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onsemi ツェナーダイオード 7.5V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 7.5V 表面実装 200 mWonsemi
1,598税込1,758
1袋(200個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 7.5V<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />最大パワー消費 = 200 mW<br />パッケージタイプ = SOD-323F<br />ツェナー電圧許容性 = 2%<br />ピン数 = 2<br />テスト電流 = 5mA<br />最大ツェナーインピーダンス = 14Ω<br />最大逆漏れ電流 = 900nA<br />寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm<br />動作温度 Max = +150 ℃<br />ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 4.7V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 4.7V 表面実装 200 mWonsemi
1,398税込1,538
1セット(200個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 4.7V<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />最大パワー消費 = 200 mW<br />パッケージタイプ = SOD-323F<br />ツェナー電圧許容性 = 2%<br />ピン数 = 2<br />テスト電流 = 5mA<br />最大ツェナーインピーダンス = 75Ω<br />最大逆漏れ電流 = 2.7μA<br />寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm<br />動作温度 Max = +150 ℃<br />ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 3.6V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 3.6V 表面実装 200 mWonsemi
1,498税込1,648
1セット(200個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 3.6V<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />最大パワー消費 = 200 mW<br />パッケージタイプ = SOD-323F<br />ツェナー電圧許容性 = 2%<br />ピン数 = 2<br />テスト電流 = 5mA<br />最大ツェナーインピーダンス = 84Ω<br />最大逆漏れ電流 = 4.5μA<br />寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm<br />動作温度 Max = +150 ℃<br />ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 3.6V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 3.6V 表面実装 200 mWonsemi
1,398税込1,538
1セット(200個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 3.6V<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />最大パワー消費 = 200 mW<br />パッケージタイプ = SOD-323F<br />ツェナー電圧許容性 = 5%<br />ピン数 = 2<br />テスト電流 = 5mA<br />最大ツェナーインピーダンス = 84Ω<br />最大逆漏れ電流 = 4.5μA<br />寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm<br />動作温度 Max = +150 ℃<br />ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 5.1V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 5.1V 表面実装 200 mWonsemi
1,498税込1,648
1セット(200個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 5.1V<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />最大パワー消費 = 200 mW<br />パッケージタイプ = SOD-323F<br />ツェナー電圧許容性 = 2%<br />ピン数 = 2<br />テスト電流 = 5mA<br />最大ツェナーインピーダンス = 56Ω<br />最大逆漏れ電流 = 1.8μA<br />寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm<br />動作温度 Max = +150 ℃<br />ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 3.3V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 3.3V 表面実装 200 mWonsemi
13,980税込15,378
1セット(3000個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 3.3V<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />最大パワー消費 = 200 mW<br />パッケージタイプ = SOD-323F<br />ツェナー電圧許容性 = 2%<br />ピン数 = 2<br />テスト電流 = 5mA<br />最大ツェナーインピーダンス = 89Ω<br />最大逆漏れ電流 = 4.5μA<br />寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm<br />動作温度 Max = +150 ℃<br />ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 15V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 15V 表面実装 200 mWonsemi
1,398税込1,538
1袋(200個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 15V<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />最大パワー消費 = 200 mW<br />パッケージタイプ = SOD-323F<br />ツェナー電圧許容性 = 2%<br />ピン数 = 2<br />テスト電流 = 5mA<br />最大ツェナーインピーダンス = 28Ω<br />最大逆漏れ電流 = 45nA<br />寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm<br />動作温度 Max = +150 ℃<br />ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 5.6V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 5.6V 表面実装 200 mWonsemi
1,598税込1,758
1袋(200個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 5.6V<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />最大パワー消費 = 200 mW<br />パッケージタイプ = SOD-323F<br />ツェナー電圧許容性 = 2%<br />ピン数 = 2<br />テスト電流 = 5mA<br />最大ツェナーインピーダンス = 37Ω<br />最大逆漏れ電流 = 900nA<br />寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm<br />動作温度 Max = +150 ℃<br />ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 2.4V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 2.4V 表面実装 200 mWonsemi
1,398税込1,538
1セット(200個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 2.4V<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />最大パワー消費 = 200 mW<br />パッケージタイプ = SOD-323F<br />ツェナー電圧許容性 = 2%<br />ピン数 = 2<br />テスト電流 = 5mA<br />最大ツェナーインピーダンス = 94Ω<br />最大逆漏れ電流 = 45μA<br />寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm<br />動作温度 Max = +150 ℃<br />ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 15V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 15V 表面実装 200 mWonsemi
1,398税込1,538
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)10物質対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大パワー消費(mW)200最大逆漏れ電流(nA)45ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)28
onsemi ツェナーダイオード 4.7V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 4.7V 表面実装 200 mWonsemi
1,398税込1,538
1セット(200個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)10物質対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大逆漏れ電流(μA)2.7最大パワー消費(mW)200ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)75
onsemi ツェナーダイオード 5.6V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 5.6V 表面実装 200 mWonsemi
1,598税込1,758
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)10物質対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大パワー消費(mW)200最大逆漏れ電流(nA)900ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)37
onsemi ツェナーダイオード 3.6V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 3.6V 表面実装 200 mWonsemi
1,498税込1,648
1セット(200個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)10物質対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大逆漏れ電流(μA)4.5最大パワー消費(mW)200ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)84
onsemi ツェナーダイオード 5.1V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 5.1V 表面実装 200 mWonsemi
1,498税込1,648
1セット(200個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)10物質対応実装タイプ表面実装テスト電流(mA)5最大逆漏れ電流(μA)1.8最大パワー消費(mW)200ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)56
onsemi ツェナーダイオード 3.3V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 3.3V 表面実装 200 mWonsemi
1,598税込1,758
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)10物質対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大逆漏れ電流(μA)4.5最大パワー消費(mW)200ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)89ツェナー電圧(V)標準3.3
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