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onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -10 A, MJD2955G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -10 A, MJD2955Gonsemi
4,198税込4,618
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -60 V●パッケージタイプ : DPAK (TO-252)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 20 W●最小DC電流ゲイン : 20●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 70 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●最大動作周波数 : 500 kHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -6 A, MJD42CT4G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -6 A, MJD42CT4Gonsemi
829税込912
1袋(10個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -6 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 20 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 20 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi
209,800税込230,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 31 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 74 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -24 V, +24 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 8 A, NJVMJD44H11T4G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 8 A, NJVMJD44H11T4Gonsemi
899税込989
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V●パッケージタイプ : DPAK (TO-252)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 20 W●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 10 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 20 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
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