カテゴリ
- 制御機器(34)
絞り込み
ブランド
- 東芝
- モノタロウ(1)
- BIGM(丸山製作所)(369)
- 日本モレックス(molex)(109)
- STMicro(72)
- RS PRO(59)
- エスコ(47)
- TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))(47)
- 三菱電機(44)
- SMC(39)
- ヘラマンタイトン(旧:タイトン)(34)
- SIEMENS(34)
- VISHAY(34)
- Panasonic(パナソニック)(33)
- Sensata / Crydom(30)
- アメリカン電機(29)
- TRACO POWER(26)
- HIOKI(日置電機)(25)
- MAZDA(マツダ)(25)
- シュナイダーエレクトリック(22)
- ブランドをもっと見る
エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(29)
「3v600」の検索結果
Toshiba Nチャンネル IGBT 600 V 30 A， 3-Pin TO-3P シングル東芝￥769税込￥846
1個
7日以内出荷
寸法15.9 x 4.8 x 20mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-3P実装タイプスルーホール最大連続コレクタ電流(A)30最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)600最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20チャンネルタイプNトランジスタ構成シングルスイッチングスピード1MHz最大パワー消費170 W最大動作温度(℃)150
フォトカプラ 表面実装 チャンネル数：1 トランジスタ出力 TLP185 GB-TPR SE T 1袋 50個入東芝￥819税込￥901
1袋(50個)
7日以内出荷
フォトカプラ 赤外 LED +フォトトランジスタ TLP183 / TLP185シリーズ東芝の赤外 LED +フォトトランジスタTLP183 / TLP185シリーズフォトカプラです。
仕様●実装タイプ：表面実装●出力デバイス：フォトトランジスタ●最大順方向電圧：1.4V●チャンネル数：1●ピン数：4●パッケージタイプ：SO6●入力電流タイプ：DC●標準上昇時間：2μs●最大入力電流：50 mA (順電流)●絶縁電圧：3750 Vrms●最大電流変換率：600%●標準降下時間：3μs●シリーズ：TL185●特殊機能：コレクタエミッタ電圧80 V (最小)， 高密度表面実装用途に最適アズワン品番65-7260-05
フォトカプラ 表面実装 チャンネル数：1 トランジスタ出力 TLP184 GB-TPR SE T 1袋 25個入東芝￥1,298税込￥1,428
1袋(25個)
7日以内出荷
東芝フォトカプラ トランジスタ出力 AC入力用東芝のフォトカプラ製品です。反転並列接続された素子を搭載し、バイポーラ電源に適しています。このAC入力用フォトカプラはトランジスタ出力です。
仕様●実装タイプ：表面実装●出力デバイス：フォトトランジスタ●最大順方向電圧：1.4V●チャンネル数：1●ピン数：4●パッケージタイプ：SO6●入力電流タイプ：AC●標準上昇時間：2μs●最大入力電流：±50 mA (実行値順電流)●絶縁電圧：3750 Vrms●最大電流変換率：600%●標準降下時間：3μs●シリーズ：TLP184●特殊機能：コレクタエミッタ電圧80 V (最小)， 高絶縁電圧， 高ノイズ耐性アズワン品番65-7260-09
フォトカプラ 表面実装 チャンネル数：1 トランジスタ出力 TLP183 GB-TPL E T 1袋 20個入東芝￥499税込￥549
1袋(20個)
7日以内出荷
フォトカプラ 赤外 LED +フォトトランジスタ TLP183 / TLP185シリーズ東芝の赤外 LED +フォトトランジスタTLP183 / TLP185シリーズフォトカプラです。
仕様●実装タイプ：表面実装●出力デバイス：フォトトランジスタ●最大順方向電圧：1.4V●チャンネル数：1●ピン数：4●パッケージタイプ：SO6●入力電流タイプ：DC●標準上昇時間：2μs●最大入力電流：50 mA (順電流)●絶縁電圧：3750 Vrms●最大電流変換率：600%●標準降下時間：3μs●シリーズ：TLP183●特殊機能：コレクタエミッタ電圧80 V (最小)， 高密度表面実装用途に最適アズワン品番65-7260-08
フォトカプラ スルーホール実装 チャンネル数：1 トランジスタ出力 TLP785 GB F C 1袋 10個入東芝￥1,498税込￥1,648
1袋(10個)
当日出荷
TLP781 / TPL785シリーズ フォトカプラ トランジスタ出力東芝のトランジスタ出力付きTLP781 / TLP785シリーズシングルフォトカプラです。
仕様●実装タイプ：スルーホール実装●出力デバイス：トランジスタ●最大順方向電圧：1.3V●チャンネル数：1●ピン数：4●パッケージタイプ：DIP●入力電流タイプ：DC●標準上昇時間：2μs●最大入力電流：25 mA●絶縁電圧：5000 V ac●論理出力：あり●最大電流変換率：600%●標準降下時間：3μsアズワン品番65-7252-69
フォトカプラ スルーホール実装 チャンネル数：1 トランジスタ出力 TLP785 BL F C 1袋 10個入東芝￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
当日出荷
TLP781 / TPL785シリーズ フォトカプラ トランジスタ出力東芝のトランジスタ出力付きTLP781 / TLP785シリーズシングルフォトカプラです。
仕様●実装タイプ：スルーホール実装●出力デバイス：トランジスタ●最大順方向電圧：1.3V●チャンネル数：1●ピン数：4●パッケージタイプ：DIP●入力電流タイプ：DC●標準上昇時間：2μs●最大入力電流：25 mA●絶縁電圧：5000 V ac●論理出力：あり●最大電流変換率：600%●標準降下時間：3μsアズワン品番65-7252-56
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 5.4 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ東芝￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 60 W寸法 = 6.6 x 7.18 x 2.3mmMOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 9.7 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ東芝￥639税込￥703
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 430 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 80 W幅 = 7.18mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 62 A， 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ東芝￥1,798税込￥1,978
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 62 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 400 W標準ターンオフ遅延時間 = 310 nsMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 5.4 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥829税込￥912
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 39 A， 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ東芝￥799税込￥879
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 270 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 39 A， 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ東芝￥1,498税込￥1,648
1個
予約販売
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 270 Wシリーズ = TKMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ東芝￥1,298税込￥1,428
