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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W標準ターンオン遅延時間 = 32 nsMOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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919 税込1,011
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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1,498 税込1,648
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 40 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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1,198 税込1,318
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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