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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 58 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝
759税込835
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 207 A, 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 207 A, 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ東芝
799税込879
1個
欠品中
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 207 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 255 W標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET N-Channel, TK100 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
N-ch MOSFET 東芝N-ch MOSFET東芝
119税込131
1個
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Toshiba Pチャンネル MOSFET 東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET東芝(1件のレビュー)
1,798税込1,978
1袋(5個)ほか
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実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型
Toshiba (東芝) フォトカプラ, MOSFET出力 東芝Toshiba (東芝) フォトカプラ, MOSFET出力東芝
2,698税込2,968
1袋(5個)
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実装タイプスルーホール実装出力デバイスMOSFET最大順方向電圧(V)1.4チャンネル数1ピン数(ピン)4パッケージDIP電流の種類(入力)DC最大入力電流(mA)30シリーズTLP241A絶縁電圧(Vrms)5000
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 9 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 9 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ東芝(1件のレビュー)
999税込1,099
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
フォトリレー Toshiba (東芝) TLP240A(F(O AC入力, MOSFET出力, 4-Pin 東芝フォトリレー Toshiba (東芝) TLP240A(F(O AC入力, MOSFET出力, 4-Pin東芝(1件のレビュー)
719税込791
1袋(2個)
欠品中
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = MOSFET最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = AC最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 250 V, 30 A, 3 ピン パッケージTO-3PN 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 250 V, 30 A, 3 ピン パッケージTO-3PN東芝(1件のレビュー)
2,998税込3,298
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.06 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 260 W @ 25 ℃1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝
2,398税込2,638
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET東芝
539税込593
1個ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 27.6 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 27.6 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ東芝(1件のレビュー)
2,098税込2,308
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 27.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 230 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
フォトリレー Toshiba (東芝) TLP240J(F(O AC入力, MOSFET出力, 4-Pin 東芝フォトリレー Toshiba (東芝) TLP240J(F(O AC入力, MOSFET出力, 4-Pin東芝
699税込769
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = MOSFET最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = AC最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET東芝(1件のレビュー)
499税込549
1個ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 9.7 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 9.7 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝
579税込637
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 380 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ東芝
999税込1,099
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W標準ターンオフ遅延時間 = 36 nsMOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 39 A, 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 39 A, 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ東芝
809税込890
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 270 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET, 40 V, 15 A, 3 ピン パッケージDPAK 東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET, 40 V, 15 A, 3 ピン パッケージDPAK東芝
1,298税込1,428
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 48 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 29 W1チップ当たりのエレメント数 = 1
ブラシ付きDCモータドライバーIC 東芝ブラシ付きDCモータドライバーIC東芝
259税込285
1個
5日以内出荷
DCモータ駆動用の汎用ブリッジドライバ BiCDプロセスによるモノリシックIC 駆動モータ数(ブラシ付モータ):1 PWM定電流駆動、ダイレクトPWM駆動(制御)に対応 正転 / 逆転 / ブレーキ / STOP (OFF、スタンバイ) の4モードに対応 低オン抵抗(上下和=0.6Ω(標準)) の出力MOSFETを内蔵 高耐圧+大電流駆動 (絶対最大定格、動作範囲を参照) を実現 各種異常検出機能を内蔵:過熱検出 (TSD)、過電流検出 (ISD)、低電圧検出 (UVLO) 内部回路動作用のVCCレギュレータを内蔵
出力電圧(V)50出力電流(A)3.5電源電圧(V)44RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 500 V, 18.5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 500 V, 18.5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝
2,598税込2,858
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 40 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル Nチャンネル MOSFET, 60 V, 400 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 東芝Toshiba デュアル Nチャンネル MOSFET, 60 V, 400 mA, 3 ピン パッケージSOT-23東芝
1,398税込1,538
1袋(100個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.75 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 38 nsRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET, 30 V, 16 A, 8 ピン パッケージSOP 東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET, 30 V, 16 A, 8 ピン パッケージSOP東芝
399税込439
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.9 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、+20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W寸法 = 5.5 x 4.4 x 1.5mmMOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 25 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 25 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ東芝
4,498税込4,948
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET, 20 V, 330 mA, 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ 東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET, 20 V, 330 mA, 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝
139税込153
