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密度(g/cm3)2.51
軟化点(℃)736
製造方法ダウンドロー法
熱膨張係数(×10-7/℃)72
徐冷点(℃)557
歪点(℃)529
無アルカリガラスは、低膨張率・高耐熱性等が安定したガラスです。基板稜線は糸面加工です。
材質無アルカリガラス
仕様(ヤング率)10.7Mpsi
厚さ(mm)0.7
温度(℃)(歪点)669
密度2.38
熱膨張係数(×10-7/℃)31.7
材質無アルカリガラス(イーグルXG(R))
処理方法(端面)糸面取り
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
材質無アルカリガラス(イーグルXG(R))
処理方法(端面)糸面取り
無アルカリガラスは、低膨張率・高耐熱性等が安定したガラスです。基板稜線は糸面加工です。
仕様ヤング率:7300kgf/mm2
材質ITO膜付ソーダガラス
厚さ(mm)0.7
密度2.5
歪点(℃)~505
熱膨張係数90×10^-7/℃
材質ソーダ石灰ガラス
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
抵抗値0.1~100Ω・cm
製造方法CZ法
位置【OF】110
方位【面】100
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
製造方法CZ法
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
高純度材料を用いたガラスを少量からご提供、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
高純度材料を用いたガラスを少量からご提供、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
耐熱衝撃性に優れ、熱膨張が小さく、あらゆる分野で優れた耐熱性、耐衝撃性を発揮します。高い光透過性と光学的歪みが少ない特性をもっています。
材質テンパックス(R)
公差外寸±0.5mm(規格品)
使用温度(℃)230
最高使用温度(℃)490
端面加工面取り仕上げ
高純度材料を用いたガラスを少量からご提供、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
高純度材料を用いたガラスを少量からご提供、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
珪素、カルシウム、ナトリウムの酸化物から成る、汎用的なガラス板です。
材質青板(ソーダ)ガラス
公差外寸±0.5mm(規格品)
端面加工面取り仕上げ
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
純水精密洗浄用ハンドスプレーです。
オイルフリーですので、油分流出の心配がありません。
純水対応ですので、金属イオンの溶出や錆の心配がありません。
プラスチック部品はPP樹脂、シール材はフッ素ゴムを使用しています。
半導体シリコンウェハーや、ガラス基板洗浄装置の槽内洗浄などに多く使用されています。
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