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TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),0.047μF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),0.047μFTDK
529税込582
1袋(50個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),0.01μF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC),0.01μFTDK
389税込428
1袋(20個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 7pF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 7pFTDK
3,198税込3,518
1セット(500個)ほか
7日以内出荷
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 330pF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 330pFTDK
859税込945
1袋(50個)ほか
7日以内出荷
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 22μF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 22μFTDK
389税込428
1袋(10個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 220pF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 220pFTDK
819税込901
1袋(100個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 2.2μF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 2.2μFTDK
329税込362
1袋(10個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 100μF TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 100μFTDK
789税込868
1袋(5個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 巻線インダクタ (面実装), 4.7 μH TDKTDK 巻線インダクタ (面実装), 4.7 μHTDK
999税込1,099
1袋(10個)ほか
7日以内出荷
TDK 巻線インダクタ (面実装), 10 μH TDKTDK 巻線インダクタ (面実装), 10 μHTDK
799税込879
1袋(5個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK 巻線インダクタ (面実装), 1.5 μH TDKTDK 巻線インダクタ (面実装), 1.5 μHTDK
979税込1,077
1袋(10個)ほか
7日以内出荷
TDK 3極コンデンサ TDKTDK 3極コンデンサTDK
179税込197
1袋(10個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
TDK コモンモードノイズフィルタ ACT 1.5 Ω TDKTDK コモンモードノイズフィルタ ACT 1.5 ΩTDK
1,298税込1,428
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 μHシリーズ = ACTインピーダンス = 1.5 ΩDC抵抗 = 1.5Ω電流 Max = 150 mA寸法 = 3.9 x 2.5 x 2.5mm動作温度範囲 = -55 → +105 ℃パッケージ/ケース = 1210奥行き = 2.5mmTDK ACT1210シリーズSMDコモンモードチョーク. 従来品(ACT45B、ACT45R)と同等特性の小型(3225サイズ)製品です。Ω55~+150℃の使用温度範囲に対応した、CAN-BUS/FlexRay用コモンモードフィルタです。. AEC-Q200認定 車載信号線に最適 ハロゲンフリー 鉛フリーはんだ対応RoHS指令(10物質対応)対応
TDK コモンモードチョークコイル ACM 6 mΩ TDKTDK コモンモードチョークコイル ACM 6 mΩTDK
509税込560
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様インダクタンス = 1.33 μHシリーズ = ACMインピーダンス = 6 mΩ電流 Max = 8 A寸法 = 12 x 11 x 6mm動作温度範囲 = -40 → +85 ℃パッケージ/ケース = 1211高さ = 6mmコモンモードフィルタ(ACM3225/4532/ 7060/9070/1211/1513). 大電流巻線チップコモンモードフィルタ 最大10 AまでサポートRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 630V dc,0.47μF ±10% TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 630V dc,0.47μF ±10%TDK
899税込989
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様静電容量 = 470nF電圧 = 630V dcパッケージ/ケース = 2220 (5650M)取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = X7T許容差 = ±10%寸法 = 5.7 x 5 x 2.8mm長さ = 5.7mm奥行き = 5mm高さ = 2.8mmシリーズ = C5750許容差(マイナス) = -10%許容差(プラス) = +10%端子タイプ = 表面実装TDK Cタイプ2220シリーズ. TDKの業務用Cシリーズの業務用積層セラミックチップコンデンサ製品です。TDK製のCシリーズはモノリシック構造を備えているので、高い機械的強度と信頼性を発揮します。複数の薄いセラミックを使用することで、高い静電容量が実現します。低ESR特性と優れた周波数特性により、高周波 / 高密度タイプの電源に適しています。. 特長と利点:. 低ESL及び優れた周波数特性により、理論値に密接に従う回路設計が可能 低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗. 用途:. 適した用途には、一般的な電子機器、モバイル通信機器、OA機器、電源回路があります。他の適した用途には、LEDディスプレイ、TV、サーバー、タブレット、ノートブック、PCがあります。RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 100V dc,0.1μF ±10% TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 100V dc,0.1μF ±10%TDK
759税込835
