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TDKCタイプ0402シリーズ.TDKの業務用Cシリーズの業務用積層セラミックチップコンデンサ製品です。低ESR特性と優れた周波数特性により、高周波/高密度タイプの電源に適しています。.特長と利点:.精密技術を採用した高容量により、多層の薄いセラミック誘電体の使用を実現モノリシック構造により、優れた機械強度と信頼性を確保低ESL及び優れた周波数特性により、理論値に密接に従う回路設計が可能低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗.用途:.商用グレードの一般的な用途:汎用電子機器、モバイル通信機器、電源回路、OA機器、TV、LEDディスプレイ、サーバ、PC、ノートPC、タブレット
長さ(mm)1 寸法(mm)1×0.5×0.5 電圧50Vdc 高さ(mm)0.5 奥行(mm)0.5 シリーズC1005 許容差±10% 静電容量1nF 温度特性X8R RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプ表面実装 パッケージ/ケース0402(1005M) 抑制クラスClassII
1袋(100個)
679 税込747
翌々日出荷

TDKCタイプ0402シリーズ、X5R誘電体.TDKの業務用Cシリーズの業務用積層セラミックチップコンデンサ製品です。低ESR特性と優れた周波数特性により、高周波/高密度タイプの電源に適しています。.特長と利点:.精密技術を採用した高容量により、多層の薄いセラミック誘電体の使用を実現モノリシック構造により、優れた機械強度と信頼性を確保低ESL及び優れた周波数特性により、理論値に密接に従う回路設計が可能低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗.用途:.商用グレードの一般的な用途:汎用電子機器、モバイル通信機器、電源回路、OA機器、TV、LEDディスプレイ、サーバ、PC、ノートPC、タブレット
長さ(mm)1 寸法(mm)1×0.5×0.5 電圧6.3Vdc 高さ(mm)0.5 奥行(mm)0.5 シリーズC 許容差±10% 静電容量4.7μF 温度特性X5R RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプ表面実装 パッケージ/ケース0402(1005M)
1セット(10000個)
86,980 税込95,678
7日以内出荷

TDKCタイプ0402シリーズ。TDKの業務用Cシリーズの業務用積層セラミックチップコンデンサ製品です。低ESR特性と優れた周波数特性により、高周波/高密度タイプの電源に適しています。特長と利点:。精密技術を採用した高容量により、多層の薄いセラミック誘電体の使用を実現モノリシック構造により、優れた機械強度と信頼性を確保低ESL及び優れた周波数特性により、理論値に密接に従う回路設計が可能低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗。用途:。商用グレードの一般的な用途:汎用電子機器、モバイル通信機器、電源回路、OA機器、TV、LEDディスプレイ、サーバ、PC、ノートPC、タブレット
仕様●静電容量:2.2μF●電圧:16V dc●パッケージ/ケース:0402 (1005M)●実装タイプ:表面実装●温度特性:X6S●許容差:±10%●寸法:1 x 0.5 x 0.5mm●長さ:1mm●奥行き:0.5mm●高さ:0.5mm●シリーズ:C●動作温度 Max:+105℃ アズワン品番65-7060-31
1袋(50個)
559 税込615
6日以内出荷

TDKCGA車載用0402シリーズ、X6S/X7S/X7T誘電体.TDKのCGAシリーズの業務用積層セラミックチップコンデンサ製品です。最適な用途には、車載用エンジン制御ユニット、センサモジュール、電源平滑化などがあります。.特長と利点:.CGAシリーズは、薄膜セラミック誘電体の積層構造になっており、精密技術を利用して高静電容量値を実現モノリシック構造により、優れた機械強度と信頼性を確保低ESL及び優れた周波数特性により、理論値に密接に従う回路設計が可能低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗AEC-Q200準拠.用途:.車載用エンジン制御ユニット、車載用センサモジュール、車載用バッテリラインの平滑化、高い信頼性を必要とする用途、スイッチング電源の平滑化
寸法(mm)1×0.5×0.55 電圧100Vdc 高さ(mm)0.55 奥行(mm)0.5 シリーズCGA2 許容差±10% 静電容量10nF 温度特性X7S RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプ表面実装 パッケージ/ケース0402(1005M)
1袋(100個)
599 税込659
翌々日出荷

TDKCGA車載用0402シリーズ、X6S/X7S/X7T誘電体.TDKのCGAシリーズの業務用積層セラミックチップコンデンサ製品です。最適な用途には、車載用エンジン制御ユニット、センサモジュール、電源平滑化などがあります。.特長と利点:.CGAシリーズは、薄膜セラミック誘電体の積層構造になっており、精密技術を利用して高静電容量値を実現モノリシック構造により、優れた機械強度と信頼性を確保低ESL及び優れた周波数特性により、理論値に密接に従う回路設計が可能低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗AEC-Q200準拠.用途:.車載用エンジン制御ユニット、車載用センサモジュール、車載用バッテリラインの平滑化、高い信頼性を必要とする用途、スイッチング電源の平滑化
長さ(mm)1 寸法(mm)1×0.5×0.5 電圧100Vdc 高さ(mm)0.5 奥行(mm)0.5 シリーズCGA 許容差±10% 静電容量2.2nF 温度特性X7S RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプ表面実装 パッケージ/ケース0402(1005M)
1袋(200個)
1,298 税込1,428
7日以内出荷

