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Toshiba 4000シリーズロジックゲート， 4mA， 3～18 V， 14-Pin SOP 2-入力
東芝
￥1,798税込￥1,978
1袋(10個)
3日以内出荷
仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = ありパッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000入力タイプ = シュミットトリガー動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 120 ns @ 10 V， 260 ns @ 5 V， 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル4:1 マルチプレクサ / デマルチプレクサ 5～15V， 16-Pin SOP
東芝
￥1,298税込￥1,428
1袋(10個)
3日以内出荷
仕様構成 = デュアル4:1パッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = 12 V、15 V、5 V、9 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = デュアル，シングル入力信号タイプ = 差動出力信号タイプ = 差動標準デュアル供給電圧 = ±3 V， ±5 V動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 2幅 = 5.3mmCMOSアナログスイッチ / マルチプレクサRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル Nチャンネル MOSFET， 60 V， 400 mA， 3 ピンパッケージSOT-23
東芝
￥1,498税込￥1,648
1袋(100個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.75 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 38 nsRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 40 V， 15 A， 3 ピンパッケージDPAK
東芝
￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 48 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 29 W1チップ当たりのエレメント数 = 1
Toshiba CMOSシリーズインバータ， 5-Pin SOT-353
東芝
￥939税込￥1,033
1袋(100個)
3日以内出荷
仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = CMOS出力タイプ = 反転1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 20.5 ns @ 50 pF実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5ロジックファミリー = CMOS寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm高さ = 0.9mm動作供給電圧 Min = 2 V dcL-MOS超高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS TC7SHシリーズの超高速ロジックデバイス. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 4 ns @ 5 V 低消費電力優れたノイズ耐性広い動作電圧範囲: 2 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP185(GR-TPR，SE(T，トランジスタ出力， 4-Pin
東芝
￥3,198税込￥3,518
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA (順電流)絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 300%標準降下時間 = 3μsシリーズ = TL185フォトカプラ、トランジスタ出力、TLP183 / TLP185シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP183 / TLP185シリーズシングルフォトカプラです。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba CMOSシリーズインバータ， 5-Pin SOT-353
東芝
￥569税込￥626
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = CMOS出力タイプ = 反転1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 17.5 ns @ 15 pF実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5ロジックファミリー = CMOS寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm高さ = 0.9mm動作温度 Min = -40 ℃L-MOS SHSシリーズ、低電圧、東芝. 東芝SHSシリーズのTC7SZ / WZ / PZは、低電圧ワンゲートCMOS (L-MOS)ロジックデバイスのファミリです。. 1.8 → 5.5 V動作RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba CMOSシリーズインバータ， 5-Pin SOT-353
東芝
￥719税込￥791
1袋(100個)
3日以内出荷
仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = CMOS出力タイプ = 反転1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = N最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13.5 ns @ 50 pF実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5ロジックファミリー = CMOS寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm高さ = 0.9mm動作温度 Min = -40 ℃L-MOS超高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS TC7SHシリーズの超高速ロジックデバイス. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 4 ns @ 5 V 低消費電力優れたノイズ耐性広い動作電圧範囲: 2 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP291(Y-TP，SE(T，トランジスタ出力， 4-Pin
東芝
￥1,498税込￥1,648
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO4入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA (順電流)絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 150%標準降下時間 = 3μsシリーズ = TLP291フォトカプラ、トランジスタ出力、TLP291 / TLP293シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP291 / TLP293シリーズシングルフォトカプラです。RoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP184(GB-TPR，SE(T AC入力，トランジスタ出力， 4-Pin
東芝
￥1,898税込￥2,088
1袋(25個)
3日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = AC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = ±50 mA (実行値順電流)絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = TLP184フォトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、東芝. 東芝のフォトカプラ製品です。デュアル反転並列接続LEDを搭載し、バイポーラ入力電流に適しています。これらのAC入力フォトカプラはトランジスタ出力を備えています。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba CMOS バッファ非反転， 5ピン SOT-353
東芝
￥479税込￥527
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様ロジックファミリー = CMOSロジック機能 = バッファーチャンネル数 = 1入力タイプ = CMOS出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 11.5 ns @ 15 pF寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm動作温度 Min = -40 ℃L-MOS SHSシリーズ、低電圧、東芝. 東芝SHSシリーズのTC7SZ / WZ / PZは、低電圧ワンゲートCMOS (L-MOS)ロジックデバイスのファミリです。. 1.8 → 5.5 V動作RoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP291(TP，SE(T，トランジスタ出力， 4-Pin
東芝
￥3,500税込￥3,850