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥1,398税込￥1,538
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 20 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥2,398税込￥2,638
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 20 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝￥2,498税込￥2,748
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 11.5 A， 3 ピン パッケージTO-3P TK シリーズ東芝￥459税込￥505
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110 W動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 7 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ東芝￥489税込￥538
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 60 W標準ターンオフ遅延時間 = 55 nsMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 39 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝￥939税込￥1,033
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 50 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ東芝￥1,298税込￥1,428
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 31 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝￥1,398税込￥1,538
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 11.5 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ東芝￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 340 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 100 W標準ターンオフ遅延時間 = 85 nsMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 10 A， 3 ピン パッケージSC-67東芝￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 100 A， 3 ピン パッケージTO-3PL DTMOSIV シリーズ東芝￥4,598税込￥5,058
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 797 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK100 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル IGBT， 600 V， 20 A， 3-Pin TO-220SIS シングル東芝￥499税込￥549
1個
翌々日出荷
仕様最大連続コレクタ電流 = 20 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 45 Wパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 100kHzトランジスタ構成 = シングル長さ = 10mm幅 = 4.5mm高さ = 15mm寸法 = 10 x 4.5 x 15mm動作温度 Max = +150 ℃IGBTディスクリート、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN 高電圧 パワートランジスタ， 400 V， 2 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥559税込￥615
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.5 x 5.5 x 2.3mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP 高電圧 パワートランジスタ， 600 V， 500mA， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V最大動作周波数 = 35 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 2 A， 3 ピン パッケージPW成形 TK シリーズ東芝￥199税込￥219
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = PW成形実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 60 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 280 pF @ 25 VMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN ダーリントンペア， 400 V， 6 A， 3-Pin TO-220SIS東芝￥1,498税込￥1,648
1袋(10個)
予約販売
仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 6 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 2最小DC電流ゲイン = 100最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 600 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2 V最大コレクタカットオフ電流 = 20μA寸法 = 10 x 4.5 x 15mmNPNダーリントントランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 8 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ東芝￥779税込￥857
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 560 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 80 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 25 A， 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ東芝￥2,398税込￥2,638
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 180 W標準ターンオフ遅延時間 = 90 nsMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 25 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝￥2,898税込￥3,188
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 15.8 A， 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ東芝￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 130 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET， 600 V， 9.7 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝￥419税込￥461
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 380 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
