「4h 袋」の検索結果

論理回路 = 74HCロジックタイプ = Dフリップフロップ入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = CMOS、LSTTL、NMOS、TTL出力信号タイプ = Dタイプフリップフロップトリガータイプ = 正エッジ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14セット/リセット = セット / リセット1チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 150ns動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4.5mm

論理回路 = 74HC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 7.2mA低レベル出力電流 Max = 7.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 45 ns@ 150 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 7.59mm74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

論理回路 = LSTTLロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 4シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 180 ns @ 50 pF寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm幅 = 4.5mm74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = AC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7500 V ac最大電流変換率 = 100%シリーズ = H11AAオプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途

パッケージタイプ = TSSOPロジックタイプ = シフトレジスターステージ数 = 8論理回路 = 74HC実装タイプ = 表面実装動作/操作モード = シリアル to パラレルエレメント数 = 1ピン数 = 16動作供給電圧 Min = 2 V動作供給電圧 Max = 6 V寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mmトリガータイプ = 正エッジ74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HCロジックタイプ = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 18回路数 = 8極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20入力レベル = CMOS出力レベル = CMOS高レベル出力電流 Max = -35mA低レベル出力電流 Max = 35mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 135ns幅 = 7.595mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = HCロジックタイプ = バッファ， ドライバ， 非反転バッファ回路数 = 1出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 120ns寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 10pF

論理回路 = HCロジックタイプ = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 1回路数 = 8極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC Wピン数 = 20入力レベル = CMOS出力レベル = CMOS高レベル出力電流 Max = -7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 96 ns @ 2 V寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HCロジックタイプ = バッファ回路数 = 4入力タイプ = ショットキー出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 163ns寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 150pF74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = HCロジックタイプ = バッファ， ラインドライバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC Wピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 165 ns @ 2 V寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 150pF74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ シュミット トリガー入力タイプ = CMOS出力タイプ = CMOS1チップ当たりのエレメント数 = 6最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 188 ns @ 50 pF高レベル出力電流 Max = -5.2mA低レベル出力電流 Max = 4mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 74HC寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm幅 = 4mmMM74HC14 は、 Advanced Silicon Gate CMOS テクノロジーを使用することで、標準 CMOS の低電力損失と高ノイズ耐性を実現するだけでなく、 10 LS-TTL 負荷を駆動できます。74HC ロジックファミリは、標準 74LS ロジックファミリと機能的かつピン配列が互換性があります。VCC とアースに内蔵ダイオードクランプを印加することにより、すべての入力が静電気放電によって損傷から保護されます。標準伝搬遅延： 13 ns 広い電源範囲： 2 → 6 V 低静止電流：最大 20 μ A (74HC シリーズ ) 低入力電流：最大 1 μ A LS-TTL 負荷 10 個のファンアウト 標準ヒステリシス電圧： 0.9 V @ VCC = 4.5 V 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125 ns @ 2 V， 21 ns @ 6 V， 25 ns @ 4.5 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA低レベル出力電流 Max = 5.2mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 20 ns @ 5 V高レベル出力電流 Max = -4.8mA低レベル出力電流 Max = 4.8mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HCT寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 4mm74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 6 V， 18 ns @ 4.5 V， 90 ns @ 2 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = HCラッチモード = 透明ラッチエレメント = Dタイプビット数 = 8bit出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm高さ = 2.4mm長さ = 12.95mm幅 = 7.6mm74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 113ns動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 121 ns @ 2 V， 20 ns @ 6 V， 24 ns @ 4.5 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HCT動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -4.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 5 V動作供給電圧 Min = 4.5 V低レベル出力電流 Max = 4.8mA幅 = 4mm74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

論理回路 = 74HCラッチモード = 透明ラッチエレメント = Dタイプビット数 = 8bit出力タイプ = 3ステート実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20寸法 = 13.005 x 7.595 x 2.642mm高さ = 2.642mm長さ = 13.01mm幅 = 7.595mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = OR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125ns動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ出力タイプ = LSTTL1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = なし最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 105 ns @ 50 pF高レベル出力電流 Max = -5.2mA低レベル出力電流 Max = 5.2mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = LS寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4mm74HCUファミリ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック(バッファなし) 供給電圧Vcc範囲: 2.0 → 6.0 V シンク又はソース: 4 mA @ Vcc = 4.5 V ESD保護は、JESD22の200 Vマシンモデル(A115-A)、2000 V人体モデル(A114-A)、1000 V帯電デバイスモデルに対応

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10 x 6.198 x 1.499mm動作供給電圧 Max = 6 V動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Max = 6 V動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = HCTロジックタイプ = D タイプ入力タイプ = CMOS出力タイプ = TTL実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 141チップ当たりのエレメント数 = 2最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 36 ns @ 50 pF寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm幅 = 4mm74HCTファミリ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

論理回路 = HCTロジックタイプ = バッファ回路数 = 9入力タイプ = CMOS出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 6mA低レベル出力電流 Max = 6mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 38 ns @ 50 pF寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm動作供給電圧 Min = 4.5 V伝播遅延テスト条件 = 50pF