JEDEC規格に準拠
1.2Vの低電圧で低消費電力
安定性、耐久性、信頼性を100%テスト済
主流のDDR4マザーボードでの互換性を100%検証済
形状288Pin UDIMM non-ECC
規格DDR4 SDRAM
電圧(V)1.2
準拠規格JEDEC
保証期間無期限保証
ピン数(ピン)288
メモリークロック2133
CASレイテンシーCL15
SPD対応
メモリーインターフェイスUDIMM
ノートPC用メモリモジュール。260Pin DDR4-2400 PC4-19200に対応。低電圧タイプのメモリーです。
1.2Vの低電圧動作により、省電力を実現、発熱の低減、システムの安定化、長寿命化に効果的です。
仕様(CL値)CL17
形状(メモリモジュール)260Pin UDIMM non-ECC
電圧(V)1.2
周波数(MHz)2400
JEDEC規格に準拠
1.2Vの低電圧で低消費電力
安定性、耐久性、信頼性を100%テスト済
主流のDDR4マザーボードでの互換性を100%検証済
形状288Pin UDIMM non-ECC
規格DDR4 SDRAM
電圧(V)1.2
準拠規格JEDEC
保証期間無期限保証
ピン数(ピン)288
メモリークロック2666
CASレイテンシーCL19
SPD対応
メモリーインターフェイスUDIMM
JEDEC規格に準拠
1.2Vの低電圧で低消費電力
安定性、耐久性、信頼性を100%テスト済
主流のDDR4マザーボードでの互換性を100%検証済
メモリーインターフェイスUDIMM
規格DDR4 SDRAM
SPD対応
ピン数(ピン)288
電圧(V)1.2
形状288Pin UDIMM non-ECC
CASレイテンシーCL17
保証期間無期限保証
メモリークロック2400
準拠規格JEDEC
JEDEC規格に準拠
1.2Vの低電圧で低消費電力
安定性、耐久性、信頼性を100%テスト済
主流のDDR4マザーボードでの互換性を100%検証済
仕様●外形情報:260PinSODIMMnon-ECC
電圧1.2V
保証期間無期限保証
各種認証CE、FCC、Greendot、WEEE、RoHS
動作周波数(MHz)2133MHz、2400MHz、2666MHz、3200MHz
CASレイテンシーCL15(2133)、CL17(2400)、CL19(2666)、CL22(3200)
JEDEC規格に準拠
1.2Vの低電圧で低消費電力
安定性、耐久性、信頼性を100%テスト済
主流のDDR4マザーボードでの互換性を100%検証済
形状260Pin SODIMM non-ECC
規格DDR4 SDRAM
電圧(V)1.2
準拠規格JEDEC
保証期間無期限保証
ピン数(ピン)260
メモリークロック2400
CASレイテンシーCL17
SPD対応
メモリーインターフェイスS.O.DIMM
JEDEC規格に準拠
1.2Vの低電圧で低消費電力
安定性、耐久性、信頼性を100%テスト済
主流のDDR4マザーボードでの互換性を100%検証済
形状260Pin SODIMM non-ECC
規格DDR4 SDRAM
電圧(V)1.2
準拠規格JEDEC
保証期間無期限保証
ピン数(ピン)260
メモリークロック2666
CASレイテンシーCL19
SPD対応
メモリーインターフェイスS.O.DIMM
JEDEC規格に準拠
1.2Vの低電圧で低消費電力
安定性、耐久性、信頼性を100%テスト済
主流のDDR4マザーボードでの互換性を100%検証済
形状260Pin SODIMM non-ECC
規格DDR4 SDRAM
電圧(V)1.2
準拠規格JEDEC
保証期間無期限保証
ピン数(ピン)260
メモリークロック2133
CASレイテンシーCL15
SPD対応
メモリーインターフェイスS.O.DIMM
5600MT/sの周波数で高速転送と高い帯域幅を実現。DDR4より1.5倍以上早く、マルチタスクに素早く対応。8GB、16GB、32GBのモジュールに対応可能。DDR4より2倍のチップユニット容量 (16GBから32GB) でシームレスにマルチタスクを行うことが可能。1.1V低電圧で低消費電力。On-Die Error Correction Code (ECC)を使用し、安定性を向上。モジュールごとに2つの独立したデータチャネルによリ効率の最適化。DDR4より2倍のメモリバンクと2倍のバースト長で高パフォーマンス。第13世代 Gen Intel(R) Core(TM) プロセッサーに対応
仕様●CAS レイテンシー:CL46●フォームファクター:SODIMM●周波数 (速度):5600MT/s●証明:CE、UKCA、Green dot (ドイツ、スペインのみ)、WEEE、Triman
寸法(mm)69.6×30.0
規格DDR5
電圧(V)1.1
保証期間永久保証
RoHS指令(10物質対応)対応
メモリーインターフェイスSODIMM
204Pin DDR3-1600 PC3-12800 SO-DIMM 4GB
枚数1枚
機能ECC機能:非対応
ピン数(ピン)204pin
容量(GB)4/枚
メモリ規格SO-DIMM DDR3
メモリーインターフェイスSO-DIMM
1個
¥1,498
税込¥1,648
18日以内出荷
4800MT/sの周波数で高速転送と高い帯域幅を実現。DDR4より1.5倍以上早く、マルチタスクに素早く対応。8GB、16GB、32GBのモジュールに対応可能。DDR4より2倍のチップユニット容量 (16GBから32GB) でシームレスにマルチタスクを行うことが可能。1.1V低電圧で低消費電力。On-Die Error Correction Code (ECC)を使用し、安定性を向上。モジュールごとに2つの独立したデータチャネルによリ効率の最適化。DDR4より2倍のメモリバンクと2倍のバースト長で高パフォーマンス。第12世代 Gen Intel(R) Core(TM) プロセッサーに対応
仕様●CAS レイテンシー:CL46●周波数 (速度):5600MT/s●証明:CE、UKCA、Green dot (ドイツ、スペインのみ)、WEEE、Triman
寸法(mm)133.4×31.3
規格DDR5-5600
電圧(V)1.1
保証期間永久保証
ピン数(ピン)262
RoHS指令(10物質対応)対応
メモリーモジュール規格PC5-5600
メモリーインターフェイスSODIMM
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