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AVR-M1608C120MT6AB TDK 酸化金属バリスタ， 12V， 50A TDK
TDKTDK 酸化金属バリスタ， 12V， 50A
RoHS
仕様バリスタ電圧 = 12V最大直流定格電圧 = 7.5V制限電圧 = 20Vクランプ電流 = 2Aエネルギー = 0.09J最大サージ電流 = 50A静電容量 = 1.05nF長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mmパッケージ/ケース = 0603バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタ RoHS指令(10物質対応)対応
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￥269 税込￥296
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AVR-M1005C120MTAAB TDK 酸化金属バリスタ， 12V， 10A TDK
TDKTDK 酸化金属バリスタ， 12V， 10A
RoHS
仕様バリスタ電圧 = 12V最大直流定格電圧 = 7.5V制限電圧 = 20Vクランプ電流 = 1Aエネルギー = 0.05J最大サージ電流 = 10A静電容量 = 130pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mmパッケージ/ケース = 0402バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタ RoHS指令(10物質対応)対応
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￥169 税込￥186
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AVR-M1005C080MTADB TDK 酸化金属バリスタ， 8V， 25A TDK
TDKTDK 酸化金属バリスタ， 8V， 25A
RoHS
仕様バリスタ電圧 = 8V最大直流定格電圧 = 5.5V制限電圧 = 14Vクランプ電流 = 1Aエネルギー = 0.04J最大サージ電流 = 25A静電容量 = 480pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mmパッケージ/ケース = 0402 (1005M)バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタ RoHS指令(10物質対応)対応
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￥4,198 税込￥4,618
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VLCF5020T-4R7N1R7-1 TDK 巻線インダクタ (面実装)， 4.7 μH， 2.09A， シールド， 5.3 x 5 x 2mm TDK
TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 4.7 μH， 2.09A， シールド， 5.3 x 5 x 2mm
RoHS
仕様インダクタンス = 4.7 μH最大直流電流 = 2.09A長さ = 5.3mm奥行き = 5mm高さ = 2mm寸法 = 5.3 x 5 x 2mmシールド = Y許容差 = ±30%最大直流抵抗 = 122mΩシリーズ = VLCF最小動作温度 = -40℃VLCF5020シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. TDKのVLCFシリーズの業務用表面実装パワーインダクタ製品で、電源回路用磁気シールド型巻線インダクタを備えています。. 特長と利点:. 高磁気シールド構造 ポータブルDC-DCコンバータ回線の一般使用が可能 テスト周波数 = 100 kHz. 用途:. HDD、DVC、DSCなどの携帯デバイス用の電源インダクタ。LCDディスプレイ及びその他のDC-DCコンバータ。 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥439 税込￥483
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VLCF5020T-2R2N2R6-1 TDK 巻線インダクタ (面実装)， 2.2 μH， 2.76A， シールド， 5.3 x 5 x 2mm TDK
TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 2.2 μH， 2.76A， シールド， 5.3 x 5 x 2mm
RoHS
仕様インダクタンス = 2.2 μH最大直流電流 = 2.76A長さ = 5.3mm奥行き = 5mm高さ = 2mm寸法 = 5.3 x 5 x 2mmシールド = Y許容差 = ±30%最大直流抵抗 = 71mΩシリーズ = VLCF最小動作温度 = -40℃VLCF5020シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. TDKのVLCFシリーズの業務用表面実装パワーインダクタ製品で、電源回路用磁気シールド型巻線インダクタを備えています。. 特長と利点:. 高磁気シールド構造 ポータブルDC-DCコンバータ回線の一般使用が可能 テスト周波数 = 100 kHz. 用途:. HDD、DVC、DSCなどの携帯デバイス用の電源インダクタ。LCDディスプレイ及びその他のDC-DCコンバータ。 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥459 税込￥505
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ACM9070-701-2PL Filter，Common Mode，2Line，700ohm，5A TDK
TDKFilter，Common Mode，2Line，700ohm，5A
RoHS
仕様寸法 = 9 x 7 x 4.5mm動作温度範囲 = -25 → +85 ℃パッケージ/ケース = 9070高さ = 4.5mmコモンモードフィルタ(ACM3225/4532/ 7060/9070/1211/1513). 大電流巻線チップコモンモードフィルタ 最大10 Aまでサポート RoHS指令(10物質対応)対応
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￥999 税込￥1,099
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ACM2520-451-2P TDK コモンモードフィルタ， 350mA， 2.5 x 2 x 1.2mm TDK
TDKTDK コモンモードフィルタ， 350mA， 2.5 x 2 x 1.2mm
RoHS
仕様最大直流電流 = 350mAパッケージ/ケース = 2520長さ = 2.5mm奥行き = 2mm高さ = 1.2mm寸法 = 2.5 x 2 x 1.2mm最大直流抵抗 = 400mΩ最小動作温度 = -25℃コモンモードフィルタ、ACM2012 / 2520 / 3225 / 4532. 巻線チップコモンモードフィルタ 高速信号にも最適 2行及び3行範囲の製品 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥459 税込￥505
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ACM2012-361-2P Filter，Common Mode，2Line，360ohm，0.22A TDK
TDKFilter，Common Mode，2Line，360ohm，0.22A
RoHS
仕様寸法 = 2 x 1.2 x 1.3mm動作温度範囲 = -25 → +85 ℃パッケージ/ケース = 2012長さ = 2mmコモンモードフィルタ、ACM2012 / 2520 / 3225 / 4532. 巻線チップコモンモードフィルタ 高速信号にも最適 2行及び3行範囲の製品 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥359 税込￥395
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ACM1211-102-2PL Filter，Common Mode，2Line，1000ohm，6A TDK
TDKFilter，Common Mode，2Line，1000ohm，6A
RoHS
仕様寸法 = 12 x 11 x 6mm動作温度範囲 = -25 → +85 ℃パッケージ/ケース = 1211長さ = 12mmコモンモードフィルタ(ACM3225/4532/ 7060/9070/1211/1513). 大電流巻線チップコモンモードフィルタ 最大10 Aまでサポート RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥269 税込￥296