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様静電容量 = 100nF電圧 = 100V dcパッケージ/ケース = 1206 (3216M)取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = X8R許容差 = ±10%寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.15mm長さ = 3.2mm奥行き = 1.6mm高さ = 1.15mmシリーズ = C許容差(マイナス) = -10%許容差(プラス) = +10%端子タイプ = はんだTDK Cタイプ1206シリーズ. TDKの1206シリーズセラミック多層コンデンサです。 優れた機械的強度及び信頼性を保証するモノリシック構造を備えたこの多層コンデンサは、電源回路からLEDディスプレイまで、様々な業務用グレード用途に最適です。 このセラミック多層コンデンサは、低ESLと優れた周波数特性を特長としています。この低ESL及び優れた周波数特性により、厳密に理論値に沿った回路設計が可能になります。. 特長と利点: 精密技術を採用した高容量により、多層の薄いセラミック誘電体の使用を実現 低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗. 1206シリーズコンポーネントは、以下を含む一般用途向けの業務用グレード:. 汎用電子機器 モバイル通信機器 電源回路 OA機器 TV LED表示 サーバー PC ノートブックRoHS指令(10物質対応)対応
ATB2012-75011-T TDK バラントランス 2 x 1.2 x 1.2mm 1.2GHz TDKATB2012-75011-T TDK バラントランス 2 x 1.2 x 1.2mm 1.2GHzTDK
349税込384
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様アンバランスインピーダンス = 75Ωバランスインピーダンス = 75Ω最大挿入損失 = 1.2dB取付タイプ = 表面実装ピンカウント = 4寸法 = 2 x 1.2 x 1.2mm高さ = 1.2mm長さ = 2mm幅 = 1.2mm最大周波数 = 1.2GHz最小周波数 = 50MHz最大動作温度 = +85℃最低動作温度 = -40℃TDKバラントランスSMD、ATBシリーズ. チップバラントランスATB3225シリーズは、低挿入損失と優れたバランスパラメータが特長です。 従来のバランより小さい筐体サイズ 周波数帯域幅は、ATB3225-75011CTが5 → 200 MHz、ATB3225-75032CTが5 → 100 MHz、ATB3225-75034CTが1 → 100 MHz RoHS指令対応 ケーブルモデム用. ATB2012シリーズはインピーダンスシステム用に開発、インピーダンス比1:1 ATB2012-50011及びATB2012E-50011Mは50 Ωインピーダンス用、ATB2012-75011及びATB2012E-75011Mは75 Ωインピーダンス用 周波数帯域幅は、ATB2012-50011が40 MHz → 860 MHz (標準IL = 1.0 dB)、ATB2012E-50011Mが400 MHz → 1.8 GHz (標準IL =1.0 dB)、ATB2012-75011が50 MHz → 1.2 GHz (標準IL = 0.8 dB)、ATB2012E-75011Mが400 MHz → 1.8 GHz (標準IL = 1.0 dB) 用途: テレビや携帯端末のチューナー(DVB-T/H、ISDB-Tなど)、STB / チューナーの出力分割器RoHS指令(10物質対応)対応
TDK コモンモードフィルタ, 2A, シールド, 3.2 x 2.5 x 1.9mm TDKTDK コモンモードフィルタ, 2A, シールド, 3.2 x 2.5 x 1.9mmTDK
599税込659
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様最大直流電流 = 2Aパッケージ/ケース = 3225長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 1.9mm寸法 = 3.2 x 2.5 x 1.9mmシールド = Y最大直流抵抗 = 40mΩシリーズ = ACP最小動作温度 = -40℃TDK ACPシリーズSMDコモンモードチョーク. ACPシリーズチップタイプコモンノードフィルタ 低直流抵抗かつ高コモンノードインピーダンスにより、消費電力を低減、EMCを抑制 用途: 各種電子機器のDC電源ライン、ノートパソコン、ポータブルゲーム機、携帯電話のACアダプタラインやバッテリラインなど、高密度ポータブル機器にも対応RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 2kV dc,1000pF ±10% TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 2kV dc,1000pF ±10%TDK(1件のレビュー)
399税込439
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様静電容量 = 1nF電圧 = 2kV dcパッケージ/ケース = 1808取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = X7R許容差 = ±10%寸法 = 4.5 x 2 x 1.3mm長さ = 4.5mm奥行き = 2mm高さ = 1.3mmシリーズ = C許容差(マイナス) = -10%許容差(プラス) = +10%端子タイプ = 表面実装TDK Cタイプ1808高電圧シリーズRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ, 10 μH, 10mA, 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 10 μH, 10mA, 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK
1,598税込1,758
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様シリーズ = MLF1608インダクタンス = 10 μH許容差 = ±10%最大直流電流 = 10mA最小品質ファクター = 30パッケージ/ケース = 1608最大直流抵抗 = 1.7Ωコア材料 = フェライト寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF1608シリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ, 120 nH, 200mA, 1.6 x 0.8 x 0.8mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 120 nH, 200mA, 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK
139税込153