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 90 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ 表面実装 チャンネル数:1 IC出力 TLP351 D4-TP1 F 1袋 5個入 東芝フォトカプラ 表面実装 チャンネル数:1 IC出力 TLP351 D4-TP1 F 1袋 5個入東芝
2,498税込2,748
1袋(5個)
7日以内出荷
東芝フォトカプラIGBT/MOSFETゲートドライブ
仕様●実装タイプ:表面実装●出力デバイス:IC●最大順方向電圧:1.7V●チャンネル数:1●ピン数:8●パッケージタイプ:DIP●入力電流タイプ:DC●標準上昇時間:50ns●最大入力電流:20 mA●絶縁電圧:3750 V ac●論理出力:あり●標準降下時間:50nsアズワン品番65-7252-73
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 200 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 200 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SK シリーズ東芝
649税込714
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 70 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 31 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 31 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ東芝
799税込879
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 40 V, 15 A, 3 ピン パッケージDPAK+ (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 40 V, 15 A, 3 ピン パッケージDPAK+ (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ東芝
399税込439
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 37 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = DPAK+ (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 46 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 7 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 7 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ東芝
389税込428
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 60 W標準ターンオフ遅延時間 = 55 nsMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS U-MOSVIII-H シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS U-MOSVIII-H シリーズ東芝
1,298税込1,428
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 9.7 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 9.7 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ東芝
639税込703
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 430 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 80 W幅 = 7.18mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba ロジックゲート, -24mA, 1.65~5.5 V, 5-Pin SON 2-入力 東芝Toshiba ロジックゲート, -24mA, 1.65~5.5 V, 5-Pin SON 2-入力東芝
369税込406
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SONピン数 = 5入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = +24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4.9ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = -24mA出力タイプ = CMOSTC7Sシリーズ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2.0 → 6.0 VRoHS指令(10物質対応)対応
パワーMOSFET 東芝パワーMOSFET東芝
779税込857
1個
5日以内出荷
用途DC/DCコンバータモーター駆動備考4V駆動電流(A)ID:60電圧(V)VDSS:60入力容量Ciss:5400pF(標準) (Vds=10V f=1MHz)電力(W)Pc(Tc=25℃):150構造Nch-MOS速度Yfs:40s抵抗(MΩ)RDS:15(Vgs=4V Id=30A)入数1個RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-3P(N)
フォトカプラ スルーホール実装 チャンネル数:1 IC出力 TLP351H D4 F 1袋 10個入 東芝フォトカプラ スルーホール実装 チャンネル数:1 IC出力 TLP351H D4 F 1袋 10個入東芝
2,998税込3,298
1袋(10個)
4日以内出荷
東芝フォトリレー( MOSFET 出力)
仕様●実装タイプ:スルーホール実装●出力デバイス:フォトIC●最大順方向電圧:1.7V●チャンネル数:1●ピン数:8●パッケージタイプ:DIP●標準上昇時間:50ns●最大入力電流:2 mA●絶縁電圧:3750 Vrms●論理出力:あり●標準降下時間:50ns●シリーズ:TLP 351Hアズワン品番65-7256-87
Photocoupler, MOSFET, 1a, DIP4 東芝Photocoupler, MOSFET, 1a, DIP4東芝
1,498税込1,648
1袋(2個)
翌々日出荷
接点構成1a仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 48 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = DIP最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 4.58 x 6.4 x 3.65mm高さ = 3.65mm光リレー、MOSFET出力、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET, 20 V, 330 mA, 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ 東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET, 20 V, 330 mA, 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ東芝
289税込318
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW長さ = 1.6mmMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET, 30 V, 2 A, 6 ピン パッケージUF 東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET, 30 V, 2 A, 6 ピン パッケージUF東芝
719税込791
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = UF実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 35 nsデュアルMOSFET Pチャンネル、SSM6Pxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 東芝Toshiba デュアル Nチャンネル パワーMOSFET東芝
469税込516
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様デュアルMOSFET Nチャンネル、TPCシリーズ、東芝ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOP実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)1.5チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)5.1最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40最大ゲートしきい値電圧(V)2.3最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20カテゴリーパワーMOSFET
Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 4 A, 3 ピン パッケージSOT-23F 東芝Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 4 A, 3 ピン パッケージSOT-23F東芝
1,198税込1,318
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 136 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = SOT-23F実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 500 V, 7 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 500 V, 7 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)東芝
1,198税込1,318
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.22Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 100W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 61.8 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV-H シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 61.8 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV-H シリーズ東芝
2,698税込2,968
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 61.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチング レギュレータ最大パワー消費 = 400 W順方向ダイオード電圧 = 1.7VMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
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