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SLF7032T-330MR75-2PF TDK 巻線インダクタ (面実装)， 33 μH， 750mA， シールド， 7 x 7 x 3.2mm TDK
TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 33 μH， 750mA， シールド， 7 x 7 x 3.2mm
RoHS
仕様インダクタンス = 33 μH最大直流電流 = 750mA長さ = 7mm奥行き = 7mm高さ = 3.2mm寸法 = 7 x 7 x 3.2mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 160mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ、SLF7032シリーズ. 電源SMDインダクタ(コイル) 電源コンポーネントに最適な低Rdc、高電流、低エネルギー消費 基板に安定して取り付けられるフラットな底部 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥939 税込￥1,033
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SLF7028T-470MR54-PF TDK 巻線インダクタ (面実装)， 47 μH， 540mA， シールド， 7 x 7 x 2.8mm TDK
TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 47 μH， 540mA， シールド， 7 x 7 x 2.8mm
RoHS
仕様インダクタンス = 47 μH最大直流電流 = 540mA長さ = 7mm奥行き = 7mm高さ = 2.8mm寸法 = 7 x 7 x 2.8mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 340mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ、SLF7028シリーズ. 電源SMDインダクタ(コイル) 電源コンポーネントに最適な低Rdc、高電流、低エネルギー消費 高密度設計に適した磁気シールドタイプ RoHS指令(10物質対応)対応
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￥1,198 税込￥1,318
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SLF7028T-220MR75-PF TDK 巻線インダクタ (面実装)， 22 μH， 750mA， シールド， 7 x 7 x 2.8mm TDK
TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 22 μH， 750mA， シールド， 7 x 7 x 2.8mm
RoHS
仕様インダクタンス = 22 μH最大直流電流 = 750mA長さ = 7mm奥行き = 7mm高さ = 2.8mm寸法 = 7 x 7 x 2.8mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 180mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ、SLF7028シリーズ. 電源SMDインダクタ(コイル) 電源コンポーネントに最適な低Rdc、高電流、低エネルギー消費 高密度設計に適した磁気シールドタイプ RoHS指令(10物質対応)対応
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￥1,198 税込￥1,318
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SLF6025T-330MR59-PF TDK 巻線インダクタ (面実装)， 33 μH， 590mA， シールド， 6 x 6 x 2.5mm TDK
TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 33 μH， 590mA， シールド， 6 x 6 x 2.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 33 μH最大直流電流 = 590mA長さ = 6mm奥行き = 6mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 6 x 2.5mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 180mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ、SLF6025シリーズ. 高電流、省エネ電源用に最適な低いDC抵抗. 磁気シールドコイル付きパワーSMDインダクタ。モバイルデバイスやPCなど様々な電気的用途に最適 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥1,198 税込￥1,318
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SLF6025T-101MR33-PF TDK 巻線インダクタ (面実装)， 100 μH， 330mA， シールド， 6 x 6 x 2.5mm TDK
TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 100 μH， 330mA， シールド， 6 x 6 x 2.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 100 μH最大直流電流 = 330mA長さ = 6mm奥行き = 6mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 6 x 2.5mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 500mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ SLF6025シリーズ. 電源用SMDインダクタ(巻線、磁気シールド) 電源系に最適な低Rdc、大電流、省エネタイプ 携帯機器、パソコンその他の各種電子機器に最適 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥919 税込￥1,011
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MMZ1608Y121B TDK チップフェライトビーズ， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDK
TDKTDK チップフェライトビーズ， 1.6 x 0.8 x 0.8mm
RoHS
仕様パッケージタイプ = 0603 (1608M)タイプ = チップビーズ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm材料 = フェライトチップビーズ、MMZ1608. 5つの材質でできたチップビーズ 高信頼性、完全モノリシック構造 閉磁気回路構造により高密度実装が可能 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥129 税込￥142
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MLK1005SR10JT TDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 100mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 100mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 1.9GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 2.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥149 税込￥164
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MLK1005S8N2DT TDK 積層表面実装インダクタ， 8.2 nH， 350mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 8.2 nH， 350mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 8.2 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 350mA最大自己共振周波数 = 6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 380mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥73 税込￥80
