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実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトトライアック最大順方向電圧 = 1.5Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = AC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5300 Vrms論理出力 = ありシリーズ = MOCオプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

標準ツェナー電圧 = 24V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 10.5mA最大ツェナーインピーダンス = 25Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 20Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 750mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25AON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオード

標準ツェナー電圧 = 30V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = ケース017AAツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 2テスト電流 = 40mA最大ツェナーインピーダンス = 140 Ω @ 1 mA， 8 Ω @ 40 mA最大逆漏れ電流 = 3.7μA寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃A

標準ツェナー電圧 = 39V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 30mA最大ツェナーインピーダンス = 14Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。

標準ツェナー電圧 = 51V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 27Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。

標準ツェナー電圧 5.6V1チップ当たりのエレメント数 1最大パワー消費 5 Wパッケージタイプ DO-15ツェナータイプ 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 5%ピン数 2テスト電流 220mA最大ツェナーインピーダンス 1Ω最大逆漏れ電流 1μA寸法 8.89 3.68 3.68mm動作温度 Min -65 ℃ON Semiconductor ツェナーダイオード W Surmetic 1N5333 1N5346シリーズ. ON Semiconductorの1N53シリーズは、Surmetic40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、軸方向リードのトランスファー成形プラスチックパッケージの中に入っており、一般的なあらゆる環境条件から保護されます。この電圧レギュレータは、シリコン酸化物不動態化接合の優れた性能を反映して、限界を厳密化し動作特性を向上させます。外面は耐腐食性で、リードは容易にはんだ付けできます。. 用途. 産業用

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 120， 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 135000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.83mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor

ダイオード構成 = シングルV実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 76mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 100μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor