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onsemi ESD保護ダイオード, 単方向, 表面実装, 10.1V, NZL5V6AXV3T1G onsemionsemi ESD保護ダイオード, 単方向, 表面実装, 10.1V, NZL5V6AXV3T1Gonsemi
1,498税込1,648
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ : 単方向●最大クランピング電圧 : 10.1V●最小ブレークダウン電圧 : 5.32V●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOT-523 (SC-89)●最大逆スタンドオフ電圧 : 3V●ピン数 : 3●ピークパルスパワー消費 : 50W●最大ピークパルス電流 : 4.8A●ESD保護 : あり●1チップ当たりのエレメント数 : 2●動作温度 Min : -55 ℃●動作温度 Max : +150 ℃mm●長さ : 1.7mm●低静電容量ESD保護アレイRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 3 A, FZT649 onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 3 A, FZT649onsemi
2,198税込2,418
1袋(20個)
5日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 8V, MMQA5V6T1G onsemionsemi TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 8V, MMQA5V6T1Gonsemi
1,398税込1,538
1セット(50個)
7日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 8V最小ブレークダウン電圧 = 5.32V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-74最大逆スタンドオフ電圧 = 3Vピン数 = 6ピークパルスパワー消費 = 150W最大ピークパルス電流 = 3AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 1mm24 Wクワッドコモンアノード過渡電圧サプレッサ(ESD保護用)
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 16V, DF3A6.8FUT1G onsemionsemi TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 16V, DF3A6.8FUT1Gonsemi
33,980税込37,378
1セット(3000個)
7日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 16V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 150W最大ピークパルス電流 = 9.37AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 2.2 x 1.35 x 0.9mm高さ = 0.9mmESDプロテクタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -3 A, FZT790A onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -3 A, FZT790Aonsemi
889税込978
1袋(10個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 300トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.5 x 3.5 x 1.6mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -3 A, NZT660 onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -3 A, NZT660onsemi
1,598税込1,758
1袋(20個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.7 x 3.7 x 1.7mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 3 A, FZT649 onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 3 A, FZT649onsemi
1,998税込2,198
1袋(20個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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