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MLK1005S82NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥57 税込￥63
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MLK1005S6N8DT TDK 積層表面実装インダクタ， 6.8 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 6.8 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 6.8 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥73 税込￥80
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MLK1005S68NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 68 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 68 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 68 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥58 税込￥64
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MLK1005S4N7ST TDK 積層表面実装インダクタ， 4.7 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 4.7 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 4.7 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 280mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥57 税込￥63
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MLK1005S22NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 22 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 22 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 22 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 700mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥149 税込￥164
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MLK1005S18NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 18 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 18 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 18 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 600mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥58 税込￥64
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MLK1005S15NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 4.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 500mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥56 税込￥62
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MLG1608SR15JT TDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 250mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 250mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm
RoHS
仕様インダクタンス = 150 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最小品質ファクター = 14パッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 1.3Ω寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥289 税込￥318
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MLG1608B1N5ST TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm
RoHS
仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 19.6GHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥60 税込￥66
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MLG1608B1N2ST TDK 積層表面実装インダクタ， 1.2 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1.2 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mm
RoHS
仕様インダクタンス = 1.2 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 20GHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥229 税込￥252
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MLG1005SR39JT TDK 積層表面実装インダクタ， 390 nH， 50mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 390 nH， 50mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 390 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 50mA最大自己共振周波数 = 400MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥129 税込￥142
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MLG1005SR15JT TDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 150 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 700MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 3.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥67 税込￥74
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MLG1005S82NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.6Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥109 税込￥120
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MLG1005S5N6ST TDK 積層表面実装インダクタ， 5.6 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 5.6 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 5.6 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥129 税込￥142
