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MLG0603S1N0CT TDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 600mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 600mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm
RoHS
仕様インダクタンス = 1 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 14.4GHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG0603Sシリーズ. 高周波数(多層)用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥93 税込￥102
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MLK0603L33NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 33 nH， 100mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 33 nH， 100mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mm
RoHS
仕様インダクタンス = 33 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK0603シリーズ RoHS指令(10物質対応)対応
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￥68 税込￥75
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NLFC322522T-681K-PF TDK 巻線インダクタ (面実装)， 680 μH， 20mA， シールド， 3.2 x 2.5 x 2.2mm TDK
TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 680 μH， 20mA， シールド， 3.2 x 2.5 x 2.2mm
RoHS
仕様インダクタンス = 680 μH最大直流電流 = 20mAパッケージ/ケース = 1210長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.2mm寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.2mmシールド = Y許容差 = ±10%最大直流抵抗 = 20Ω最大自己共振周波数 = 3MHz最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、NLFC32シリーズ RoHS指令(10物質対応)対応
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￥359 税込￥395
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VLF10045T-470M1R9 TDK 巻線インダクタ (面実装)， 47 μH， 2.2A， シールド， 10 x 9.7 x 4.5mm TDK
TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 47 μH， 2.2A， シールド， 10 x 9.7 x 4.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 47 μH最大直流電流 = 2.2A長さ = 10mm奥行き = 9.7mm高さ = 4.5mm寸法 = 10 x 9.7 x 4.5mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 112mΩインダクタ構造 = 巻線型インダクタ、VLF10045シリーズ. 小型、低プロファイル設計 携帯電話DC-DCコンバータチョークコイルに最適 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥1,298 税込￥1,428
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AVRL101A1R1NTB TDK 酸化金属バリスタ， 39V TDK
TDKTDK 酸化金属バリスタ， 39V
RoHS
仕様バリスタ電圧 = 39V最大直流定格電圧 = 10V静電容量 = 1.1pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mm厚さ = 0.5mm寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mmパッケージ/ケース = 0402 (1005M)バリスタ、AVRLシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタ RoHS指令(10物質対応)対応
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￥299 税込￥329
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AVR-M2012C390KT6AB TDK 酸化金属バリスタ， 39V， 100A TDK
TDKTDK 酸化金属バリスタ， 39V， 100A
RoHS
仕様バリスタ電圧 = 39V最大直流定格電圧 = 28V制限電圧 = 62Vクランプ電流 = 5Aエネルギー = 0.3J最大サージ電流 = 100A静電容量 = 430pF長さ = 2mm奥行き = 1.25mmパッケージ/ケース = 0805バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタ RoHS指令(10物質対応)対応
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￥499 税込￥549
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AVR-M1608C270MTABB TDK 酸化金属バリスタ， 27V， 2A TDK
TDKTDK 酸化金属バリスタ， 27V， 2A
RoHS
仕様バリスタ電圧 = 27V最大直流定格電圧 = 17V制限電圧 = 52Vクランプ電流 = 2Aエネルギー = 0.05J最大サージ電流 = 2A静電容量 = 15pF長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mmパッケージ/ケース = 0603バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタ RoHS指令(10物質対応)対応
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￥449 税込￥494
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AVR-M1608C270KT6AB TDK 酸化金属バリスタ， 27V， 48A TDK
TDKTDK 酸化金属バリスタ， 27V， 48A
RoHS
仕様バリスタ電圧 = 27V最大直流定格電圧 = 19V制限電圧 = 42Vクランプ電流 = 2Aエネルギー = 0.1J最大サージ電流 = 48A静電容量 = 430pF長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mmパッケージ/ケース = 0603バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタ RoHS指令(10物質対応)対応
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￥309 税込￥340
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AVR-M1608C220KT2AB TDK 酸化金属バリスタ， 22V， 10A TDK
TDKTDK 酸化金属バリスタ， 22V， 10A
RoHS
仕様バリスタ電圧 = 22V最大直流定格電圧 = 16V制限電圧 = 37Vクランプ電流 = 2Aエネルギー = 0.03J最大サージ電流 = 10A静電容量 = 210pF長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mmパッケージ/ケース = 0603バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥299 税込￥329
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AVR-M1608C180MT6AB TDK 酸化金属バリスタ， 18V， 30A TDK
TDKTDK 酸化金属バリスタ， 18V， 30A
