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onsemi NPN ダーリントントランジスタ， 50 V， 500 mA， 16-Pin SOIConsemi

￥699税込￥769

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onsemi コンパレータ， 5 → 28 V，オープンコレクタ出力表面実装， 14-Pin SOIConsemi

￥519税込￥571

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仕様●コンパレータタイプ：汎用●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●電源タイプ： ±2電源，単一電源●出力タイプ：オープンコレクタ●回路数： 4●標準応答時間： 1.3μs●ピン数： 14●標準シングル供給電圧： 5 → 28 V●寸法： 8.75 x 4 x 1.5mm●長さ： 8.75mm●幅： 4mm●高さ： 1.5mm●標準デュアル供給電圧： ±12 V， ±15 V， ±3 V， ±5 V， ±9 V●コンパレータ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi 変調器 / 復調器 IC， 300MHz， 14-Pin SOIConsemi

￥469税込￥516

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デバイスタイプ = モジュレータ/デモジュレータモジュレーションタイプ = バランス最大I/Q周波数 = 300MHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14最大供給電流 = 5 mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.75mm高さ = 1.75mm長さ = 8.75mm幅 = 4mmMC1496平衡変調器 / 復調器. MC1496 平衡変調器 / 復調器の出力電圧は、入力電圧(信号)とスイッチング機能(搬送波)から得られます。. 搬送波抑圧: -65 dB @ 0.5 MHz、-50 dB @ 10 MHz 調整可能なゲイン及び信号処理平衡入力 / 出力コモンモード除去: -85 dB (標準) 動作温度範囲: 0 → +70 ℃ ( MC1496 )、-40 → +125 ℃ ( MC1496B ) 用途: 抑圧搬送波 / 振幅変調、同期検出、FM検出、相検出 RS製品コード； 787-8715 787-8715 : MC1496BDG ； 787-8712 787-8712 : MC1496DR2G ； 787-8718 787-8718 : MC1496BDR2G

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 3.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥959税込￥1,055

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：3.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：5.1 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)31チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)107最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成絶縁型

onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥729税込￥802

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333●標準ゲートチャージ @ Vgs：26 nC @ 4.5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 18 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥2,698税込￥2,968

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：18 A幅(mm)3.9高さ(mm)1.575ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)5チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 18.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥1,398税込￥1,538

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：18.5 A幅(mm)3.9ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)2.5チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 6.1 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥2,698税込￥2,968

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仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)5チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)6.1最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)58.8最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ19 nC @ 10 V

onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 13 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥1,098税込￥1,208

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：13 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル

onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 13.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥1,198税込￥1,318

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：13.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：86 nC @ 4.5 Vピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

デコーダ onsemi， 16ピン SOIConsemi

￥339税込￥373

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仕様74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS寸法(mm)10×4×1.5ピン数(ピン)16RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOIC実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)6最大動作温度(℃)85最小動作温度(℃)-40

onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 8.8 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥1,498税込￥1,648

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仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)1.57ピン数(ピン)8動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)2.5チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)8.8最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)35最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET80 V 4.7 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥1,998税込￥2,198

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：4.7 A高さ(mm)1.575ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電パッケージSOIC実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプN最大パワー消費(W)1.6、2チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)80最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)82最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成絶縁型

onsemi MOSFETゲートドライバ 350 mA 、 650 mA SOIC 6 20-Pin ハイ/ローサイド反転表面実装onsemi

￥959税込￥1,055

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仕様3相ハーフブリッジMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor出力電流(mA)350 、 650ピン数(ピン)20極性反転RoHS指令(10物質対応)対応供給電圧(V)20パッケージSOIC実装タイプ表面実装ブリッジタイプハーフブリッジドライバ数3トポロジーハイ/ローサイド高/低サイド依存性独立出力数6

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 6 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥2,698税込￥2,968

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仕様PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電長さ(mm)5高さ(mm)1.5ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)1.6チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)0.25最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)44最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成絶縁型

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 11.2 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥569税込￥626

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：11.2 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)5材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)17最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi PWMコントローラ IC， 8-Pin SOPonsemi