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MLG1005S56NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 56 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 56 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 56 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.3Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥67 税込￥74
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MLG1005S47NJT TDK 積層表面実装インダクタ， 47 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 47 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 47 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥149 税込￥164
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MLG1005S3N9CT TDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 nH， 700mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 nH， 700mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 3.9 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 700mA最大自己共振周波数 = 6.5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 200mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥81 税込￥89
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MLG1005S2N7CT TDK 積層表面実装インダクタ， 2.7 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 2.7 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 2.7 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 800mA最大自己共振周波数 = 7.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥119 税込￥131
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MLG1005S2N2CT TDK 積層表面実装インダクタ， 2.2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 2.2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 2.2 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 900mA最大自己共振周波数 = 8.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥119 税込￥131
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MLG1005S1N5CT TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm TDK
TDKTDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mm
RoHS
仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最大自己共振周波数 = 9.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥149 税込￥164
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C3225JB1C226M TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 16V dc 22μF ±20% TDK
TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 16V dc 22μF ±20%
RoHS
仕様静電容量 = 22μF電圧 = 16V dcパッケージ/ケース = 1210取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = JB許容差 = ±20%寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.5mm長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.5mm許容差(マイナス) = -20%許容差(プラス) = +20%温度係数 = ±10%セラミックコンデンサ Cシリーズ(3225サイズ). 3225 (ミリサイズ) チップコンデンサ 浮遊容量が少なく、理論値に近い回路設計が可能 残留インダクタンスが小さく、周波数特性が良好 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥329 税込￥362
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NLV32T-6R8J-PF TDK 巻線インダクタ (面実装)， 6.8 μH， 180mA， 3.2 x 2.5 x 2.2mm TDK
TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 6.8 μH， 180mA， 3.2 x 2.5 x 2.2mm
RoHS
仕様インダクタンス = 6.8 μH最大直流電流 = 180mAパッケージ/ケース = 1210長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.2mm寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.2mm許容差 = ±5%最大直流抵抗 = 1.8Ωシリーズ = NLV-PF最大自己共振周波数 = 40MHz最小品質ファクター = 30TDK 1210 NLVシリーズ巻線型インダクタ. 幅広い信号ライン用途に最適なSMD巻線型インダクタ 高Q値による、シャープな周波数応答 耐熱性の高い熱可塑樹脂製外装パッケージ 動作温度範囲 -40℃ → +105℃ 用途: TV、VCR、デジタルカメラ、xDSL、カーオーディオ、ECUシステム、HDDなど RoHS指令(10物質対応)対応
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￥359 税込￥395
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NLV32T-3R3J-PF TDK 巻線インダクタ (面実装)， 3.3 μH， 260mA， 3.2 x 2.5 x 2.2mm TDK
TDKTDK 巻線インダクタ (面実装)， 3.3 μH， 260mA， 3.2 x 2.5 x 2.2mm
RoHS
仕様インダクタンス = 3.3 μH最大直流電流 = 260mAパッケージ/ケース = 1210長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.2mm寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.2mm許容差 = ±5%最大直流抵抗 = 1.2Ωシリーズ = NLV-PF最大自己共振周波数 = 60MHz最小品質ファクター = 30TDK 1210 NLVシリーズ巻線型インダクタ. 幅広い信号ライン用途に最適なSMD巻線型インダクタ 高Q値による、シャープな周波数応答 耐熱性の高い熱可塑樹脂製外装パッケージ 動作温度範囲 -40℃ → +105℃ 用途: TV、VCR、デジタルカメラ、xDSL、カーオーディオ、ECUシステム、HDDなど RoHS指令(10物質対応)対応
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￥549 税込￥604
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