仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 70 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様最大連続コレクタ電流 = 40 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 230 Wパッケージタイプ = SC-65実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 0.2μsトランジスタ構成 = シングル長さ = 20mm幅 = 15.5mm高さ = 4.5mm寸法 = 20 x 15.5 x 4.5mm動作温度 Max = +175 ℃IGBTディスクリート、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
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¥569
税込¥626
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
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