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onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATAonsemi
299税込329
1袋(10個)
3日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ABU onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ABUonsemi
299税込329
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)75トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)300最大パワー消費625 mW
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATF onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATFonsemi
18,980税込20,878
1リール(2000個)
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V寸法(mm)5.2×4.19×5.33ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)75トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ABU onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ABUonsemi
299税込329
1袋(10個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATAonsemi
299税込329
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V寸法(mm)5.2×4.19×5.33ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)75トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)300最大パワー消費625 mW
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATFR onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATFRonsemi
3,198税込3,518
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)75トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATFR onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATFRonsemi
3,198税込3,518
1袋(200個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2211LT3G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2211LT3Gonsemi
319税込351
1袋(25個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = 1mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATF onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, PN2222ATFonsemi
3,198税込3,518
1袋(200個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN2233T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN2233T1Gonsemi
399税込439
1袋(25個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = 0.12mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2215LT1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2215LT1Gonsemi
1,698税込1,868
1袋(200個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 400 mWトランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = なしmm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. シングル抵抗デジタルトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2231LT1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2231LT1Gonsemi
1,798税込1,978
1袋(200個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 400 mWトランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2211LT1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2211LT1Gonsemi
9,798税込10,778
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = 1mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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