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RoHS10物質対応(5)
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onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥1,698税込￥1,868
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チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 680 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V幅 = 1.3mm高さ = 0.93mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンonsemi￥83税込￥91
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チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 680 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V最大パワー消費 = 900 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V長さ = 3mm動作温度 Min = -55 ℃mmデジタルFET、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥1,698税込￥1,868
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仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。長さ(mm)2.92ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)350チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)680最大ドレイン-ソース間電圧(V)25最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)450最小ゲートしきい値電圧(V)0.65最大ゲート-ソース間電圧(V)8トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンonsemi￥83税込￥91
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.65V●最大連続ドレイン電流：680 mA●標準ゲートチャージ @ Vgs：1.64 nC @ 4.5 Vピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性デジタルFET、Fairchild SemiconductorパッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)900チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)25最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)450最大ゲート-ソース間電圧(V)8トランジスタ構成絶縁型最小動作温度(℃)-55
onsemi N， Pチャンネル MOSFET25 V 460 mA， 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンonsemi￥149税込￥164
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チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 460 mA， 680 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω， 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V最大パワー消費 = 900 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.7mm高さ = 1mmデジタルFET、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
