寸法(mm)8.95×3.9×1.38
高さ(mm)1.38
出力方式オープンドレイン
入力方式CMOS
ピン数(ピン)14
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数6
低レベル出力電流(mA)5.2
高レベル出力電流(mA)-5.2
最大伝播遅延時間@最大CL135ns@50pF
ロジックファミリー74HC
ロジック機能インバータ
仕様ロジック機能 = インバータ出力タイプ = オープンドレイン1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = N最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 6ns低レベル出力電流 Max = 32mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = VSSOPピン数 = 14ロジックファミリー = LCX寸法 = 4.25 x 3 x 0.8mm高さ = 0.8mm動作供給電圧 Min = 1.65 VTC74LCXシリーズ2、東芝. USパッケージ 主電源電圧: 2 → 3.6 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥399
税込¥439
6日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥699
税込¥769
当日出荷
幅(mm)6.4
寸法19.25 x 6.4 x 3.5mm
ピン数(ピン)14
論理HC
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージPDIP
実装タイプスルーホール
動作供給電圧(V)【最大】6
1チップ当たりのエレメント数6
低レベル出力電流(mA)【最大】5.2
最大伝播遅延時間@最大CL15ns
ロジック機能バッファ
出力タイプオープンドレイン
1袋(5個)
¥499
税込¥549
翌々日出荷
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
チャンネルモードエンハンスメント型
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,498
税込¥1,648
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 40 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 34 W順方向ダイオード電圧 = 1.2VMOSFET Nチャンネル、TPHシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
¥1,498
税込¥1,648
翌々日出荷
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥919
税込¥1,011
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,798
税込¥3,078
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 50 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥909
税込¥1,000
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 40 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.5 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W寸法 = 5 x 5 x 0.95mmMOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,598
税込¥1,758
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 797 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥4,398
税込¥4,838
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22.3 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2.8 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 1620 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、TPCAxxxx、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥799
税込¥879
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.75 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 38 ns
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
¥1,298
税込¥1,428
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 61.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 400 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,898
税込¥2,088
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 270 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥919
税込¥1,011
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14.7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥389
税込¥428
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 430 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 80 W幅 = 7.18mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥669
税込¥736
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 207 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 255 W標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥549
税込¥604
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥739
税込¥813
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = PW成形実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 20 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 480 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥989
税込¥1,088
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W標準ターンオフ遅延時間 = 36 nsMOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥899
税込¥989
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,298
税込¥2,528
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,498
税込¥1,648
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,298
税込¥1,428
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,598
税込¥1,758
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 27.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 230 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,498
税込¥1,648
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.06 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 260 W @ 25 ℃1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,998
税込¥3,298
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 157 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 192 W長さ = 10.16mmMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,698
税込¥1,868
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 380 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥899
税込¥989
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 48 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 29 W1チップ当たりのエレメント数 = 1
1袋(10個)
¥1,098
税込¥1,208
翌々日出荷
仕様デュアルMOSFET Nチャンネル、TPCシリーズ、東芝
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOP
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)1.5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)5.1
最大ドレイン-ソース間電圧(V)40
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40
最大ゲートしきい値電圧(V)2.3
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W幅 = 4.5mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,198
税込¥1,318
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 340 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 100 W標準ターンオフ遅延時間 = 85 nsMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,398
税込¥1,538
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = UF実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 35 nsデュアルMOSFET Pチャンネル、SSM6Pxx、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥629
税込¥692
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 270 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 280 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥429
税込¥472
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW長さ = 1.6mmMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥289
税込¥318
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 70 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥629
税込¥692
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TSON実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 19 W動作温度 Max = +150 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
¥1,398
税込¥1,538
翌々日出荷
関連キーワード
1
2
3
次へ