「抵抗器 30ω」の検索結果

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TK9J90E Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 900 V， 9 A， 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 900 V， 9 A， 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ
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エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥919 税込￥1,011
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TK25A60X，S5X(M Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 25 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 25 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥2,798 税込￥3,078
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TPC8067-H，LQ(S Toshiba Nチャンネル MOSFET， 30 V， 9 A， 8 ピン パッケージSOIC 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 30 V， 9 A， 8 ピン パッケージSOIC
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥739 税込￥813
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TPC8065-H，LQ(S Toshiba Nチャンネル MOSFET， 30 V， 13 A， 8 ピン パッケージSOIC 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 30 V， 13 A， 8 ピン パッケージSOIC
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14.7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥389 税込￥428
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TK10P60W，RVQ(S Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 9.7 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 9.7 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 430 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 80 W幅 = 7.18mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥669 税込￥736
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TK39A60W，S4VX(M Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 39 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 39 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 50 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥909 税込￥1,000
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TK39N60W，S1VF(S Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 39 A， 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 39 A， 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 270 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥919 税込￥1,011
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2SK3564，S5Q(J Toshiba Nチャンネル MOSFET， 900 V， 3 A， 3 ピン パッケージSC-67 2SK シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 900 V， 3 A， 3 ピン パッケージSC-67 2SK シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 40 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥1,198 税込￥1,318
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TK31A60W，S4VX(M Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥1,298 税込￥1,428
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TK100L60W，VQ(O Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 100 A， 3 ピン パッケージTO-3PL DTMOSIV シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 100 A， 3 ピン パッケージTO-3PL DTMOSIV シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 797 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK100 Series， Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
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￥4,398 税込￥4,838
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TK10A60D，S5Q(J Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 10 A， 3 ピン パッケージSC-67 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 10 A， 3 ピン パッケージSC-67
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥1,498 税込￥1,648
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TK20A60W5，S5VX(M Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 20 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 20 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥2,298 税込￥2,528
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TK31N60W，S1VF(S Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,498 税込￥1,648
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TK30J25D，S1F(O Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 250 V， 30 A， 3 ピン パッケージTO-3PN 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 250 V， 30 A， 3 ピン パッケージTO-3PN
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エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.06 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 260 W @ 25 ℃1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,998 税込￥3,298
当日出荷
TK10A60W，S4VX(M Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 9.7 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 9.7 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 380 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥899 税込￥989
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TK62N60X，S1F(S Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 61.8 A， 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV-H シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 61.8 A， 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV-H シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 61.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 400 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,898 税込￥2,088
翌々日出荷
TK28E65W，S1X(S Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 650 V， 27.6 A， 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 650 V， 27.6 A， 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ
(1件すべてのレビューを見る)
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 27.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 230 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,498 税込￥1,648
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RN1901(TE85L，F) Toshiba デュアル NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 6-Pin US 東芝
東芝Toshiba デュアル NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 6-Pin US
エコ商品
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩベースエミッタ抵抗器 = 4.7kΩパッケージタイプ = USピン数 = 6最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1幅 = 1.25mm抵抗組み込みトランジスタ、BRTシリーズ、2イン1 US6、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥849 税込￥934
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RN1101(F) Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM 東芝
東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM
エコ商品
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥119 税込￥131
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RN1501(TE85L，F) Toshiba デュアル NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 5-Pin SSOP 東芝
東芝Toshiba デュアル NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 5-Pin SSOP
エコ商品
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩベースエミッタ抵抗器 = 4.7kΩパッケージタイプ = SSOPピン数 = 5最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、2-in-1 SMV、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥899 税込￥989
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TPN30008NH，LQ(S Toshiba Nチャンネル MOSFET， 80 V， 22 A， 8 ピン パッケージTSON U-MOSVIII-H シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 80 V， 22 A， 8 ピン パッケージTSON U-MOSVIII-H シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 22 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TSON実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 27 W標準ターンオン遅延時間 = 11 ns RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥1,398 税込￥1,538