RoHS
仕様バリスタ電圧 = 18V最大直流定格電圧 = 11V制限電圧 = 30Vクランプ電流 = 2Aエネルギー = 0.1J最大サージ電流 = 30A静電容量 = 600pF長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mmパッケージ/ケース = 0603 (1608M)バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタ RoHS指令(10物質対応)対応
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￥259 税込￥285
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AVR-M1608C120MT6AB TDK 酸化金属バリスタ， 12V， 50A TDK
TDKTDK 酸化金属バリスタ， 12V， 50A
RoHS
仕様バリスタ電圧 = 12V最大直流定格電圧 = 7.5V制限電圧 = 20Vクランプ電流 = 2Aエネルギー = 0.09J最大サージ電流 = 50A静電容量 = 1.05nF長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mmパッケージ/ケース = 0603バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタ RoHS指令(10物質対応)対応
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￥279 税込￥307
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AVR-M1005C120MTAAB TDK 酸化金属バリスタ， 12V， 10A TDK
TDKTDK 酸化金属バリスタ， 12V， 10A
RoHS
仕様バリスタ電圧 = 12V最大直流定格電圧 = 7.5V制限電圧 = 20Vクランプ電流 = 1Aエネルギー = 0.05J最大サージ電流 = 10A静電容量 = 130pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mmパッケージ/ケース = 0402バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥169 税込￥186
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AVR-M1005C080MTADB TDK 酸化金属バリスタ， 8V， 25A TDK
TDKTDK 酸化金属バリスタ， 8V， 25A
RoHS
仕様バリスタ電圧 = 8V最大直流定格電圧 = 5.5V制限電圧 = 14Vクランプ電流 = 1Aエネルギー = 0.04J最大サージ電流 = 25A静電容量 = 480pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mmパッケージ/ケース = 0402 (1005M)バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタ RoHS指令(10物質対応)対応
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￥4,198 税込￥4,618
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AVR-M1005C080MTAAB TDK 酸化金属バリスタ， 8V， 25A TDK
TDKTDK 酸化金属バリスタ， 8V， 25A
RoHS
仕様バリスタ電圧 = 8V最大直流定格電圧 = 5.5V制限電圧 = 14Vクランプ電流 = 1Aエネルギー = 0.04J最大サージ電流 = 25A静電容量 = 650pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mmパッケージ/ケース = 0402バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタ RoHS指令(10物質対応)対応
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￥249 税込￥274
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VLCF5020T-4R7N1R7-1 TDK 巻線インダクタ (面実装)， 4.7 μH， 2.09A， シールド， 5.3 x 5 x 2mm TDK
TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 4.7 μH， 2.09A， シールド， 5.3 x 5 x 2mm
RoHS
仕様インダクタンス = 4.7 μH最大直流電流 = 2.09A長さ = 5.3mm奥行き = 5mm高さ = 2mm寸法 = 5.3 x 5 x 2mmシールド = Y許容差 = ±30%最大直流抵抗 = 122mΩシリーズ = VLCF最小動作温度 = -40℃VLCF5020シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. TDKのVLCFシリーズの業務用表面実装パワーインダクタ製品で、電源回路用磁気シールド型巻線インダクタを備えています。. 特長と利点:. 高磁気シールド構造 ポータブルDC-DCコンバータ回線の一般使用が可能 テスト周波数 = 100 kHz. 用途:. HDD、DVC、DSCなどの携帯デバイス用の電源インダクタ。LCDディスプレイ及びその他のDC-DCコンバータ。 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥439 税込￥483
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VLCF5020T-2R2N2R6-1 TDK 巻線インダクタ (面実装)， 2.2 μH， 2.76A， シールド， 5.3 x 5 x 2mm TDK
TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 2.2 μH， 2.76A， シールド， 5.3 x 5 x 2mm
RoHS
仕様インダクタンス = 2.2 μH最大直流電流 = 2.76A長さ = 5.3mm奥行き = 5mm高さ = 2mm寸法 = 5.3 x 5 x 2mmシールド = Y許容差 = ±30%最大直流抵抗 = 71mΩシリーズ = VLCF最小動作温度 = -40℃VLCF5020シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. TDKのVLCFシリーズの業務用表面実装パワーインダクタ製品で、電源回路用磁気シールド型巻線インダクタを備えています。. 特長と利点:. 高磁気シールド構造 ポータブルDC-DCコンバータ回線の一般使用が可能 テスト周波数 = 100 kHz. 用途:. HDD、DVC、DSCなどの携帯デバイス用の電源インダクタ。LCDディスプレイ及びその他のDC-DCコンバータ。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥459 税込￥505
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ACM9070-701-2PL Filter，Common Mode，2Line，700ohm，5A TDK
TDKFilter，Common Mode，2Line，700ohm，5A
RoHS
仕様寸法 = 9 x 7 x 4.5mm動作温度範囲 = -25 → +85 ℃パッケージ/ケース = 9070高さ = 4.5mmコモンモードフィルタ(ACM3225/4532/ 7060/9070/1211/1513). 大電流巻線チップコモンモードフィルタ 最大10 Aまでサポート RoHS指令(10物質対応)対応
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￥999 税込￥1,099
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ACM2520-451-2P TDK コモンモードフィルタ， 350mA， 2.5 x 2 x 1.2mm TDK
TDKTDK コモンモードフィルタ， 350mA， 2.5 x 2 x 1.2mm
RoHS
仕様最大直流電流 = 350mAパッケージ/ケース = 2520長さ = 2.5mm奥行き = 2mm高さ = 1.2mm寸法 = 2.5 x 2 x 1.2mm最大直流抵抗 = 400mΩ最小動作温度 = -25℃コモンモードフィルタ、ACM2012 / 2520 / 3225 / 4532. 巻線チップコモンモードフィルタ 高速信号にも最適 2行及び3行範囲の製品 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥459 税込￥505
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ACM2012-361-2P Filter，Common Mode，2Line，360ohm，0.22A TDK