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO4入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA (順電流)絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 600%最小電流伝送率 = 50%シリーズ = TLP291フォトカプラ、トランジスタ出力、TLP291 / TLP293シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP291 / TLP293シリーズシングルフォトカプラです。RoHS指令(10物質対応)対応
電源スイッチIC Toshiba
東芝
￥2,398税込￥2,638
1袋(10個)
当日出荷
仕様電源スイッチトポロジ = ハイサイドチャンネル数 = 8動作供給電圧 Max = 0.6 V (オフ)， 25 V (オン)最大動作電流 = 0.1 (ON) mA， 1 (OFF) μA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOPピン数 = 18動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 13 x 7 x 2mmシリーズ = TBD62083AMOSFETドライバアレイ、東芝. DMOSトランジスタアレイは、複数の抵抗性負荷や誘導性負荷を駆動するのに適しています。TBD62083シリーズは、クランプダイオード、コモンアース、供給ピンが付属したオクタルNチャンネルMOSFETドライバです。この入力は、低電圧の駆動源に対応します。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba CMOSシリーズインバータ， 5-Pin SSOP
東芝
￥1,998税込￥2,198
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = CMOS出力タイプ = 反転1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 235 ns @ 50 pF実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = CMOS寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm高さ = 1.1mm動作温度 Min = -40 ℃L-MOS高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS高速シリーズは、低消費電力CMOSデバイスの利点を維持しながら、LSTTLデバイスと同様の動作速度を実現しています。. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 7 ns @ 5 V 低消費電力優れたノイズ耐性出力ドライブ機能: 5 LSTTL負荷対称型出力ドライブ容量広い動作電圧範囲: 2 → 6 VRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba CMOSシリーズロジックゲート， 5-Pin SOT-353 2-入力
東芝
￥569税込￥626
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5ロジックファミリー = CMOS入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V dc最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 12 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 1.65 V dc寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmL-MOS SHSシリーズ、低電圧、東芝. 東芝SHSシリーズのTC7SZ / WZ / PZは、低電圧ワンゲートCMOS (L-MOS)ロジックデバイスのファミリです。. 1.8 → 5.5 V動作RoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP291(GR-TP，SE(T，トランジスタ出力， 4-Pin
東芝
￥1,798税込￥1,978
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO4入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA (順電流)絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 300%最小電流伝送率 = 100%シリーズ = TLP291フォトカプラ、トランジスタ出力、TLP291 / TLP293シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP291 / TLP293シリーズシングルフォトカプラです。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 100 A， 3 ピンパッケージSOT-416 (SC-75)
東芝
￥1,998税込￥2,198
1袋(100個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = SOT-416 (SC-75)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルカテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 100 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP185(GB-TPR，SE(T，トランジスタ出力， 4-Pin
東芝
￥1,798税込￥1,978
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA (順電流)絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = TL185フォトカプラ、トランジスタ出力、TLP183 / TLP185シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP183 / TLP185シリーズシングルフォトカプラです。RoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP183(BL-TPL，E(T，トランジスタ出力， 4-Pin
東芝
￥1,498税込￥1,648
1袋(20個)
3日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA (順電流)絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsシリーズ = TLP183フォトカプラ、トランジスタ出力、TLP183 / TLP185シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP183 / TLP185シリーズシングルフォトカプラです。RoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP291(GB-TP，SE(T，トランジスタ出力， 4-Pin
東芝
￥2,398税込￥2,638
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO4入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA (順電流)絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 600%最小電流伝送率 = 100%シリーズ = TLP291フォトカプラ、トランジスタ出力、TLP291 / TLP293シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP291 / TLP293シリーズシングルフォトカプラです。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 4 A， 3 ピンパッケージSOT-23F
東芝
￥979税込￥1,077
1袋(30個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 136 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = SOT-23F実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba CMOSシリーズロジックゲート， 5-Pin SSOP 2-入力
東芝
￥1,998税込￥2,198
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = CMOS入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V dc最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V dc幅 = 1.25mmL-MOS高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS高速シリーズは、低消費電力CMOSデバイスの利点を維持しながら、LSTTLデバイスと同様の動作速度を実現しています。. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 7 ns @ 5 V 低消費電力優れたノイズ耐性出力ドライブ機能: 5 LSTTL負荷対称型出力ドライブ容量広い動作電圧範囲: 2 → 6 VRoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP291(BL-TP，SE(T，トランジスタ出力， 4-Pin
東芝
￥3,500税込￥3,850
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO4入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA (順電流)絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 600%最小電流伝送率 = 200%シリーズ = TLP291フォトカプラ、トランジスタ出力、TLP291 / TLP293シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP291 / TLP293シリーズシングルフォトカプラです。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP ダーリントンペア， 100 V， 7 A， hFE≧1000， 3-Pin TO-220SIS
