「sc70」の検索結果

ピン数 = 6実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70寸法 = 2 x 1.25 x 1mm動作温度 Min = -40 ℃アナログスイッチ、Fairchild Semiconductor

ピン数 = 6実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70寸法 = 2 x 1.25 x 1mm動作温度 Max = +85 ℃アナログスイッチ、Fairchild Semiconductor

ピン数 = 6実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm動作温度 Max = +85 ℃TinyLogic ULP-A、Fairchild Semiconductor

コンパレータタイプ = 汎用実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70電源タイプ = 単一電源出力タイプ = オープンドレイン回路数 = 1ピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 2.7 → 5 V寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mm標準電圧ゲイン = 50 V/mVコンパレータ、ON Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 800mV1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

論理回路 = FXLP実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70ピン数 = 5寸法 = 2 x 1.25 x 1mm低レベル出力電流 Max = 2.6mA高レベル出力電流 Max = -2.6mA伝播遅延テスト条件 = 30pF動作供給電圧 Max = 3.6 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1 V動作温度 Min = -40 ℃電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 310 mWトランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1ベースエミッタ抵抗器 = 47kΩ

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SC-70ピン数 = 5論理回路 = TinyLogic ULP-A入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 3.6 V高レベル出力電流 Max = -24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.3 ns @ 30 pF動作供給電圧 Min = 0.9 V低レベル出力電流 Max = 24mA寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmTinyLogic ULP-A、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 310 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmこのシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー