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Toshiba Nチャンネル MOSFET, 900 V, 3 A, 3 ピン パッケージSC-67 2SK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 900 V, 3 A, 3 ピン パッケージSC-67 2SK シリーズ東芝
1,298税込1,428
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 40 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 10 A, 3 ピン パッケージSC-67 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 10 A, 3 ピン パッケージSC-67東芝
1,498税込1,648
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 900 V, 5 A, 3 ピン パッケージSC-67 2SK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 900 V, 5 A, 3 ピン パッケージSC-67 2SK シリーズ東芝
1,598税込1,758
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 250 V, 7.5 A, 3 ピン パッケージSC-67 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 250 V, 7.5 A, 3 ピン パッケージSC-67東芝
949税込1,044
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W標準ターンオン遅延時間 = 32 nsMOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) SSM3 シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) SSM3 シリーズ東芝
219税込241
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 200 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 200 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SK シリーズ東芝
649税込714
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 70 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 100 A, 3 ピン パッケージSOT-416 (SC-75) 東芝Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 100 A, 3 ピン パッケージSOT-416 (SC-75)東芝
1,998税込2,198
1袋(100個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = SOT-416 (SC-75)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルカテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 100 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSOT-323 (SC-70) 東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSOT-323 (SC-70)東芝
549税込604
1袋(25個)
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 150 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
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