東芝
￥1,198税込￥1,318
1袋(10個)
3日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 2最小DC電流ゲイン = 1000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 2 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2 V最大コレクタカットオフ電流 = 2μA動作温度 Max = +150 ℃NPNダーリントントランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 500 V， 5 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS
東芝
￥4,198税込￥4,618
1袋(20個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最低ゲートしきい値電圧 = 2.4V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W @ 25 ℃1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 500 V， 3 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252)
東芝
￥4,698税込￥5,168
1袋(20個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最低ゲートしきい値電圧 = 2.4V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 250 V， 30 A， 3 ピンパッケージTO-3PN
東芝(1件のレビュー)
￥3,698税込￥4,068
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.06 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 260 W @ 25 ℃1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba CMOSシリーズロジックゲート， 5-Pin SOT-353 2-入力
東芝
￥779税込￥857
1袋(100個)
3日以内出荷
仕様ロジック機能 = OR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5ロジックファミリー = CMOS入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V dc最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14.5 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V dc動作温度 Min = -40 ℃L-MOS超高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS TC7SHシリーズの超高速ロジックデバイス. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 4 ns @ 5 V 低消費電力優れたノイズ耐性広い動作電圧範囲: 2 → 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP185(BLL-TL，SE(T，トランジスタ出力， 4-Pin
東芝
￥2,298税込￥2,528
1袋(50個)
3日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA (順電流)絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 400%標準降下時間 = 3μsシリーズ = TL185フォトカプラ、トランジスタ出力、TLP183 / TLP185シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP183 / TLP185シリーズシングルフォトカプラです。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236)
東芝
￥2,298税込￥2,528
1袋(200個)
3日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 50最大パワー消費 = 200 mW最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1構成 = シングル高さ = 1.1mmRNシリーズシングルデジタルトランジスタ. 東芝のシングルデジタルトランジスタです。バイアス抵抗器を内蔵し、デジタルソースから直接駆動できます。NPNタイプとPNPタイプの両タイプが用意されています。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 60 V， 40 A， 8 ピンパッケージSOP U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
￥719税込￥791
1袋(20個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 40 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 34 W順方向ダイオード電圧 = 1.2VMOSFET Nチャンネル、TPHシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 650 V， 6.8 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ
東芝
￥939税込￥1,033
1袋(10個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 60 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 40 V， 15 A， 3 ピンパッケージDPAK+ (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
￥459税込￥505
1袋(5個)
3日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 37 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK+ (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 46 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 650 V， 13.7 A， 3 ピンパッケージD2PAK (TO-263) DTMOSIV シリーズ
東芝
￥1,298税込￥1,428
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 13.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 130 W寸法 = 10.35 x 8.8 x 4.46mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 650 V， 11.1 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ
東芝
￥489税込￥538
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 440 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 100 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 650 V， 9.3 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝
￥1,998税込￥2,198
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 80 V， 157 A， 3 ピンパッケージTO-220 U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
￥2,198税込￥2,418
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 157 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 192 W長さ = 10.16mmMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 600 V， 61.8 A， 3 ピンパッケージTO-247 DTMOSIV-H シリーズ
東芝
￥2,998税込￥3,298
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 61.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 400 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 600 V， 25 A， 3 ピンパッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ
東芝
￥3,798税込￥4,178
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 180 W標準ターンオフ遅延時間 = 90 nsMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET MOSFET， 500 V， 18.5 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝
￥2,898税込￥3,188
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータ最大パワー消費 = 40 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

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