「ma-50」の検索結果

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-80。最大連続 順方向電流 = 400mA。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 6ns。直径 = 1.5mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -50 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -120 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 300。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -120 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2.9 x 1.3 x 1.04mm。小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 50 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm。RFバイホーラトランジスタ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 50 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 300。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 110 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2.9 x 1.3 x 1.04mm。小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -50 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -3 V。最大動作周波数 = 20 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 50 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 300。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 4.5 V。最大動作周波数 = 20 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。低ノイズバイポーラトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 50 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 15 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. RFバイホーラトランジスタ、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。シリーズ = BSS138L。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.5V。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 2.9mm。高さ = 0.94mm。NチャンネルパワーMOSFET、50 V、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 220 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 360 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.3mm。高さ = 0.93mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.85V。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 V。長さ = 3.04mm。自動車規格 = AEC-Q101mm。低消費電力用途に最適な車載用パワー MOSFET 。50V 、 200mA 、 3.5 Ω 、シングル N チャネル、 SOT-23 、ロジックレベル、鉛フリーPPAP対応のため、車載用途に適しています。低スレッショルド電圧( VGS ( TH )： 0.5 ～ 1.5 V ) ミニチュア表面実装パッケージ 低電圧で簡単に駆動できます 基板スペースを節約します 用途 低電力スイッチ デジタルスイッチ あらゆる低電流自動車用アプリケーション 最終製品 インフォテイメント ( エンターテイメント、マルチメディア、ナビゲーションシステムなど ) ボディコントロールモジュール (BCM 、 FOB キー、ゲートウェイ、 LF システム、 HVAC など ) セキュリティシステム

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 130 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET、30 → 500 V

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 220 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。長さ = 2.92mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.85V。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 130 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 360 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 0.9 nC @ 5 Vmm。高さ = 0.93mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.3mm。高さ = 0.94mm。NチャンネルパワーMOSFET、50 V、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 210 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-323。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 340 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.25mm。順方向ダイオード電圧 = 1.4V。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

論理回路 = FXMA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = UMLP。ピン数 = 8。寸法 = 1.4 x 1.2 x 0.525mm。低レベル出力電流 Max = 50mA。高レベル出力電流 Max = -50mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 1.65 V。動作温度 Min = -40 ℃。電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = AC/DC。標準上昇時間 = 4μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000Vrms 交流。最大電流変換率 = 150%。最小電流伝送率 = 50%。シリーズ = FOD814

標準ツェナー電圧 = 7.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SMA。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 50mA。最大ツェナーインピーダンス = 3Ω。最大逆漏れ電流 = 2.5μA。寸法 = 4.32 x 2.6 x 2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1.5 W、1SMA59xxBT、SZ1SMA59xxBTシリーズ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = Mini-Flat。標準上昇時間 = 20ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3.75 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 10ns。シリーズ = FODM。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = Mini-Flat。標準上昇時間 = 20ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms ac。論理出力 = あり。標準降下時間 = 10ns。シリーズ = FODM。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。ピン数 = 5。パッケージタイプ = SO。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 20ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 V ac。論理出力 = あり。標準降下時間 = 10ns。シリーズ = FODM。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SMT。入力電流タイプ = AC/DC。標準上昇時間 = 4μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000Vrms 交流。最大電流変換率 = 150%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = FOD814

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 30ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 10ns。シリーズ = 6N137。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 18μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 400%。標準降下時間 = 18μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 4μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000 V ac。最大電流変換率 = 160%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ダーリントン。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 300μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000 Vrms。最大電流変換率 = 15000%。標準降下時間 = 100μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 17ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 V ac。論理出力 = あり。標準降下時間 = 5ns。シリーズ = HCPL。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 22ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 3ns。シリーズ = FOD。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = Mini-Flat。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3.75 kVrms。最大電流変換率 = 1200%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = FODM。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor