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RoHS10物質対応(3)
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onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピンonsemi￥329税込￥362
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)3動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)500最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5最大ゲートしきい値電圧(V)3最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費830 mW
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピンonsemi￥329税込￥362
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翌々日出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 500 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： TO-92●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 3V●最低ゲートしきい値電圧 ： 0.8V●最大パワー消費 ： 830 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は●Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは●オンステート抵抗を最小限に抑え●頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 500 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピンonsemi￥329税込￥362
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チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 830 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.19mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
