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¥3,298~税込¥3,628~
1個
18日以内出荷
JEDEC規格に準拠
1.2Vの低電圧で低消費電力
安定性、耐久性、信頼性を100%テスト済
主流のDDR4マザーボードでの互換性を100%検証済
形状288Pin UDIMM non-ECC規格DDR4 SDRAM電圧(V)1.2準拠規格JEDEC保証期間無期限保証ピン数(ピン)288メモリークロック2133CASレイテンシーCL15SPD対応メモリーインターフェイスUDIMM

¥3,398~税込¥3,738~特価
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JEDEC規格に準拠
1.2Vの低電圧で低消費電力
安定性、耐久性、信頼性を100%テスト済
主流のDDR4マザーボードでの互換性を100%検証済
メモリーインターフェイスUDIMM規格DDR4 SDRAMSPD対応ピン数(ピン)288電圧(V)1.2形状288Pin UDIMM non-ECCCASレイテンシーCL17保証期間無期限保証メモリークロック2400準拠規格JEDEC

¥19,980税込¥21,978
1枚ほか
7日以内出荷
ノートPC用メモリモジュール。260Pin DDR4-2400 PC4-19200に対応。低電圧タイプのメモリーです。
1.2Vの低電圧動作により、省電力を実現、発熱の低減、システムの安定化、長寿命化に効果的です。
仕様(CL値)CL17形状(メモリモジュール)260Pin UDIMM non-ECC電圧(V)1.2周波数(MHz)2400

¥24,980~税込¥27,478~
1個(2枚組)
4日以内出荷から23日以内出荷
5600MT/sの周波数で高速転送と高い帯域幅を実現。DDR4より1.5倍以上早く、マルチタスクに素早く対応。8GB、16GB、32GBのモジュールに対応可能。DDR4より2倍のチップユニット容量 (16GBから32GB) でシームレスにマルチタスクを行うことが可能。1.1V低電圧で低消費電力。On-Die Error Correction Code (ECC)を使用し、安定性を向上。モジュールごとに2つの独立したデータチャネルによリ効率の最適化。DDR4より2倍のメモリバンクと2倍のバースト長で高パフォーマンス。第13世代 Gen Intel(R) Core(TM) プロセッサーに対応
仕様●CAS レイテンシー:CL46●フォームファクター:SODIMM●周波数 (速度):5600MT/s●証明:CE、UKCA、Green dot (ドイツ、スペインのみ)、WEEE、Triman寸法(mm)69.6×30.0規格DDR5電圧(V)1.1保証期間永久保証RoHS指令(10物質対応)対応メモリーインターフェイスSODIMM

¥6,598~税込¥7,258~
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JEDEC規格に準拠
1.2Vの低電圧で低消費電力
安定性、耐久性、信頼性を100%テスト済
主流のDDR4マザーボードでの互換性を100%検証済
形状260Pin SODIMM non-ECC規格DDR4 SDRAM電圧(V)1.2準拠規格JEDEC保証期間無期限保証ピン数(ピン)260メモリークロック2400CASレイテンシーCL17SPD対応メモリーインターフェイスS.O.DIMM

¥3,198~税込¥3,518~
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JEDEC規格に準拠
1.2Vの低電圧で低消費電力
安定性、耐久性、信頼性を100%テスト済
主流のDDR4マザーボードでの互換性を100%検証済
形状260Pin SODIMM non-ECC規格DDR4 SDRAM電圧(V)1.2準拠規格JEDEC保証期間無期限保証ピン数(ピン)260メモリークロック2133CASレイテンシーCL15SPD対応メモリーインターフェイスS.O.DIMM
![SP004GBSTU160N02 増設メモリ ノートPC用 SP004GBSTU160N02 [SO-DIMM DDR3 /4GB /1枚 /204pin] シリコンパワー(Silicon Power)](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/full/mono57402967-200831-02.jpg)
¥1,498税込¥1,648
1個
18日以内出荷
204Pin DDR3-1600 PC3-12800 SO-DIMM 4GB
枚数1枚機能ECC機能:非対応ピン数(ピン)204pin容量(GB)4/枚メモリ規格SO-DIMM DDR3メモリーインターフェイスSO-DIMM

¥23,980~税込¥26,378~
1個(2枚組)
当日出荷
4800MT/sの周波数で高速転送と高い帯域幅を実現。DDR4より1.5倍以上早く、マルチタスクに素早く対応。8GB、16GB、32GBのモジュールに対応可能。DDR4より2倍のチップユニット容量 (16GBから32GB) でシームレスにマルチタスクを行うことが可能。1.1V低電圧で低消費電力。On-Die Error Correction Code (ECC)を使用し、安定性を向上。モジュールごとに2つの独立したデータチャネルによリ効率の最適化。DDR4より2倍のメモリバンクと2倍のバースト長で高パフォーマンス。第12世代 Gen Intel(R) Core(TM) プロセッサーに対応
仕様●CAS レイテンシー:CL46●周波数 (速度):5600MT/s●証明:CE、UKCA、Green dot (ドイツ、スペインのみ)、WEEE、Triman寸法(mm)133.4×31.3規格DDR5-5600電圧(V)1.1保証期間永久保証ピン数(ピン)262RoHS指令(10物質対応)対応メモリーモジュール規格PC5-5600メモリーインターフェイスSODIMM
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