TDKFilter，Common Mode，2Line，360ohm，0.22A
RoHS
仕様寸法 = 2 x 1.2 x 1.3mm動作温度範囲 = -25 → +85 ℃パッケージ/ケース = 2012長さ = 2mmコモンモードフィルタ、ACM2012 / 2520 / 3225 / 4532. 巻線チップコモンモードフィルタ 高速信号にも最適 2行及び3行範囲の製品 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥359 税込￥395
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SLF7032T-330MR75-2PF TDK 巻線インダクタ (面実装)， 33 μH， 750mA， シールド， 7 x 7 x 3.2mm TDK
TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 33 μH， 750mA， シールド， 7 x 7 x 3.2mm
RoHS
仕様インダクタンス = 33 μH最大直流電流 = 750mA長さ = 7mm奥行き = 7mm高さ = 3.2mm寸法 = 7 x 7 x 3.2mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 160mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ、SLF7032シリーズ. 電源SMDインダクタ(コイル) 電源コンポーネントに最適な低Rdc、高電流、低エネルギー消費 基板に安定して取り付けられるフラットな底部 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥939 税込￥1,033
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SLF7028T-470MR54-PF TDK 巻線インダクタ (面実装)， 47 μH， 540mA， シールド， 7 x 7 x 2.8mm TDK
TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 47 μH， 540mA， シールド， 7 x 7 x 2.8mm
RoHS
仕様インダクタンス = 47 μH最大直流電流 = 540mA長さ = 7mm奥行き = 7mm高さ = 2.8mm寸法 = 7 x 7 x 2.8mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 340mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ、SLF7028シリーズ. 電源SMDインダクタ(コイル) 電源コンポーネントに最適な低Rdc、高電流、低エネルギー消費 高密度設計に適した磁気シールドタイプ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,198 税込￥1,318
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SLF7028T-220MR75-PF TDK 巻線インダクタ (面実装)， 22 μH， 750mA， シールド， 7 x 7 x 2.8mm TDK
TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 22 μH， 750mA， シールド， 7 x 7 x 2.8mm
RoHS
仕様インダクタンス = 22 μH最大直流電流 = 750mA長さ = 7mm奥行き = 7mm高さ = 2.8mm寸法 = 7 x 7 x 2.8mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 180mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ、SLF7028シリーズ. 電源SMDインダクタ(コイル) 電源コンポーネントに最適な低Rdc、高電流、低エネルギー消費 高密度設計に適した磁気シールドタイプ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,198 税込￥1,318
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SLF6025T-330MR59-PF TDK 巻線インダクタ (面実装)， 33 μH， 590mA， シールド， 6 x 6 x 2.5mm TDK
TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 33 μH， 590mA， シールド， 6 x 6 x 2.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 33 μH最大直流電流 = 590mA長さ = 6mm奥行き = 6mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 6 x 2.5mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 180mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ、SLF6025シリーズ. 高電流、省エネ電源用に最適な低いDC抵抗. 磁気シールドコイル付きパワーSMDインダクタ。モバイルデバイスやPCなど様々な電気的用途に最適 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,198 税込￥1,318
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SLF6025T-101MR33-PF TDK 巻線インダクタ (面実装)， 100 μH， 330mA， シールド， 6 x 6 x 2.5mm TDK
TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 100 μH， 330mA， シールド， 6 x 6 x 2.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 100 μH最大直流電流 = 330mA長さ = 6mm奥行き = 6mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 6 x 2.5mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 500mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ SLF6025シリーズ. 電源用SMDインダクタ(巻線、磁気シールド) 電源系に最適な低Rdc、大電流、省エネタイプ 携帯機器、パソコンその他の各種電子機器に最適 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥919 税込￥1,011
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MMZ1608Y121B TDK チップフェライトビーズ， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDK
TDKTDK チップフェライトビーズ， 1.6 x 0.8 x 0.8mm
RoHS
仕様パッケージタイプ = 0603 (1608M)タイプ = チップビーズ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm材料 = フェライトチップビーズ、MMZ1608. 5つの材質でできたチップビーズ 高信頼性、完全モノリシック構造 閉磁気回路構造により高密度実装が可能 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥129 税込￥142
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MLK1005SR10JT TDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 100mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 100mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 1.9GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 2.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥149 税込￥164