￥1,798税込￥1,978

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仕様●PWM コントローラタイプ：電流モード●コントロール方法：電流●フライバック / フォワードPWMコントローラ、Fairchild Semiconductor幅(mm)3.9寸法(mm)4.9×3.9×1.75高さ(mm)1.75出力電圧(V)4.5出力電流(mA)150ピン数(ピン)8動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応スイッチング周波数(kHz)最大190降下時間(ns)120

onsemi MOSFETゲートドライバ 0.18 A SOIC 2 8-Pin ハイ/ローサイド非反転表面実装onsemi

￥1,898税込￥2,088

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様ハーフブリッジMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductorタイプロジック：TTLピン数(ピン)8極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応出力電流0.18 A供給電圧(V)20実装タイプ表面実装ブリッジタイプハーフブリッジドライバ数2トポロジーハイ/ローサイド高/低サイド依存性シンクロナス出力数2

onsemi シフトレジスタ 74HCシリーズ 8ステージシフトレジスター単方向， 16-Pin SOIC 1 74onsemi

￥359税込￥395

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仕様●ロジックタイプ：シフトレジスター●動作/操作モード：シリアル，パラレル●論理回路：74HC寸法(mm)10×4×1.5ピン数(ピン)16RoHS指令(10物質対応)対応特性74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSパッケージSOIC実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)6、(Min) 2エレメント数1ステージ数8最大動作温度(℃)85

onsemi CMOS バッファ反転， 20ピン SOIConsemi

￥3,998税込￥4,398

1セット(36個)

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仕様74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、論理回路：CMOSタイプロジック：バッファ入力種類LS-TTLチャンネル数8ピン数(ピン)20極性反転動作温度(℃)(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)7.8高レベル出力電流(mA)(Max)7.8最大伝播遅延時間@最大CL190 ns @ 50 pFシュミットトリガー入力なし出力タイプ3ステート

onsemi MOSFETゲートドライバ ±10.6 A， ±11.4 A SOIC 2 8-Pin ローサイド非反転表面実装onsemi

￥2,198税込￥2,418

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仕様ロジックタイプ：TTL出力電流(A)±10.6 ， ±11.4ピン数(ピン)8極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応特性ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor供給電圧(V)18パッケージSOIC実装タイプ表面実装ブリッジタイプフルブリッジドライバ数1トポロジーローサイド高/低サイド依存性シンクロナス出力数2

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 15 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥699税込￥769

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1.2V●最大連続ドレイン電流：15 A幅(mm)4シリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 13 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥769税込￥846

1箱(5個)

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：13 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：21 nC @ 5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 3.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥1,898税込￥2,088

1箱(25個)

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仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A長さ(mm)5シリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)2チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.5最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成絶縁型

onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 6.9 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥959税込￥1,055

1箱(5個)

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：6.9 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：29 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrench(R) MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造をパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)1600チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)22最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成絶縁型

onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 6 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥999税込￥1,099

1箱(5個)

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.25●標準ゲートチャージ @ Vgs：7.7 nC @ 5 Vピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)29最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成絶縁型最小動作温度(℃)-55

onsemi 電源スイッチIConsemi

￥2,498税込￥2,748

1セット(20個)

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仕様統合型ロードスイッチ、Fairchild Semiconductor寸法(mm)3×1.7×1ピン数(ピン)6動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)8パワーレーティング(W)0.7電源スイッチの種類内蔵負荷動作電流(A)最大2.5

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 11.6 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥649税込￥714

1箱(5個)

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1.2V●最大連続ドレイン電流：11.6 Aピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)10最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 7 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥899税込￥989

1箱(5個)

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.2916666667●標準ゲートチャージ @ Vgs：15 nC @ 5 V高さ(mm)1.5ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrench(R) MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造をパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)23最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成絶縁型

onsemi MOSFETゲートドライバ ±10.6 A， ±11.4 A SOIC 2 8-Pin ローサイド非反転表面実装onsemi

￥1,798税込￥1,978

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様ロジックタイプ：CMOS出力電流(A)±10.6 ， ±11.4ピン数(ピン)8極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応特性ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor供給電圧(V)18パッケージSOIC実装タイプ表面実装ブリッジタイプフルブリッジドライバ数1トポロジーローサイド高/低サイド依存性シンクロナス出力数2

onsemi MOSFETゲートドライバ 0.65 A SOIC 2 8-Pin ハイ/ローサイド反転，非反転表面実装onsemi

￥1,598税込￥1,758

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様ハーフブリッジMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor出力電流(A)0.65ピン数(ピン)8極性反転，非反転RoHS指令(10物質対応)対応供給電圧(V)20パッケージSOIC実装タイプ表面実装ブリッジタイプハーフブリッジドライバ数2トポロジーハイ/ローサイド高/低サイド依存性シンクロナス出力数2

onsemi N， Pチャンネル MOSFET30 V 7.3 A、8.6 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥999税込￥1,099

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：7.3 A、8.6 A長さ(mm)5シリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， P最大パワー消費(mW)1600チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)17 ， 21最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 、-20 、+20 、+25トランジスタ構成絶縁型

onsemi 基準電圧IC，出力：2.5 - 36V 表面実装可変， 3ピン， LM431SCCM3Xonsemi

￥2,298税込￥2,528

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仕様電圧リファレンス、調節可能、Fairchild Semiconductor. このFairchild Semiconductorの低電力、低電流用途向けシャントレギュレータは、調整可能 / プログラム可能な出力電圧と優れた熱安定性を特長としています。このシャントレギュレータは、低ダイナミック出力インピーダンスと高速ターンオン応答特性を備え、産業用使用温度範囲で動作します。寸法2.92 x 1.3 x 0.93mm出力電圧(V)(Min)2.5 (カソード) 、(Max)36公称電圧(V)2.5 - 36出力電流(mA)(Max)100ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-25RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装トポロジーシャント立ち上がり精度(%)±0.5基準タイプ可変

onsemi MOSFETゲートドライバ -5 A 、 5 A SOIC 2 8-Pin ローサイド非反転表面実装onsemi

￥1,598税込￥1,758

1箱(5個)

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仕様ロジックタイプ：TTL出力電流(A)-5 、 5ピン数(ピン)8極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応特性ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor供給電圧(V)18パッケージSOIC実装タイプ表面実装ドライバ数2トポロジーローサイド高/低サイド依存性独立、同期出力数2

onsemi N， Pチャンネル MOSFET60 V 3.5 A、4.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥139,800税込￥153,780

1リール(2500個)

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仕様PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している幅(mm)4高さ(mm)1.5ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， P最大パワー消費(W)2チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.5 、4.5最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)55105最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成絶縁型

onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 6.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥579税込￥637

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.6V●最大連続ドレイン電流：6.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：6.2 nC @ 4.5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)30最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10トランジスタ構成絶縁型

onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 11 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥1,798税込￥1,978

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仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷シリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプP最大パワー消費(W)2.5チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)11最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成シングル

onsemi オーディオアンプ IC コンパンダ表面実装 SA575DTBGonsemi

￥389税込￥428

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仕様●アンプタイプ：コンパンダ●実装タイプ：表面実装●回路数： 2●パッケージタイプ： TSSOP●ピン数： 20●動作温度 Max ： +85 ℃mm●特殊オーディオアンプ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi 74HCシリーズフリップフロップ表面実装 2→ 6 V， 20-Pin SOIConsemi

￥899税込￥989

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仕様●74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS●セット/リセット：リセット●論理回路：74HCタイプロジック：D タイプ入力CMOSピン数(ピン)20トリガー正エッジ極性非反転動作温度(℃)(Max)+85実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)61チップ当たりのエレメント数8最大伝播遅延時間@最大CL170ns出力タイプLSTTL

onsemi MOSFETゲートドライバ 3 A SOIC 2 8-Pin ローサイド非反転表面実装onsemi

￥1,898税込￥2,088

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仕様ロジックタイプ：TTLピン数(ピン)8極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応特性ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor出力電流0.125供給電圧(V)18パッケージSOIC実装タイプ表面実装ドライバ数2トポロジーローサイド出力数2

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