「sop」の検索結果

最大スイッチング周波数 = 190 kHz。出力電圧 = 7.5 V。コントロール方法 = 電流。降下時間 = 120ns。パッケージタイプ = SOPns。ピン数 = 8。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。PWM コントローラタイプ = 電流モードmm。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。動作温度 Min = -40 ℃。フライバック / フォワードPWMコントローラ、Fairchild Semiconductor

パッケージタイプ = SOP。ロジックタイプ = シフトレジスター。ステージ数 = 8。論理回路 = VHC。実装タイプ = 表面実装。動作/操作モード = シリアル to パラレル。エレメント数 = 1。ピン数 = 14。動作供給電圧 Min = 2 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。寸法 = 10.2 x 5.3 x 1.8mm。リセットタイプ = 非シンクロナス。74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

出力電流 = 4 A。供給電圧 = 20V。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOP。出力数 = 1。トポロジー = ハイサイド。ドライバ数 = 1。ブリッジタイプ = ハーフブリッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。ハイサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧mA。出力電圧 = 5 V。精度 = ±2.5%。極性 = 正。パッケージタイプ = T0-220。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。高さ = 15.75mm。幅 = 4.82mm。入力 - 出力電圧差<： 0.6 V @ 100 mA 出力電流は 100 mA 超です 低バイアス電流 60 V ロードダンプ保護 -50 V の逆過渡保護 サーマルシャットダウンによる内部電流制限 一時ミラー - イメージ保護 バッテリ駆動機器に最適です 2 つのオプションのリードフォームを備えた経済的な 5 リード TO-220 パッケージ 表面実装 SOP-8 、 D2PAK 、及び DPAK パッケージで提供されます 高精度( +/-2 % )リファレンス( LM2931AC )を用意しています 用途 消費者向けバッテリ駆動製品 ハンドヘルド機器 自動車

論理回路 = LCX。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。ロジックタイプ = バッファmm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = -24mA。伝送 = CMOS。伝播遅延テスト条件 = 50pF。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5 ns @ 50 pF。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。動作温度 Min = -40 ℃

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 4。ピン数 = 14。標準シングル供給電圧 = 3 → 44 V。標準ゲイン帯域幅積 = 4.5MHz。標準スルーレート = 13V/μs。最大動作周波数 = 100 kHz。動作温度 Max = +85 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 4mm。ON Semiconductor MC33071/2/4 、 MC34071/2/4 、 NCV33072/4シリーズ オペアンプ 単電源： 3 → 44 V. ON Semiconductor MC33071 / 72 / 74 、 MC34071 / 72 / 74 、 NCV33072 / 74A シリーズは、シングル/デュアル/クワッドオペアンプを提供しております。4.5 MHz のゲイン帯域幅、 13 V/ μs のスルーレートを備え、 JFET デバイス技術を使用せずに短時間で設定することができます。 このシリーズはスプリット電源で動作できますが、コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) が含まれるため、単電源での動作にも適しています。このオペアンプは、高入力抵抗、低入力オフセット電圧、高ゲインを特長としています。これらの製品は、プラスチック製の DIP 、 SOIC 、 TSSOP 表面実装パッケージで提供されます。. 高速セトリング時間(0.1%)：1.1 μs 幅広い単電源電圧範囲： 3 → 44 V コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) を含む 低入力オフセット電圧：3mV以下(A Suffix) 出力電圧スイング： -14.7 → +14 V ( ± 15 V 電源) 大容量駆動能力：0pF → 10，000pF 低全高調波歪み： 0.02 % 優れた位相差：60 ° 優れたゲインマージン：12dB 出力短絡保護回路

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = CMOS、シングルエンド。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSOP。ピン数 = 6。高レベル出力電流 Max = -32mA。低レベル出力電流 Max = 32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.2 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 1.7mm。NL27Wシリーズ、ON Semiconductor. LVTTL互換の入力及び出力を備えているCMOSロジックゲートであり、74LCXデバイスよりも高速で大きな駆動能力を提供します。. 幅広い動作供給電圧: 1.65 → 5.5 V LVCMOS互換 3.0 Vで24 mAのソース / シンク容量

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm。幅 = 4.5mm。74LCXファミリ、ON Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = VHCT。ロジックタイプ = 非反転。チャンネル数 = 1。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = CMOS。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13ns。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 4.5mm。高速： tpd = 3.5 ns (標準) @ VCC = 5 V 低消費電力： ICC = 2 mA (最大) @ TA = 25 ° C TTL 互換入力： VIL = 0.8 V 、 VIH = 2.0 V CMOS 対応出力： VOH> 0.8VCC 、 VOL< 0.1VCC @ 負荷 入力及び出力でのパワーダウン保護機能を実現