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MLK1005S8N2DT TDK 積層表面実装インダクタ， 8.2 nH， 350mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 8.2 nH， 350mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 8.2 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 350mA最大自己共振周波数 = 6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 380mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥73 税込￥80
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MLK1005S82NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥57 税込￥63
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MLK1005S6N8DT TDK 積層表面実装インダクタ， 6.8 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 6.8 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 6.8 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥73 税込￥80
翌々日出荷
MLK1005S4N7ST TDK 積層表面実装インダクタ， 4.7 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 4.7 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 4.7 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 280mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥57 税込￥63
翌々日出荷
MLK1005S22NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 22 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 22 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 22 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 700mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥149 税込￥164
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MLK1005S18NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 18 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 18 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 18 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 600mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥58 税込￥64
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MLK1005S15NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 4.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 500mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥56 税込￥62
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MLG1608SR15JT TDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 250mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 250mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm
RoHS
仕様インダクタンス = 150 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最小品質ファクター = 14パッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 1.3Ω寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥289 税込￥318
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MLG1608B1N5ST TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm
RoHS
仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 19.6GHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥60 税込￥66
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MLG1608B1N2ST TDK 積層表面実装インダクタ， 1.2 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1.2 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm
RoHS
仕様インダクタンス = 1.2 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 20GHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥229 税込￥252
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MLG1005SR39JT TDK 積層表面実装インダクタ， 390 nH， 50mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 390 nH， 50mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 390 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 50mA最大自己共振周波数 = 400MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥129 税込￥142
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MLG1005SR15JT TDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 150 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 700MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 3.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥67 税込￥74
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MLG1005S6N2ST TDK 積層表面実装インダクタ， 6.2 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 6.2 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 6.2 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥129 税込￥142
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MLG1005S5N6ST TDK 積層表面実装インダクタ， 5.6 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 5.6 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 5.6 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥129 税込￥142
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