「DC3V」の検索結果

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 10 A dc最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dcパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 100最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V dc幅 = 4.9mm

トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 25 A (連続)， 40 A (ピーク)最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dcパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 15最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V dc最大コレクタカットオフ電流 = 1mA幅 = 4.9mmこのバイポーラトランジスタは、汎用パワーアンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。TIP35A 、 TIP35B 、 TIP35C ( NPN )、 TIP36A 、 TIP36B 、 TIP36C ( PNP )は補助装置です。コレクタ電流： 25 A 低漏洩電流： ICEO = 1.0 mA @ 30 及び 60 V 優れた DC ゲイン hFE = 40 (標準) @ 15 A 高電流ゲイン帯域幅製品 鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 10 A (連続)， 15 A (ピーク)最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dcパッケージタイプ = TO-218実装タイプ = スルーホールピン数 = 3回路構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 20最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V dc最大コレクタカットオフ電流 = 0.7mA幅 = 4.9mm

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V dcパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmこのバイポーラトランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途で使用するように設計されています。TIP31 、 TIP31A 、 TIP31B 、 TIP31C 、( NPN )、 TIP32 、 TIP32A 、 TIP32B 、 TIP32C 、( PNP )は相補的な装置ですコレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE ( sat ) = 1.2 V dc (最大) @ IC = 3.0 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 - VCEO (調査) = 60 V dc (最小) - TIP31A 、 TIP32A = 80 V dc (最小) - TIP31B 、 TIP32B = 100 V dc (最小) - TIP31C 、 TIP32C 高電流ゲイン帯域幅製品フィート = 3.0 MHz (最小) @ IC = 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 W最小DC電流ゲイン = 15， 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 1100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 15 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmFairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.7 x 3.7 x 1.7mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 300トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.5 x 3.5 x 1.6mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 65 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dcピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = Mini-Flat入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms最大電流変換率 = 1200%標準降下時間 = 3μsシリーズ = FODMオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MFP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 160%標準降下時間 = 3μsシリーズ = HMHAオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = MFP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = HMHAオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 10000最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 100nA幅 = 1.4mmダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.3Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = Mini-Flat入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 200 mA最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = HMHA特殊機能 = デジタルロジック入力、マイクロプロセッサ入力、電話回線レシーバオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.73 x 2.38 x 6.22mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。

トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 1.2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 4000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.0001mA幅 = 1.3mmダーリントントランジスタ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 1000最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3.5 V dc最大コレクタカットオフ電流 = 10μA寸法 = 10.63 x 4.9 x 16.12mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = WDFN実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.5 W最小DC電流ゲイン = 250トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V dcピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2 x 2 x 0.75mm

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SC-59実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V dcピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm

出力電流 = 1.6A入力電圧 = 3 → 5.5 V dcAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM用途 = ビルボードディスプレイ、汎用ディスプレイ、機器ディスプレイ、大テント用ディスプレイパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 24出力電圧 Max = 5.5V出力電圧 Min = 0.4V定格電流 = 150mA先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor リニア LED ドライバ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 15.8 x 5 x 20.1mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dcピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm

ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC寸法 = 10 x 4 x 1.75mm動作温度 Min = -55 ℃MC14051B 、 MC14052B 、および MC14053B アナログマルチプレクサは、デジタル制御のアナログスイッチです。MC14051B は、 SP8T ソリッドステートスイッチ、 MC14052B DP4T 、および MC14053B トリプル SPDT を効果的に実装しています。3 つのデバイスはすべて、低オンインピーダンスと非常に低いオフ漏洩電流を特長としています。完全な供給電圧範囲までのアナログ信号を制御できます。制御入力のトリプルダイオード保護 スイッチ機能はブレークビフォアメイクです 供給電圧範囲： 3.0 → 18 V dc アナログ電圧範囲( VDD - VEE ) = 3.0 → 18 V (注意)： VEE< は VSS にする必要があります 線形化された転送特性 低ノイズ - 12 nV/sqrt.Cycle， f< = 1.0 kHz 標準 CD4051 、 CD4052 、および CD4053 のピン間交換 4PDT スイッチについては、 MC14551B を参照してください 低 RON の場合は、 HC4051 、 HC4052 、または HC4053 高速 CMOS デバイスを使用します 鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm