「blt-1」の検索結果

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 9.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 17Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 3.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 225 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3最大ツェナーインピーダンス = 24Ω最大逆漏れ電流 = 15μA寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 2.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 75μA寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 16V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 7.8mA最大ツェナーインピーダンス = 17Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 14V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 225 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 9mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52xxBシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOT-23

標準ツェナー電圧 = 10V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 225 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3最大ツェナーインピーダンス = 17Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングルV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータピン数 = 3テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 2000Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm自動車規格 = AEC-Q101mA

ダイオード構成 = シングルV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータピン数 = 3テスト電流 = 5.2mA最大ツェナーインピーダンス = 600Ω最大逆漏れ電流 = 250nA寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm自動車規格 = AEC-Q101mA