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Toshiba Pチャンネル MOSFET
東芝(1件のレビュー)
￥1,798～税込￥1,978～
1袋(5個)ほか
当日出荷
実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型
バリエーション一覧へ(12)
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 40 V， 15 A， 3 ピンパッケージDPAK
東芝
￥1,298税込￥1,428
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 48 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 29 W1チップ当たりのエレメント数 = 1
Toshiba PチャンネルパワーMOSFET
東芝
￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様MOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)1.9チャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧(V)2カテゴリーパワーMOSFET
バリエーション一覧へ(3)
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP350(TP5，F)， IGBT，MOSFET ゲート駆動用， 8-Pin
東芝
￥489税込￥538
1個
当日出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IGBTゲートドライブ、MOSFET最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 15ns最大入力電流 = 20 mA絶縁電圧 = 3750 V ac標準降下時間 = 8nsフォトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 2 A， 6 ピンパッケージUF
東芝
￥719税込￥791
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = UF実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 35 nsデュアルMOSFET Pチャンネル、SSM6Pxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 16 A， 8 ピンパッケージSOP
東芝
￥399税込￥439
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.9 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、+20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W寸法 = 5.5 x 4.4 x 1.5mmMOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 10 A， 8 ピンパッケージSOP
東芝
￥679税込￥747
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、+20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2580 pF @ -10 VMOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 3 A， 3 ピンパッケージUFM
東芝
￥659税込￥725
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 260 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ素材 = SiMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
パワーMOSFET
東芝
￥779税込￥857
1個
3日以内出荷
用途DC/DCコンバータモーター駆動備考4V駆動電流(A)ID:60電圧(V)VDSS:60入力容量Ciss：5400pF(標準) (Vds=10V f=1MHz)電力(W)Pc(Tc=25℃):150構造Nch-MOS速度Yfs:40s抵抗(MΩ)RDS:15(Vgs=4V Id=30A)入数1個RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-3P(N)
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET
東芝
￥539税込￥593
1個
当日出荷から7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
バリエーション一覧へ(100)
Toshiba PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 4 A， 3 ピンパッケージSOT-23F
東芝
￥1,198税込￥1,318
1袋(30個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 136 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = SOT-23F実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET
東芝(1件のレビュー)
￥2,998税込￥3,298
1袋(25個)
翌々日出荷から7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
バリエーション一覧へ(30)
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピンパッケージUFM SSM3 シリーズ
東芝
￥139税込￥153
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 90 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 2 A， 3 ピンパッケージUFM SSM3 シリーズ
東芝
￥779税込￥857
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 800 mW標準ターンオフ遅延時間 = 92 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 11.5 A， 3 ピンパッケージTO-3P TK シリーズ
東芝
￥519税込￥571
1個
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110 W動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル小信号 MOSFET， 30 V， 2 A， 3 ピンパッケージUFM SSM3 シリーズ
東芝
￥789税込￥868
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 800 mW動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピンパッケージSSM SSM3 シリーズ
東芝
￥289税込￥318
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW長さ = 1.6mmMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 500 V， 7 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252)
東芝
￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.22Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 100W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 11.5 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ
東芝
￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 340 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 100 W標準ターンオフ遅延時間 = 85 nsMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 500 V， 3 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252)
東芝
￥3,998税込￥4,398
1袋(20個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最低ゲートしきい値電圧 = 2.4V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 650 V， 11.1 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ
東芝
￥489税込￥538
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 440 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 100 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 5.4 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ
東芝
￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 60 W寸法 = 6.6 x 7.18 x 2.3mmMOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 650 V， 6.8 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ
東芝
￥849税込￥934
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 60 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 7 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
￥389税込￥428
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 60 W標準ターンオフ遅延時間 = 55 nsMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 58 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥759税込￥835
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET， 600 V， 9.7 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ
東芝
￥639税込￥703
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 430 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 80 W幅 = 7.18mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応