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onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A, 800V, 8.51 x 6.5 x 3.3mm, DF08S onsemionsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A, 800V, 8.51 x 6.5 x 3.3mm, DF08Sonsemi
599税込659
1袋(5個)
5日以内出荷
ピーク平均順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SDIPピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 8.51 x 6.5 x 3.3mm幅 = 6.5mmULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:2, トランジスタ出力, MCT62 onsemionsemi フォトカプラ, スルーホール実装 チャンネル数:2, トランジスタ出力, MCT62onsemi
689税込758
1袋(5個)
5日以内出荷
実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5 kVrms最小電流伝送率 = 100%シリーズ = MCTオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, トランジスタ出力, MOC213R2M onsemionsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, トランジスタ出力, MOC213R2Monsemi
1,298税込1,428
1袋(20個)
5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3.2μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 2500 V ac標準降下時間 = 4.7μsシリーズ = MOCオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi PWMコントローラ IC, 8-Pin SOP onsemionsemi PWMコントローラ IC, 8-Pin SOPonsemi
849税込934
1袋(5個)
5日以内出荷
最大スイッチング周波数 = 190 kHz出力電圧 = 7.5 Vコントロール方法 = 電流降下時間 = 120nsパッケージタイプ = SOPnsピン数 = 8寸法 = 5 x 4 x 1.5mmPWM コントローラタイプ = 電流モードmm幅 = 4mm高さ = 1.5mm動作温度 Min = -40 ℃フライバック / フォワードPWMコントローラ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, トランジスタ出力, MOC207R2M onsemionsemi フォトカプラ, 表面実装 チャンネル数:1, トランジスタ出力, MOC207R2Monsemi
629税込692
1袋(5個)
5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3.2μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 2.5 kVrms最大電流変換率 = 200%標準降下時間 = 4.7μsシリーズ = MOCオプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ロジックゲート, AND, 表面実装, 2-入力, 74 onsemionsemi ロジックゲート, AND, 表面実装, 2-入力, 74onsemi
4,498税込4,948
1セット(55個)
5日以内出荷
ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = VHC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 8mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 1.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET20 V 1.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi
63,980税込70,378
1セット(3000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 115 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
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