「ns-5」の検索結果

最大スイッチング周波数 = 32 kHz出力電圧 = 28 V出力電流 = 500 mA出力数 = 1実装タイプ = 表面実装ns上昇時間 = 70nsトポロジー = フライバック寸法 = 5 x 4 x 1.5mmPWM コントローラタイプ = 電流モードmm幅 = 4mm高さ = 1.5mm動作供給電圧 Max = 28 VAC-DCオフラインコントローラ、NCP / NCVシリーズ、ON Semiconductor. 2 次側電源、同期整流コントローラ固定周波数フライバック / フォワードPWMコントローラです。

最大スイッチング周波数 = 190 kHz出力電圧 = 7.5 Vコントロール方法 = 電流降下時間 = 120nsパッケージタイプ = SOPnsピン数 = 8寸法 = 5 x 4 x 1.5mmPWM コントローラタイプ = 電流モードmm幅 = 4mm高さ = 1.5mm動作温度 Min = -40 ℃フライバック / フォワードPWMコントローラ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = VHCTロジックタイプ = 非反転チャンネル数 = 1入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = CMOS極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13ns動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 4.5mm高速： tpd = 3.5 ns (標準) @ VCC = 5 V 低消費電力： ICC = 2 mA (最大) @ TA = 25 ° C TTL 互換入力： VIL = 0.8 V 、 VIH = 2.0 V CMOS 対応出力： VOH> 0.8VCC 、 VOL< 0.1VCC @ 負荷 入力及び出力でのパワーダウン保護機能を実現

最大スイッチング周波数 = 250 kHz出力電圧 = 5.1 V出力電流 = 1 Aコントロール方法 = 電流降下時間 = 150nsパッケージタイプ = SOICnsピン数 = 8寸法 = 5 x 4 x 1.5mmPWM コントローラタイプ = 電流モードmm幅 = 4mm高さ = 1.5mm動作供給電圧 Max = 36 VAC-DCオフラインコントローラ、UCシリーズ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = Mini-Flat標準上昇時間 = 20ns最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 10nsシリーズ = FODMオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 17ns最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 V ac論理出力 = あり標準降下時間 = 5nsシリーズ = HCPLオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = Mini-Flat標準上昇時間 = 20ns最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms ac論理出力 = あり標準降下時間 = 10nsシリーズ = FODMオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5ns最大入力電流 = 25 mA絶縁電圧 = 2500 V ac論理出力 = あり最大電流変換率 = 50%シリーズ = HCPLオプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = MOSFET最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = MDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 60ns最大入力電流 = 25 mA絶縁電圧 = 5 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 60nsシリーズ = FODオプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.8Vピン数 = 5パッケージタイプ = SO入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 20ns最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 V ac論理出力 = あり標準降下時間 = 10nsシリーズ = FODMオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 6.5Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5ns最大入力電流 = 10 μA絶縁電圧 = 3750 V ac論理出力 = あり標準降下時間 = 4.8nsシリーズ = FODオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

論理回路 = 4000ロジックタイプ = モノステーブルマルチバイブレータ1チップ当たりのエレメント数 = 2高レベル出力電流 Max = -4.2mA低レベル出力電流 Max = 4.2mA最小パルス幅 = 5 ns最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 600 ns @ 50 pF最大静止電流 = 600μA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10.45 x 7.6 x 2.4mm高さ = 2.4mm長さ = 10.45mm自動車規格 = AEC-Q100pF4000シリーズマルチバイブレータ及びタイマ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 800mV1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 240mV1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = コモンアノード整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 240mV1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = 絶縁型整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 6最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523F最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 450mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4AFairchild Semiconductorショットキーバリア整流器ダイオード、シングル

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323最大連続 順方向電流 = 250mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 590mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1Aメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 800mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

論理回路 = LCXロジックタイプ = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 2回路数 = 16極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20入力レベル = TTL出力レベル = LVCMOS高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8.4 ns @ 30 pF幅 = 4.5mm74LCXファミリ、ON Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = 74HCロジックタイプ = バッファ回路数 = 4入力タイプ = ショットキー出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 163ns寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 150pF74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = LCXロジックタイプ = バッファ， ラインドライバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 6.5 ns @ 2.7 V寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V， 250 ns @ 5 V， 80 ns @ 15 V高レベル出力電流 Max = -4.2mA低レベル出力電流 Max = 4.2mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 4000寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm幅 = 4mm4000シリーズインバータ及びバッファ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 2ゲートあたりの入力数 = 4パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 4000入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 300 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = -5 V低レベル出力電流 Max = 4.2mA自動車規格 = AEC-Q100mm4000シリーズロジックゲート、ON Semiconductors

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns @ 5 V， 13.5 ns @ 3.3 V高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = AC寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4mm74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 20 ns @ 5 V高レベル出力電流 Max = -4.8mA低レベル出力電流 Max = 4.8mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HCT寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 4mm74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HCT動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -4.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 5 V動作供給電圧 Min = 4.5 V低レベル出力電流 Max = 4.8mA幅 = 4mm74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = なし最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8.5 ns @ 5 V高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = ACT寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 4mm74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = なし最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7 ns @ 5 V， 9 ns @ 3.3 V高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = AC寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4mm74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ピーク感度波長 = 880nmパッケージタイプ = T-1 3/4実装タイプ = スルーホール実装ピン数 = 2ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 700nm最大検出波長 = 1100nm標準降下時間 = 5ns長さ = 4.95mm高さ = 8.77mm直径 = 6.1mm標準上昇時間 = 5nsQSD2030F PINフォトダイオード. Fairchild SemiconductorのQSD2030Fは、プラスチックシリコンPINフォトダイオードです。 標準の5 mm(T-1 3/4)スルーホールパッケージに収められています。 QSD2030Fは、周囲の可視光を遮断する昼光フィルタを備えた黒色のエポキシ製パッケージに収納されています。. QSD2030Fフォトダイオードの特長: PINフォトダイオード 5 mm(T-1 3/4)パッケージ 広いレセプション角度: 40° 昼光フィルタ 高感度 波長: 880 nm 検出面積: 1.245 x 1.245 mm