論理回路 = CMOS。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 8。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4.4mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = LSTTL。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 4。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 180 ns @ 50 pF。寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm。幅 = 4.5mm。74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 16。ロジックタイプ = レベルシフタmm。伝播遅延テスト条件 = 50pF。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 280 ns @ 50 pF。動作温度 Max = +125 ℃。動作供給電圧 Min = 3 V。自動車規格 = AEC-Q100

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm。自動車規格 = AEC-Q100。高速スイッチング及び伝播速度 スイッチ間の低クロストーク すべての入力 / 出力でダイオード保護 アナログ電源範囲( VCC - VEE ) = 2.0 → 12.0 V デジタル(制御)電源範囲( VCC - GND ) = 2.0 → 6.0 V 金属ゲートカウンタ部品よりも直線性が向上し、オン抵抗が低減しています 低ノイズ チップの複雑さ： HC4051A-184 FET または 46 相当 Gates HC4052A-168 FET 又は 42 等価 Gates HC4053A-156 FET 又は 39 相当の Gates

電源スイッチの種類 = USRTスイッチ。オン抵抗 = 6.5Ω。出力数 = 1。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = MSOP。ピン数 = 10。動作温度 Max = +85 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。寸法 = 3 x 3 x 0.85mm。USBパワースイッチ、Fairchild Semiconductor

動作供給電圧 Max = 5.5 V。出力数 = 2A。入力数 = 2。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSOP。ピン数 = 6。動作温度 Max = +125 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。寸法 = 3 x 1.5 x 1mm。配電スイッチ、ON Semiconductor. 固定 / 調整可能、電流制限付き配電スイッチ

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = Dフリップフロップ。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = CMOS、LSTTL、NMOS、TTL。出力信号タイプ = Dタイプフリップフロップ。トリガータイプ = 正エッジ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。セット/リセット = セット / リセット。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 150ns。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4.5mm

動作供給電圧 Max = 5.5 V。出力数 = 2A。入力数 = 2。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSOP。ピン数 = 5。動作温度 Max = +125 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。寸法 = 3 x 1.5 x 1mm。配電スイッチ、ON Semiconductor. 固定 / 調整可能、電流制限付き配電スイッチ

ロジックタイプ = バッファ。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 6。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。論理回路 = LCX。動作供給電圧 Max = 5.5 V。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 3.7 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 4.5mm

出力電流 = 1.6A。入力電圧 = 3 → 5.5 V dc。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = PWM。用途 = ビルボードディスプレイ、汎用ディスプレイ、機器ディスプレイ、大テント用ディスプレイ。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 24。出力電圧 Max = 5.5V。出力電圧 Min = 0.4V。定格電流 = 150mA。先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor リニア LED ドライバ

論理回路 = VHC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。ロジックタイプ = バッファmm。低レベル出力電流 Max = 8mA。高レベル出力電流 Max = -8mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 2 → 5.5 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = LCX。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。出力タイプ = 3ステート。寸法 = 6.6 x 4.5 x 1.05mm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = -24mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 2 → 3.6 V。動作温度 Max = +125 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。動作温度 Min = -55 ℃

論理回路 = AC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = TTL。出力信号タイプ = シングルエンド。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。セット/リセット = マスターリセット。1チップ当たりのエレメント数 = 8。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 12 ns@ 50 pF。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4.5mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 2.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TSOP-6。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 142 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 1.4 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET、30 → 500 V

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = D タイプ。出力タイプ = 3ステート。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 反転， 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。セット/リセット = Yes。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8ns。動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm。幅 = 4.4mm。74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 2。回路数 = 16。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。入力レベル = TTL。出力レベル = LVCMOS。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8.4 ns @ 30 pF。幅 = 4.5mm。74LCXファミリ、ON Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。回路数 = 8。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。入力レベル = LVTTL， TTL。出力レベル = LVCMOS。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8 ns @ 2.7 V。寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm。74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

パッケージタイプ = TSSOP。ロジックタイプ = シフトレジスター。ステージ数 = 8。論理回路 = 74HC。実装タイプ = 表面実装。動作/操作モード = シリアル to パラレル。エレメント数 = 1。ピン数 = 16。動作供給電圧 Min = 2 V。動作供給電圧 Max = 6 V。寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm。トリガータイプ = 正エッジ。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

パッケージタイプ = TSSOP。ロジックタイプ = シフトレジスター。ステージ数 = 8。論理回路 = 74VHC。実装タイプ = 表面実装。動作/操作モード = シリアル， パラレル。エレメント数 = 1。ピン数 = 16。動作供給電圧 Min = 2 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm。方向性タイプ = 単方向。74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS