Nanowin
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高品質の単結晶GaN基板
仕様●直径：100 ± 0.2mm●厚さ：4.5 ± 0.5μm●GaN面方位：A軸に対して、C面(0001) 0.2±0.1°オフ●GaN面オリフラ：(1-100) 0±0.2°。長さ 30± 1mm●タイプ：N型(ノンドープ)"●抵抗率(300K)：＜ 0.5Ω・cm●キャリア濃度：≦2×10～17 cm‐3●移動度：＞300cm2/V-s●基板構造：サファイア上にGaN( ～4.5μm uGaN/ ～25 nm uGaN buffer / 650 ±25μm sapphire)●転移密度：5×10～8cm-2以下●研磨： SSP(前面エピ研磨)●使用可能面積： ＞90% (エッジ及びマクロ欠陥を除く)●梱包形態：クリーンルームで包装。シングルケースに1枚毎に梱包
アズワン品番68-4088-80
1枚
￥129,800
税込￥142,780
8日以内出荷
高品質の単結晶GaN基板
仕様●直径：50.8 ±0.2 mm●厚さ：4.5 ± 0.5μm●GaN面方位：A軸に対して、C面(0001) 0.2±0.1°オフ●GaN面オリフラ： (1-100) 0±0.2°。長さ 16 ± 1mm●タイプ：N型(ノンドープ品)"●抵抗率(300K)：＜ 0.5Ω・cm●キャリア濃度：≦2×10^17 cm‐3●移動度：＞300cm2/V-s●基板構造：サファイア上にGaN( ～4.5μm uGaN/ ～25 nm uGaN buffer / 430 ±25μm sapphire)●転移密度：5×10～8cm-2以下●研磨：SSP(前面エピ研磨)●使用可能面積：＞90% (エッジ及びマクロ欠陥を除く)●梱包形態：クリーンルームで包装。シングルケースに1枚毎に梱包
アズワン品番68-4088-79
1枚
￥61,980
税込￥68,178
6日以内出荷