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 120 nH許容差 = ±10%最大直流電流 = 200mA最大自己共振周波数 = 550MHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 400mΩコア材料 = フェライト寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +85℃最小動作温度 = -40℃チップインダクタ、MLF1608シリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK HF70SH21X0.8X7 フラットケーブル用フェライトコア TDKTDK HF70SH21X0.8X7 フラットケーブル用フェライトコアTDK
389税込428
1袋(5個)
当日出荷
仕様タイプ = 固定アプリケーション = EMI除去材料 = フェライト外形寸法 = 25 x 7 x 5mm内側の寸法 = 21 x 0.8mm内側の高さ = 0.8mm内側の幅 = 21mm外側の奥行き = 7mm外側の高さ = 5mm外側の幅 = 25mm角型、FPCケーブルで使用可能、SHシリーズ. フラットケーブル用 ビデオ、オーディオ、電気部品、ビジネス機器などに使用され、生成された / 侵入したノイズのインターセプト / 吸収(EMC)及び寄生的な振動の防止に最適. フレキシブル基板に使用可能なフラットケーブル
TDK 酸化金属バリスタ, 39V, 100A TDKTDK 酸化金属バリスタ, 39V, 100ATDK
259税込285
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様バリスタ電圧 = 39V最大直流定格電圧 = 28V制限電圧 = 62Vクランプ電流 = 5Aエネルギー = 0.3J最大サージ電流 = 100A静電容量 = 430pF長さ = 2mm奥行き = 1.25mmパッケージ/ケース = 0805バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 酸化金属バリスタ, 12V, 10A TDKTDK 酸化金属バリスタ, 12V, 10ATDK
169税込186
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様バリスタ電圧 = 12V最大直流定格電圧 = 7.5V制限電圧 = 20Vクランプ電流 = 1Aエネルギー = 0.05J最大サージ電流 = 10A静電容量 = 130pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mmパッケージ/ケース = 0402バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ, 8.2 nH, 350mA, 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 8.2 nH, 350mA, 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
73税込80
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 8.2 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 350mA最大自己共振周波数 = 6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 380mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ, 4.7 nH, 400mA, 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 4.7 nH, 400mA, 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
52税込57
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 4.7 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 280mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ, 82 nH, 200mA, 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 82 nH, 200mA, 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
109税込120
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.6Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ, 6.2 nH, 600mA, 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 6.2 nH, 600mA, 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
129税込142
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 6.2 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ, 27 nH, 300mA, 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 27 nH, 300mA, 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
96税込106
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 27 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 800mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ, 15 nH, 400mA, 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 15 nH, 400mA, 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
84税込92
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 550mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ, 10 nH, 500mA, 1 x 0.5 x 0.5mm TDKTDK 積層表面実装インダクタ, 10 nH, 500mA, 1 x 0.5 x 0.5mmTDK
28税込31
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 10 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 500mA最大自己共振周波数 = 3.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 16V dc 22μF ±20% TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 16V dc 22μF ±20%TDK
749税込824
