25×35mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
![25×35mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 - アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/full/mono05087261-241204-02.jpg "注文コード：05088067,05088076,05088085,05088101,05088110,05088119,05088128,05088137,05088146,05088155,05088171,05088180,05088189")
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
- 仕様
- ●サイズ(mm)：25×35●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
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