翌々日出荷
RN1401，LF(T Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236) 東芝
東芝Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236)
エコ商品
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30最大パワー消費 = 200 mW最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1構成 = シングル幅 = 1.5mmRNシリーズシングルデジタルトランジスタ. 東芝のシングルデジタルトランジスタです。バイアス抵抗器を内蔵し、デジタルソースから直接駆動できます。NPNタイプとPNPタイプの両タイプが用意されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
￥1,898 税込￥2,088
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TPC8128(TE12L，Q) Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 16 A， 8 ピン パッケージSOP 東芝
東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 16 A， 8 ピン パッケージSOP
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.9 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、+20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W寸法 = 5.5 x 4.4 x 1.5mmMOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥889 税込￥978
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SSM3K116TU(TE85L) Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 2.2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 2.2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 135 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 800 mW長さ = 2mmMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥699 税込￥769
翌々日出荷
2SK2009(F) Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 200 mA， 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SK シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 200 mA， 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SK シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 70 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥629 税込￥692
翌々日出荷
2SJ305(F) Toshiba Pチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 200 mA， 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SJ シリーズ 東芝
東芝Toshiba Pチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 200 mA， 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SJ シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 92 pF @ 3 VMOSFET Pチャンネル、2SJシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥769 税込￥846
翌々日出荷
SSM6J402TU(TE85L，F Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 2 A， 6 ピン パッケージUF 東芝
東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 2 A， 6 ピン パッケージUF
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = UF実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 35 nsデュアルMOSFET Pチャンネル、SSM6Pxx、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥629 税込￥692
翌々日出荷
TPN11003NL，LQ(S Toshiba Nチャンネル MOSFET， 30 V， 31 A， 8 ピン パッケージTSON U-MOSVIII-H シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 30 V， 31 A， 8 ピン パッケージTSON U-MOSVIII-H シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TSON実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 19 W動作温度 Max = +150 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥1,398 税込￥1,538
翌々日出荷
SSM3K15FS(TE85L，F) Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 180 nsMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥219 税込￥241
翌々日出荷
TPC8125，LQ(S Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 10 A， 8 ピン パッケージSOP 東芝
東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 10 A， 8 ピン パッケージSOP
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、+20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2580 pF @ -10 VMOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥829 税込￥912
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SSM3J117TU(TE85L) Toshiba Pチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ 東芝
東芝Toshiba Pチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 2 A， 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 800 mW動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥669 税込￥736
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TK49N65W，S1F(S Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 650 V， 49 A， 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 650 V， 49 A， 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 49 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 400 W幅 = 5.02mmMOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,798 税込￥1,978
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TK31A60W，S4VX(M Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥1,298 税込￥1,428
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SSM3K15FU(F) Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSOT-323 (SC-70) 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSOT-323 (SC-70)
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 150 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥529 税込￥582
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SSM3J334R，LF(T Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 4 A， 3 ピン パッケージSOT-23F 東芝
東芝Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 4 A， 3 ピン パッケージSOT-23F
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 136 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = SOT-23F実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥1,198 税込￥1,318
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TK10A80E，S4X(S Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 800 V， 10 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 800 V， 10 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W幅 = 4.5mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,198 税込￥1,318
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TK12P60W，RVQ(S Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 11.5 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 11.5 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 340 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 100 W標準ターンオフ遅延時間 = 85 nsMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥1,398 税込￥1,538
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TK20J50D(F) Toshiba Nチャンネル MOSFET， 500 V， 15 A， 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 500 V， 15 A， 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ
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エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 270 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 280 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥429 税込￥472
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SSM3K15F(F) Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) SSM3 シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) SSM3 シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥209 税込￥230
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TPH11003NL，LQ(S Toshiba Nチャンネル MOSFET， 30 V， 32 A， 8 ピン パッケージSOP U-MOSVIII-H シリーズ 東芝
東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET， 30 V， 32 A， 8 ピン パッケージSOP U-MOSVIII-H シリーズ
エコ商品
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 32 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 21 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPHシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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￥859 税込￥945
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