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onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 39 A 表面実装 パッケージPQFN8 8 ピンonsemi￥299税込￥329
1個
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：39 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：11.7 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 AパッケージPQFN8実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)73チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET300 V 28 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi￥659税込￥725
1箱(2個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：28 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：39 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)250Wチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)129最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
