「ns15」の検索結果

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 15 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 50Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ファストリカバリーダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 920mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 15nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30AFairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A

ロジックタイプ = インバータ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HCT入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = 4.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 15 pF動作供給電圧 Min = 4.5 V低レベル出力電流 Max = 4.8mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 20 ns @ 15 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 6 V， 18 ns @ 4.5 V， 90 ns @ 2 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 50ns最大入力電流 = 15 mA絶縁電圧 = 3750 V ac論理出力 = あり標準降下時間 = 12nsシリーズ = HCPLオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 50ns最大入力電流 = 15 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 12nsシリーズ = HCPLオプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = インバータ シュミット トリガー入力タイプ = シュミットトリガ出力タイプ = CMOS1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 50 pF高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 74AC寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm幅 = 4mmMC74ACファミリ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V， 250 ns @ 5 V， 80 ns @ 15 V高レベル出力電流 Max = -4.2mA低レベル出力電流 Max = 4.2mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 4000寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm幅 = 4mm4000シリーズインバータ及びバッファ、ON Semiconductor

論理回路 = LCXロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 2シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = CMOS、シングルエンド実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 6高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.2 ns @ 15 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 1.7mmNL27Wシリーズ、ON Semiconductor. LVTTL互換の入力及び出力を備えているCMOSロジックゲートであり、74LCXデバイスよりも高速で大きな駆動能力を提供します。. 幅広い動作供給電圧: 1.65 → 5.5 V LVCMOS互換 3.0 Vで24 mAのソース / シンク容量

実装タイプ = 表面実装シュミットトリガ入力 = ありパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HCT入力タイプ = シュミットトリガ動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = 4.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 15 pF動作供給電圧 Min = 4.5 V低レベル出力電流 Max = 4.8mA幅 = 4mmMM74HCT14 は、 Advanced シリコンゲート CMOS 技術を使用して、標準 CMOS の低電力損失と高いノイズ耐性を実現し、 10 個の LS-TTL 負荷を駆動できます。74HCT ロジックファミリは、機能的かつピン配列で、標準 74LS ロジックファミリと互換性があります。VCC とアースへの内部ダイオードクランプにより、静電放電によって入力が損傷から保護されます。標準伝搬遅延： 13 ns 広い電源電圧範囲： 4.5V ～ 5.5V 低静止電流：最大 10 μ A 低入力電流：最大 1 μ A LS-TTL 負荷 10 個のファンアウト 標準ヒステリシス電圧： 0.6 V @ VCC = 4.5 V TTL 、 LS ピン配列、及び入力しきい値に対応 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = IGBT， MOSFET最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP標準上昇時間 = 60ns最大入力電流 = 16 mA絶縁電圧 = 5 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 60nsシリーズ = FOD35kv/ μ s の最小コモンモード除去を特徴とする高ノイズ耐性 2.5 A Peak 出力電流駆動機能により、ほとんどの 800 V / 20 A IGBT に対応しています 出力段で P チャンネル MOSFET を使用することで、電源レールの近くで出力電圧スイングが可能になります 幅広い供給電圧範囲： 15 → 30 V 高速スイッチング速度 最大伝搬遅延： 400 ns 最大パルス幅歪み： 100 ns 低電圧ロックアウト( UVLO )(ヒステリシスあり 産業用拡張温度範囲： -40 → 100 ° C RDS ( ON )： 3 Ω (標準)の低消費電力を実現します >8.0 mm クリアランスおよび沿面距離 ( オプション「 T 」 ) 無停電電源 産業用インバータ 絶縁 IGBT / パワー MOSFET ゲートドライブ 誘導加熱 用途 AC-DC 加盟店用電源 エネルギーの生成と分配 産業用モータ 無停電電源