「MLP」の検索結果

ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MLP寸法 = 3 x 3 x 0.75mm動作温度 Max = +85 ℃アナログスイッチ、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = UltraFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6mm動作温度 Min = -55 ℃mmUltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMLP寸法 = 1.8 x 2.6 x 0.5mm動作温度 Max = +85 ℃アナログスイッチ、Fairchild Semiconductor

I/Oチャンネル数 = 8インターフェース = I2Cピン数 = 16パッケージタイプ = UMLPクロック周波数 = 400kHz実装タイプ = 表面実装最大供給電圧 = 3.6 V最小供給電圧 = 1.65 VFairchild Semiconductor シリアル入出力ペリフェラル

電源スイッチの種類 = USBオン抵抗 = 9Ω動作供給電圧 Max = 4.4 V出力数 = 1実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMLPピン数 = 16動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 1.8 x 2.6 x 0.5mmUSBパワースイッチ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = FXMA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMLPピン数 = 8寸法 = 1.4 x 1.2 x 0.525mm低レベル出力電流 Max = 50mA高レベル出力電流 Max = -50mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1.65 V動作温度 Min = -40 ℃電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = QFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 42000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 3mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。

ピン数 = 10実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMLP寸法 = 1.4 x 1.8 x 0.5mm動作温度 Min = -40 ℃USBスイッチ、Fairchild Semiconductor