonsemi
789税込868
1セット(10個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 10 V●パッケージタイプ : PCP●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 1.3 W●最小DC電流ゲイン : 140●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 30 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 6 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, MJD340T4G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, MJD340T4Gonsemi
439税込483
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 500 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 300 V●パッケージタイプ : DPAK (TO-252)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 1.56 W●最小DC電流ゲイン : 30●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 300 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 3 V●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -10 A, MJD2955G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -10 A, MJD2955Gonsemi
4,198税込4,618
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -60 V●パッケージタイプ : DPAK (TO-252)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 20 W●最小DC電流ゲイン : 20●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 70 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●最大動作周波数 : 500 kHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, スルーホール, BU406G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, スルーホール, BU406Gonsemi
3,298税込3,628
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 400 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 60 W●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 6 V●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●このバイポーラトランジスタは、 TV や CRT の水平方向の偏向出力段用の電圧高速トランジスタです。高電圧: VCEV : 330 又は 400 V 高速スイッチング速度: tf : 750 ns (最大) 低飽和電圧: VCE ( sat ) : 1 V (最大) @ 5 A 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, スルーホール, BD787G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, スルーホール, BD787Gonsemi
2,898税込3,188
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 60 V dc●パッケージタイプ : TO-225●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 15 W●最小DC電流ゲイン : 40●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 6 V dc●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 7.8×3×11.1mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -4 A, 2SA2013-TD-E onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -4 A, 2SA2013-TD-Eonsemi
41,980税込46,178
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -4 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -50 V●パッケージタイプ : PCP●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 3.5 W●最小DC電流ゲイン : 200●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : -50 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : -6 V●最大動作周波数 : 360 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 4.5×2.5×1.5mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, NSS60201LT1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, NSS60201LT1Gonsemi
1,698税込1,868
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 60 V dc●パッケージタイプ : SOT-23●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 710 mW●最小DC電流ゲイン : 150●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 8 V dc●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 3.04×1.4×1.01mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -200 mA, MMBT3906LT1G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -200 mA, MMBT3906LT1Gonsemi
399税込439
1袋(50個)
5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -200 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -40 V●パッケージタイプ : SOT-23●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 300 mW●最小DC電流ゲイン : 100●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 40 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 250 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 0.94×2.9×1.3mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, MMUN2113LT3G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, MMUN2113LT3Gonsemi
339税込373
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -50 V●パッケージタイプ : SOT-23●実装タイプ : 表面実装●トランジスタ構成 : シングル●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルPNPトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 1 A, 2SC3646S-TD-E onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 1 A, 2SC3646S-TD-Eonsemi
739税込813
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 1 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●パッケージタイプ : PCP●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 1.3 W●最小DC電流ゲイン : 140200●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 120 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 6 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 8 A, NJVMJD44H11T4G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 8 A, NJVMJD44H11T4Gonsemi
869税込956
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V●パッケージタイプ : DPAK (TO-252)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 20 W●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 10 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 20 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 5 A, 2SC5706-TL-H onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 5 A, 2SC5706-TL-Honsemi
1,498税込1,648
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 50 V●パッケージタイプ : TP-FA●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 15 W●最小DC電流ゲイン : 200●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 6 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 4●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -2 A, NSS60200LT1G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -2 A, NSS60200LT1Gonsemi
2,198税込2,418
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -2 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -60 V●パッケージタイプ : SOT-23●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 540 mW●最小DC電流ゲイン : 150●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : -80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : -7 V●最大動作周波数 : 100 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, NSV1C201MZ4T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, NSV1C201MZ4T1Gonsemi
35,980税込39,578
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●パッケージタイプ : SOT-223 (SC-73)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 2 W●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 7 V dc●ピン数 : 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 6.7×3.7×1.65mm●鉛フリーデバイス 品番の先頭が「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 利点 リードなし 最終製品 ポータブル及びバッテリ駆動製品 用途 電力管理RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -600 mA, MMBT4403LT3G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -600 mA, MMBT4403LT3Gonsemi
26,980税込29,678
1セット(10000個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -600 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -40 V●パッケージタイプ : SOT-23●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 225 mW●最小DC電流ゲイン : 100●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : -40 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : -5 V●最大動作周波数 : 100 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 1 A, BCP56-16T1G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 1 A, BCP56-16T1Gonsemi
26,980税込29,678
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 1 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V●パッケージタイプ : SOT-223 (SC-73)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 1.5 W●最小DC電流ゲイン : 100●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 130 MHz●ピン数 : 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 1.57×6.5×3.5mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 20 A, MJB44H11G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 20 A, MJB44H11Gonsemi
4,798税込5,278
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 20 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V dc●パッケージタイプ : D2PAK (TO-263)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 50 W●最小DC電流ゲイン : 60●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, NST30010MXV6T1G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, NST30010MXV6T1Gonsemi
1,498税込1,648
1セット(25個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -30 V●パッケージタイプ : SOT-563●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 661 mW●最小DC電流ゲイン : 420●トランジスタ構成 : 絶縁型●最大コレクタ-ベース間電圧 : -30 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : -5 V●最大動作周波数 : 100 MHz●ピン数 : 6●1チップ当たりのエレメント数 : 2●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, MJB45H11G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, MJB45H11Gonsemi
6,298税込6,928
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -80 V●パッケージタイプ : D2PAK (TO-263)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 50 W●最小DC電流ゲイン : 60●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●ピン数 : 2 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 1 A, MJD50G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 1 A, MJD50Gonsemi
6,298税込6,928
1セット(75個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 1 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 400 V●パッケージタイプ : DPAK (TO-252)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 15 W●最小DC電流ゲイン : 30●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 500 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 2 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 6.73×6.22×2.38mm●先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -5 A, MJD210T4G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -5 A, MJD210T4Gonsemi
789税込868
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -25 V●パッケージタイプ : DPAK (TO-252)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 12.5 W●最小DC電流ゲイン : 45●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 40 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 8 V●最大動作周波数 : 10 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -3 A, MJD32CG onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -3 A, MJD32CGonsemi
3,998税込4,398
1セット(75個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -100 V●パッケージタイプ : DPAK (TO-252)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 1.56 W●最小DC電流ゲイン : 10●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 3 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 2.38×6.73×6.22mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, スルーホール, BD441G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, スルーホール, BD441Gonsemi
3,198税込3,518
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V dc●パッケージタイプ : TO-225●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 36 W●最小DC電流ゲイン : 40●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 7.8×3×11.1mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 50 mA, PZTA42T1G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 50 mA, PZTA42T1Gonsemi
17,980税込19,778
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 50 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 300 V●パッケージタイプ : SOT-223 (SC-73)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 1.5 W●最小DC電流ゲイン : 40●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 300 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 6 V●最大動作周波数 : 50 MHz●ピン数 : 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 1.57×6.5×3.5mm●先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, スルーホール, BDX53BG onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, スルーホール, BDX53BGonsemi
5,698税込6,268
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V dc●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 65 W●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 10.53×4.83×9.28mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 8 A, 2SC5707-TL-E onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 8 A, 2SC5707-TL-Eonsemi
1,498税込1,648
1袋(5個)
5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 50 V●パッケージタイプ : TP-FA●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 15 W●最小DC電流ゲイン : 200●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 6 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 4●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -600 mA, MMBT2907ALT1G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -600 mA, MMBT2907ALT1Gonsemi
2,098税込2,308
1セット(300個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -600 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -60 V●パッケージタイプ : SOT-23●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 350 mW●最小DC電流ゲイン : 100●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : -60 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : -5 V dc●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 3.04×1.4×1.01mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -5 A, MJD210G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -5 A, MJD210Gonsemi
4,498税込4,948
1セット(75個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -25 V●パッケージタイプ : DPAK (TO-252)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 12.5 W●最小DC電流ゲイン : 45●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 40 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 8 V dc●最大動作周波数 : 10 MHz●ピン数 : 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 6.73×2.38×6.22mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC846BLT1G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC846BLT1Gonsemi
7,298税込8,028
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 65 V●パッケージタイプ : SOT-23●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 300 mW●最小DC電流ゲイン : 200●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 6 V●最大動作周波数 : 100 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -1.5 A, BCP53-16T3G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -1.5 A, BCP53-16T3Gonsemi
569税込626
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -1.5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -80 V●パッケージタイプ : SOT-223 (SC-73)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 1.5 W●最小DC電流ゲイン : 4063100●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : -100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : -5 V●最大動作周波数 : 35 MHz●ピン数 : 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, SBCP56-10T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, SBCP56-10T1Gonsemi
1,398税込1,538
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V dc●パッケージタイプ : SOT-223 (SC-73)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 1.5 W●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●ピン数 : 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 6.7×3.7×1.65mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流ダイオード, 3A, 40V スルーホール, 2-Pin DO-201AD ショットキーバリア 950mV onsemionsemi 整流ダイオード, 3A, 40V スルーホール, 2-Pin DO-201AD ショットキーバリア 950mVonsemi
539税込593
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-201AD●最大連続 順方向電流 : 3A●ピーク逆繰返し電圧 : 40V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●最大順方向降下電圧 : 950mV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキーバリア●直径 : 5.3mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 80A●メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 汎用 整流ダイオード, 1A, 600V スルーホール, 2-Pin CASE 59 onsemionsemi 汎用 整流ダイオード, 1A, 600V スルーホール, 2-Pin CASE 59onsemi
999税込1,099
1袋(100個)
翌々日出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : CASE 59●最大連続 順方向電流 : 1A●ピーク逆繰返し電圧 : 600V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : 汎用●ダイオードタイプ : 整流器●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ピーク逆回復時間 : 300ns●直径 : 2.7mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 30A●メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
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