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様静電容量 = 22μF電圧 = 16V dcパッケージ/ケース = 1210取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = JB許容差 = ±20%寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.5mm長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.5mm許容差(マイナス) = -20%許容差(プラス) = +20%温度係数 = ±10%セラミックコンデンサ Cシリーズ(3225サイズ). 3225 (ミリサイズ) チップコンデンサ 浮遊容量が少なく、理論値に近い回路設計が可能 残留インダクタンスが小さく、周波数特性が良好RoHS指令(10物質対応)対応
TDK コモンモードフィルタ, 200mA, 2.5 x 2 x 1.2mm TDKTDK コモンモードフィルタ, 200mA, 2.5 x 2 x 1.2mmTDK
119税込131
1個
翌々日出荷
仕様最大直流電流 = 200mAパッケージ/ケース = 2520長さ = 2.5mm奥行き = 2mm高さ = 1.2mm寸法 = 2.5 x 2 x 1.2mm最大直流抵抗 = 900mΩシリーズ = ACM最小動作温度 = -25℃TDK ACMシリーズSMDコモンモードチョーク. ミニチュアSMDコモンノード巻線型チップフィルタ コモンモードインピーダンス >1000 Ω @ 100 MHz 差動モードインピーダンスが低く、高速信号への悪影響がほとんどなし 2ラインタイプ及び3ラインタイプを用意 動作温度範囲: -25 → +85 ℃ 用途: 放射及びコモンノードノイズ抑制、パソコンなどのUSB及びIEEE1394ライン、LVDSパネルリンクラインなどRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 250V dc,4700pF ±20% TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 250V dc,4700pF ±20%TDK
109税込120
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様静電容量 = 4.7nF電圧 = 250V dcパッケージ/ケース = 0805 (2012M)取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = JB許容差 = ±20%寸法 = 2 x 1.25 x 0.85mm長さ = 2mm奥行き = 1.25mm高さ = 0.85mmシリーズ = C許容差(マイナス) = -20%許容差(プラス) = +20%端子タイプ = 表面実装高耐電圧、Cシリーズ(許容差: 20 %). 高電圧での使用を想定して設計された専用構造。小型サイズ、高耐電圧 定格電圧(Edc): 100、250、630 V 用途: 電源及び一般高電圧回路用スナバー回路RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 250V dc,1000pF ±20% TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 250V dc,1000pF ±20%TDK
82税込90
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様静電容量 = 1nF電圧 = 250V dcパッケージ/ケース = 0805 (2012M)取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = JB許容差 = ±20%寸法 = 2 x 1.25 x 0.85mm長さ = 2mm奥行き = 1.25mm高さ = 0.85mmシリーズ = C許容差(マイナス) = -20%許容差(プラス) = +20%温度係数 = ±10%高耐電圧、Cシリーズ(許容差: 20 %). 高電圧での使用を想定して設計された専用構造。小型サイズ、高耐電圧 定格電圧(Edc): 100、250、630 V 用途: 電源及び一般高電圧回路用スナバー回路RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 16V dc,0.1μF -20 → +50% TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 16V dc,0.1μF -20 → +50%TDK
999税込1,099
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様静電容量 = 100nF電圧 = 16V dcパッケージ/ケース = 1206 (3216M)取り付けタイプ = 表面実装許容差 = -20 → +50%寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.3mm長さ = 3.2mm奥行き = 1.6mm高さ = 1.3mmシリーズ = CKD許容差(マイナス) = -20%許容差(プラス) = +50%端子タイプ = 表面実装フィルタ、CKDシリーズ. EMC抑制用の小型、低コストのフィルタ 寄生インダクタンスが低いので、高周波数範囲での使用に最適RoHS指令(10物質対応)対応
サーミスタ TDK NTC, 10kΩ TDKサーミスタ TDK NTC, 10kΩTDK
949税込1,044
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仕様シリーズ = NTCG温度係数のタイプ = NTC抵抗@ 25℃ = 10kΩ許容差 = ±1%アプリケーション = 温度補償, 温度センサパッケージ/ケース = 1005最大定格電力 = 125mW長さ = 1mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm動作温度 Max = +150℃RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 10V dc 3.3μF ±10% TDKTDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 10V dc 3.3μF ±10%TDK
1,298税込1,428
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仕様静電容量 = 3.3μF電圧 = 10V dcパッケージ/ケース = 0805 (2012M)取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = X5R許容差 = ±10%寸法 = 2 x 1.25 x 1.25mm長さ = 2mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.25mmシリーズ = C許容差(マイナス) = -10%許容差(プラス) = +10%最小動作温度 = -55℃EIA規格. セラミックコンデンサ、Cシリーズ(2012サイズ)、EIA規格. 低浮遊容量により、理論値に近い回路設計が可能 残留インダクタンスがほとんどなく、周波数特性が良好
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