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最大連続コレクタ電流 = 80 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 366 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 1MHzトランジスタ構成 = シングル寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm動作温度 Min = -55 ℃IGBTディスクリート、ON Semiconductor. モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)

パッケージタイプ = DIP実装タイプ = 表面実装オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = MOSFET最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 60ns最大入力電流 = 25 mA絶縁電圧 = 5 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 60nsシリーズ = FODオプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild Semiconductor

最大連続コレクタ電流 = 80 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 290 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 15.6 x 4.7 x 20.6mm動作温度 Max = +150 ℃ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor

出力電流 = 1.5 A供給電圧 = 18Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC出力数 = 2トポロジー = ハイ/ローサイドドライバ数 = 2極性 = 反転実装タイプ = 表面実装ON Semiconductor MOSFET ； IGBT ドライバ. ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET ； IGBT 電源ドライバ

出力電流 = 15 mA供給電圧 = 18Vピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP出力数 = 2トポロジー = ハイ/ローサイドドライバ数 = 2極性 = 非反転実装タイプ = スルーホールON Semiconductor MOSFET ； IGBT ドライバ. ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET ； IGBT 電源ドライバ

出力電流 = 1.5 A供給電圧 = 18Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC出力数 = 2トポロジー = ハイ/ローサイドドライバ数 = 2極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装ON Semiconductor MOSFET ； IGBT ドライバ. ローサイド / ハイサイド / ハーフブリッジ回路用MOSFET ； IGBT 電源ドライバ

最大連続コレクタ電流 = 120 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 600 Wパッケージタイプ = TO-247AB実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 15.6 x 4.7 x 20.6mm動作温度 Min = -55 ℃ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor