「1.7mm」の検索結果

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 9.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SC-74。最大逆スタンドオフ電圧 = 5.5V。ピン数 = 6。ピークパルスパワー消費 = 0.22W。最大ピークパルス電流 = 1A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 13。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +85 ℃mm。幅 = 1.7mm。低静電容量ESD保護アレイ

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 189 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.2 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.7mm。高さ = 1.7mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6.3A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1.6 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.7mm。高さ = 1mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 5。論理回路 = TinyLogic HS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -2.6mA。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 2.6mA。幅 = 1.7mm。TinyLogic HS、Fairchild Semiconductor. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 6.0 ESD保護ダイオード

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 2.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TSOP-6。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 142 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 1.4 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET、30 → 500 V

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 460 mA， 680 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω， 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 900 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。高さ = 1mm。デジタルFET、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 6.7 x 3.7 x 1.7mm。小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 6.7 x 3.7 x 1.7mm。小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = CMOS、シングルエンド。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSOP。ピン数 = 6。高レベル出力電流 Max = -32mA。低レベル出力電流 Max = 32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.2 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 1.7mm。NL27Wシリーズ、ON Semiconductor. LVTTL互換の入力及び出力を備えているCMOSロジックゲートであり、74LCXデバイスよりも高速で大きな駆動能力を提供します。. 幅広い動作供給電圧: 1.65 → 5.5 V LVCMOS互換 3.0 Vで24 mAのソース / シンク容量

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 7.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。高さ = 1.7mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 72 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.6 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 270 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrenchR MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造を採用しています。この高度な技術を利用することで、このデバイスのFOM(性能指数)は前世代の製品よりも大幅に低くなっています。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバ回路の除去、または高電圧定格MOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 1.9 A、2.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 130 mΩ， 270 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchRデュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

電圧範囲 = 5.25 V。許容入力 = 225 mW。長さ = 3.1mm。奥行き = 1mm。寸法 = 3.1 x 1.7 x 1 mm。ESD保護付きEMIフィルタ、ON Semiconductor

パッケージタイプ = TSOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.6 W。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.7 x 1mm

チャンネル数 = 1。最大光電流 = 1100μA。最大暗電流 = 100nA。極性 = NPN。ピン数 = 2。実装タイプ = 表面実装。寸法 = 1.7 x 0.8 x 0.6mm。感度スペクトルレンジ = 最大630 nmnm。高さ = 0.6mm。チップLEDフォトトランジスタ光検出器、KDT00030. 人間の目に近いスペクトル応答 幅広い照明範囲、優れた出力線形性 小型筐体: 1.7 x 0.8 mm 低プロファイル: 0.6 mm フィルタ技術を用いたフォトトランジスタ

電源スイッチの種類 = 内蔵負荷。動作供給電圧 Max = 8 V。出力数 = 2A。パワーレーティング = 0.7W。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 6。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 3 x 1.7 x 1mm。統合型ロードスイッチ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 37Ω。最大逆漏れ電流 = 900nA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 2.4V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 94Ω。最大逆漏れ電流 = 45μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 56Ω。最大逆漏れ電流 = 1.8μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 89Ω。最大逆漏れ電流 = 4.5μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 7.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 14Ω。最大逆漏れ電流 = 900nA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 4.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 75Ω。最大逆漏れ電流 = 2.7μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 3.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 84Ω。最大逆漏れ電流 = 4.5μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 3.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 84Ω。最大逆漏れ電流 = 4.5μA。寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 4.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 470 Ω @ 1 mA， 75 Ω @ 5 mA。最大逆漏れ電流 = 2.7μA。寸法 = 1.7 x 1.3 x 1mm。動作温度 Max = +150 ℃V

ピーク波長 = 890nm。パッケージタイプ = T-1 3/4。放射強度 = 70mW/sr。実装タイプ = スルーホール実装。指向半値角 = 16°。LED数 = 1。ピン数 = 2。寸法 = 6.1 Dia. x 8.77mm。LED材質 = AlGaAs。最大供給電圧 = 1.7V

メモリサイズ = 4kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 512 x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.7 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。ワード数 = 512ns

メモリサイズ = 8kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 1 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.7 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。ワード数 = 1Kns。EEPROMシリアルI2C、ON Semiconductor

メモリサイズ = 64kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 8 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.7 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。ワード数 = 8Kns。EEPROMシリアルI2C、ON Semiconductor

最大順方向電流 = 300mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 75V。パッケージタイプ = SOD-523F。ピン数 = 2mV。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 1.3mm。幅 = 0.9mm。高さ = 0.7mm。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm。パワー消費 = 200mW。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード