「to-16a」の検索結果

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vシリーズ = MegaFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 47 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V長さ = 6.73mm高さ = 2.39mmMegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -16 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -250 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -16 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -250 Vパッケージタイプ = TO-264実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -16 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -150 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 36 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 16 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AB最大連続 順方向電流 = 16Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = コモンカソード整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 35nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON Semiconductor