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30mm×30mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥20,770～税込￥22,847～1箱(20枚)ほか当日出荷から14日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。50mm×50mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥29,900～税込￥32,890～1箱(20枚)ほか当日出荷から15日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。5mm×5mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥11,000～税込￥12,100～1箱(20枚)ほか当日出荷から5日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。![20×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン](//jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/full/mono05087261-241204-02.jpg)
20×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥24,100～税込￥26,510～1箱(20枚)ほか当日出荷から16日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。仕様●サイズ(mm)：20×30●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。10×10mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥17,900～税込￥19,690～1箱(20枚)ほか当日出荷から16日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。20×20mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥21,800～税込￥23,980～1箱(20枚)ほか当日出荷から4日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。5×5mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥15,300～税込￥16,830～1箱(20枚)ほか当日出荷から4日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
6インチ SEMI シリコンウェハ 研究用 100
アズワン￥149,000税込￥163,9001箱(25枚)当日出荷から33日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。6インチ JEIDA シリコンウェハ 研究用 100
アズワン￥149,000税込￥163,9001箱(25枚)当日出荷から33日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。![4インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入 アズワン](//jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/full/mono02447019-241206-02.jpg)
4インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入
アズワン￥111,000税込￥122,1001箱(25枚)当日出荷から30日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。8インチシリコンウェハ 研究用 100
アズワン￥220,000税込￥242,0001箱(25枚)4日以内出荷から32日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。40mm×40mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥22,720～税込￥24,992～1箱(20枚)ほか4日以内出荷から15日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。15mm×15mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥13,360～税込￥14,696～1箱(20枚)ほか4日以内出荷から5日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。10mm×20mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥13,360～税込￥14,696～1箱(20枚)ほか4日以内出荷から15日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。15×15mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥19,600～税込￥21,560～1箱(20枚)ほか当日出荷から4日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。仕様●サイズ(mm)：15×15●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。30×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥30,400～税込￥33,440～1箱(20枚)ほか4日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。仕様●サイズ(mm)：30×30●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。12インチシリコンウェハ 研究用 100 両面ミラーDF品
アズワン￥78,600～税込￥86,460～1箱(1枚)ほか4日以内出荷から32日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
12インチシリコンウェハ 研究用(100)両面ミラーDF品
アズワン￥193,000～税込￥212,300～1箱(1枚)ほか12日以内出荷から27日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。8mm×8mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥11,020～税込￥12,122～1箱(20枚)ほか14日以内出荷から15日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。20mm×30mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥16,480～税込￥18,128～1箱(20枚)ほか14日以内出荷から15日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。25mm×35mm Si シリコン 研究用ダイシング チップ 角基板
アズワン￥16,480～税込￥18,128～1箱(20枚)ほか14日以内出荷から15日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
12インチシリコンウェハ 研究用(100)両面ミラーDF品
アズワン￥86,300～税込￥94,930～1箱(1枚)ほか15日以内出荷から27日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。10×20mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥19,600～税込￥21,560～1箱(20枚)ほか16日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。仕様●サイズ(mm)：10×20●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。50×50mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥36,100～税込￥39,710～1箱(20枚)ほか16日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。仕様●サイズ(mm)：50×50●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。8×8mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥16,200～税込￥17,820～1箱(20枚)ほか16日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。40×40mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥33,200～税込￥36,520～1箱(20枚)ほか16日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。仕様●サイズ(mm)：40×40●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。25×35mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
アズワン￥24,100～税込￥26,510～1箱(20枚)ほか16日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。仕様●サイズ(mm)：25×35●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。2インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入
アズワン￥98,000税込￥107,8001箱(25枚)23日以内出荷から30日以内出荷研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
シリコンラバーヒーターMG 200V仕様 幅300×長さ50mm
アズワン￥9,990～税込￥10,989～1枚24日以内出荷磁石の力で着脱。、ヒーター片面が磁化されているので金属面に容易に着脱できます。、金属ヒーターに代わる柔軟性のある薄型の面状発熱体です。、耐熱温度はヒーターの表面で200℃になります。
シリコンラバーヒーター 200V仕様 幅300×長さ50mm
アズワン￥7,890～税込￥8,679～1枚24日以内出荷薄いシート状のため熱応答性に優れています(標準型1.5mm)。、柔軟性があります。、電力密度は通常多くの用途に対して0.6～0.8W/cm2が適していますが、ヒーターの取り付け状態・温度制御の方法によって大きく変動します。シリコンラバーヒーターMG 200V仕様 幅250×長さ100mm
アズワン￥11,200～税込￥12,320～1枚24日以内出荷磁石の力で着脱。、ヒーター片面が磁化されているので金属面に容易に着脱できます。、金属ヒーターに代わる柔軟性のある薄型の面状発熱体です。、耐熱温度はヒーターの表面で200℃になります。シリコンラバーヒーターMG 200V仕様 幅150×長さ50mm
アズワン￥8,990～税込￥9,889～1枚24日以内出荷磁石の力で着脱。、ヒーター片面が磁化されているので金属面に容易に着脱できます。、金属ヒーターに代わる柔軟性のある薄型の面状発熱体です。、耐熱温度はヒーターの表面で200℃になります。シリコンラバーヒーターMG 200V仕様 幅200×長さ50mm
アズワン￥9,290～税込￥10,219～1枚24日以内出荷磁石の力で着脱。、ヒーター片面が磁化されているので金属面に容易に着脱できます。、金属ヒーターに代わる柔軟性のある薄型の面状発熱体です。、耐熱温度はヒーターの表面で200℃になります。シリコンラバーヒーターMG 200V仕様 幅100×長さ50mm
アズワン￥8,790～税込￥9,669～1枚24日以内出荷磁石の力で着脱。、ヒーター片面が磁化されているので金属面に容易に着脱できます。、金属ヒーターに代わる柔軟性のある薄型の面状発熱体です。、耐熱温度はヒーターの表面で200℃になります。シリコンラバーヒーターMG 200V仕様 幅50×長さ50mm
アズワン￥8,490～税込￥9,339～1枚24日以内出荷から33日以内出荷磁石の力で着脱。、ヒーター片面が磁化されているので金属面に容易に着脱できます。、金属ヒーターに代わる柔軟性のある薄型の面状発熱体です。、耐熱温度はヒーターの表面で200℃になります。シリコンラバーヒーター 200V仕様 幅200×長さ50mm
アズワン￥7,290～税込￥8,019～1枚24日以内出荷薄いシート状のため熱応答性に優れています(標準型1.5mm)。、柔軟性があります。、電力密度は通常多くの用途に対して0.6～0.8W/cm2が適していますが、ヒーターの取り付け状態・温度制御の方法によって大きく変動します。シリコンラバーヒーター 200V仕様 幅150×長さ50mm
アズワン￥7,090～税込￥7,799～1枚24日以内出荷薄いシート状のため熱応答性に優れています(標準型1.5mm)。、柔軟性があります。、電力密度は通常多くの用途に対して0.6～0.8W/cm2が適していますが、ヒーターの取り付け状態・温度制御の方法によって大きく変動します。シリコンラバーヒーター 200V仕様 幅100×長さ50mm
アズワン￥6,890～税込￥7,579～1枚24日以内出荷薄いシート状のため熱応答性に優れています(標準型1.5mm)。、柔軟性があります。、電力密度は通常多くの用途に対して0.6～0.8W/cm2が適していますが、ヒーターの取り付け状態・温度制御の方法によって大きく変動します。
![20×30mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/full/mono05087261-241204-02.jpg)
![4インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]片面ミラーDF品 25枚入 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/full/mono02447019-241206-02.jpg)
