「ns-1」の検索結果

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 高速。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mA。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 150ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 920mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 15ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523F。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 450mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。Fairchild Semiconductorショットキーバリア整流器ダイオード、シングル

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-323F。最大連続 順方向電流 = 150mA。ピーク逆繰返し電圧 = 75V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523F。最大連続 順方向電流 = 300mA。ピーク逆繰返し電圧 = 75V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオード。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 120V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオード。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-35。最大連続 順方向電流 = 300mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。直径 = 1.53mm。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-80。最大連続 順方向電流 = 300mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-80。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-80。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。直径 = 1.5mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-80。最大連続 順方向電流 = 400mA。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 6ns。直径 = 1.5mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-80。最大連続 順方向電流 = 300mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。直径 = 1.5mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AH。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 125V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 400ns。直径 = 1.91mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 950mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = Mini-Flat。標準上昇時間 = 20ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3.75 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 10ns。シリーズ = FODM。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = Mini-Flat。標準上昇時間 = 20ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms ac。論理出力 = あり。標準降下時間 = 10ns。シリーズ = FODM。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = インバータ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。シュミットトリガ入力 = なし。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.2 ns @ 30 pF。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = S70。ピン数 = 5。論理回路 = LVCMOS。寸法 = 2 x 1.25 x 1mm。動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm。幅 = 1.25mm。TinyLogic ULP-A、Fairchild Semiconductor

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = LSTTL。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。セット/リセット = リセット。1チップ当たりのエレメント数 = 8。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 170ns。寸法 = 13.005 x 7.595 x 2.642mm。幅 = 7.595mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = D タイプ。出力タイプ = 3ステート。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 反転， 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。セット/リセット = Yes。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8ns。動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm。幅 = 4.4mm。74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = LSTTL。出力信号タイプ = シングルエンド。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。1チップ当たりのエレメント数 = 8。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 28 ns @ 45 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 7.5mm。74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 46.3 ns @ 30 pF。高レベル出力電流 Max = -2.6mA。低レベル出力電流 Max = 2.6mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = S70。ピン数 = 5。論理回路 = LVCMOS。寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm。高さ = 0.9mm。長さ = 2mm。TinyLogic ULP、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 50ns。最大入力電流 = 15 mA。絶縁電圧 = 3750 V ac。論理出力 = あり。標準降下時間 = 12ns。シリーズ = HCPL。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 30ns。最大入力電流 = 30 mA。絶縁電圧 = 5000 Vrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 10ns。シリーズ = 6N137。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = MOSFET。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 60ns。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 60ns。シリーズ = FOD。オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 22ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 3ns。シリーズ = FOD。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 5ns。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 2500 V ac。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 50%。シリーズ = HCPL。オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 120V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオード。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 50ns。最大入力電流 = 15 mA。絶縁電圧 = 3.75 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 12ns。シリーズ = HCPL。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = インバータ シュミット トリガー。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = CMOS。1チップ当たりのエレメント数 = 6。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 188 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。低レベル出力電流 Max = 4mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 74HC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。幅 = 4mm。MM74HC14 は、 Advanced Silicon Gate CMOS テクノロジーを使用することで、標準 CMOS の低電力損失と高ノイズ耐性を実現するだけでなく、 10 LS-TTL 負荷を駆動できます。74HC ロジックファミリは、標準 74LS ロジックファミリと機能的かつピン配列が互換性があります。VCC とアースに内蔵ダイオードクランプを印加することにより、すべての入力が静電気放電によって損傷から保護されます。標準伝搬遅延： 13 ns 広い電源範囲： 2 → 6 V 低静止電流：最大 20 μ A (74HC シリーズ ) 低入力電流：最大 1 μ A LS-TTL 負荷 10 個のファンアウト 標準ヒステリシス電圧： 0.9 V @ VCC = 4.5 V 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13.5ns。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = AC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13.5ns。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = AC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = 光電センサ。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 30ns。最大入力電流 = 200 mA。絶縁電圧 = 5000 V ac。論理出力 = あり。標準降下時間 = 10ns。シリーズ = 6N137。特殊機能 = コンピュータ周辺機器インターフェイス、データ多重化、パルストランス代替品。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = TTL。出力タイプ = シングルエンド。1チップ当たりのエレメント数 = 6。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 74ACT。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 4mm。AC/ACT04 には 6 つのインバータがあります。ICC は 74AC のみで 50% 削減されました 出力ソース / シンク： 24 mA ACT04 は TTL 互換入力を備えています 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています