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RoHS10物質対応(8)
「fd8」の検索結果
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 8 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥1,298税込￥1,428
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333●標準ゲートチャージ @ Vgs：18 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)54チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 58 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥929税込￥1,022
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1.2V●最大連続ドレイン電流：58 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 AパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)55チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)15最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最大動作温度(℃)175
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 160 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥1,798税込￥1,978
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5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1.2V●最大連続ドレイン電流：160 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)160チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6.3最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 36 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥639税込￥703
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予約販売
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：36 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：13.4 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 AパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)62チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)44最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 57 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥859税込￥945
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7日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：57 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：37 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)44チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 145 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥579税込￥637
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5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：145 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：89 nC @ 10 V高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)153チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 70 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥799税込￥879
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：70 A幅(mm)6.22高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)79000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)16最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 94 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥1,298税込￥1,428
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1.2V●最大連続ドレイン電流：94 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)80材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