単一製品内の直列構成のコンデンサによるフェイルセーフ機能ストレス抵抗の改善耐熱衝撃性の改善基板スペースを削減可能用途保護回路なしの電源供給車載用バッテリライン
長さ(mm)2 寸法(mm)2×1.25×1.25 電圧50Vdc 高さ(mm)1.25 奥行(mm)1.25 シリーズCEU 許容差±10% 静電容量100nF 温度特性X7R 動作温度(℃)(Min)-55 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプ表面実装
1セット(2000個)
19,980 税込21,978
7日以内出荷

TDKCタイプ0805シリーズC0G、X6S、X7R、X7S、X7T、X8R、Y5V高誘電率系.TDKCシリーズの汎用積層セラミックチップコンデンサは、高周波/高密度タイプの電源に適しています。.特長:.精密技術を採用した高容量により、多層の薄いセラミック誘電体の使用を実現モノリシック構造により優れた機械強度を有し、信頼性を確保低ESL及び優れた周波数特性により、理論値に近い回路設計が可能ESR(等価直列抵抗)が小さいので、低い自己発熱、高いリップル抵抗.用途:.商用グレードの一般的な用途に対応:一般電子機器、モバイル機器、電源回路、OA機器、TV、LEDディスプレイ、サーバ、PC、ノートPC、タブレット
仕様末端仕様:はんだ 長さ(mm)2 寸法(mm)2×1.25×1.25 電圧100Vdc 高さ(mm)1.25 奥行(mm)1.25 シリーズC 許容差±10% 静電容量470nF 温度特性X7S RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプ表面実装 パッケージ/ケース0805(2012M)
1袋(25個)
749 税込824
翌々日出荷


仕様インダクタンス = 150 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 700MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 3.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
59 税込65
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最大自己共振周波数 = 9.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
99 税込109
翌々日出荷

仕様シリーズ = NTCG温度係数のタイプ = NTC抵抗@ 25℃ = 10kΩ許容差 = ±1%アプリケーション = 温度補償, 温度センサパッケージ/ケース = 1005最大定格電力 = 100mW長さ = 1mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm動作温度 Min = -40℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
979 税込1,077
翌々日出荷

仕様静電容量 = 2.2μF電圧 = 35V dcパッケージ/ケース = 0402 (1005M)取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = X5R許容差 = ±10%寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm長さ = 1mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mmシリーズ = C許容差(マイナス) = -10%許容差(プラス) = +10%端子タイプ = 表面実装TDK Cタイプ0402シリーズ、X5R誘電体. TDKの業務用Cシリーズの業務用積層セラミックチップコンデンサ製品です。低ESR特性と優れた周波数特性により、高周波 / 高密度タイプの電源に適しています。. 特長と利点:. 精密技術を採用した高容量により、多層の薄いセラミック誘電体の使用を実現 モノリシック構造により、優れた機械強度と信頼性を確保 低ESL及び優れた周波数特性により、理論値に密接に従う回路設計が可能 低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗. 用途:. 商用グレードの一般的な用途: 汎用電子機器、モバイル通信機器、電源回路、OA機器、TV、LEDディスプレイ、サーバ、PC、ノートPC、タブレット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
689 税込758
7日以内出荷

仕様インダクタンス = 56 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.3Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
67 税込74
翌々日出荷


仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.6Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
86 税込95
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 8.2 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 350mA最大自己共振周波数 = 6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 380mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
73 税込80
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 22 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 700mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
149 税込164
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 18 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 600mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
58 税込64
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 4.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 500mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
56 税込62
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 390 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 50mA最大自己共振周波数 = 400MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
67 税込74
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 3.9 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 700mA最大自己共振周波数 = 6.5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 200mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
99 税込109
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 6.8 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
73 税込80
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 5.6 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
90 税込99
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 3 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 800mA最大自己共振周波数 = 6.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 200mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
72 税込79
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 2 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 900mA最大自己共振周波数 = 9.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
72 税込79
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 1 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
109 税込120
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 550mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
119 税込131
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
57 税込63
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 4.7 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 280mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
57 税込63
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 6.2 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
72 税込79
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 47 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
62 税込68
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 39 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
119 税込131
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 2.7 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 800mA最大自己共振周波数 = 7.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
81 税込89
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 1.9GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 2.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
149 税込164
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 68 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
58 税込64
翌々日出荷

仕様インダクタンス = 5.1 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
119 税込131
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仕様インダクタンス = 2.2 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 900mA最大自己共振周波数 = 8.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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64 税込70
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仕様インダクタンス = 27 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 800mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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72 税込79
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仕様インダクタンス = 10 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 500mA最大自己共振周波数 = 3.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用 RoHS指令(10物質対応)対応
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129 税込142
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仕様シリーズ = NTCG温度係数のタイプ = NTC抵抗@ 25℃ = 10kΩ許容差 = ±0.5%アプリケーション = 温度補償, 温度センサパッケージ/ケース = 1005最大定格電力 = 100mW長さ = 1mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm動作温度 Max = +150℃ RoHS指令(10物質対応)対応
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2,998 税込3,298
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