10×20mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板
![10×20mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 - アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/full/mono05087261-241204-02.jpg "注文コード：05087525,05087541,05087550,05087559,05087568,05087577,05087586,05087595,05087611,05087620,05087629,05087638,05087647,05087656")
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
- 仕様
- ●サイズ(mm)：10×20●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
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![15×15mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン](https://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/middle/mono05087261-241204-02.jpg "15×15mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン")
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